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27/06/2015 #1

Avatar de ruben90

MOSFET + tiristor = FET - CTH, alguien a trabajado con esta combinación
Eh estado trabajando con los MOSFET últimamente porque estoy realizando un proyecto, y pues leí un libro de electrónica de potencia y vi los FET - CTH, que es conectar un MOSFET y un tiristor (SCR) en paralelo, los SCR los utilice en la universidad, pero siempre para corriente alterna, jamás se me vino a la mente combinarlo.

Alguien a trabajado con ellos? que tal funcionan para corrientes bajas (hablamos de unos 4 o 6 amperios). El problema de los MOSFET es que son muy delicados y pues generalmente esto trae calentamiento en ellos (debido al desgaste en el filamento debido a la estática)?

cualquier experiencia es buena ...
28/06/2015 #2

Avatar de Gudino Roberto duberlin

Hola, pregunto, que deseas hacer?
28/06/2015 #3

Avatar de ruben90

como interruptor, solo trabajaría con unos 4 Amperios.
28/06/2015 #4
Moderador general

Avatar de Fogonazo

¿ Seria mucho pedir un pequeño y sencillo esquema de lo que estas planteando ?
29/06/2015 #5

Avatar de eL1ct

Hola,
Solo lo he visto, nunca trabaje con ello, pero creo que te refieres a algo asi:

Se usaria el MOSFET o IGBT para extinguir la corriente por el tiristor (diodo controlado o SCR) y asi poder apagarlo.

Nunca lo he usado pero creo que en algunos casos se utiliza o al menos se ha utilizado.
El funcionamiento segun entiendo es el siguiente; el tiristor (SCR) esta conduciendo y cuando se quere abrir el circuito, enciendes el transistor (la corriente se desvia) y esperas un tiempo, lo que necesite el tiristor (SCR) para que se extinga la corriente, y entonces al apagar el transitor se apaga todo.
Asi, el transistor no tiene que soportar toda la potencia de conduccion, solo trabajaria durante breves periodos al apagar el tiristor (SCR).

De todos modos, para conmutar "solo" 6A mejor usar un MOSFET o IGBT, segun la tension de trabajo... Ya que, estos sistemas los he visto en circuitos de trenes; para activar el freno reostatico. La potencia no tiene ni punto de comparacion...

En cuanto a la sensibilidad de los MOSFET, no se a que te refieres exactamente... pero lo que si es que tienes que conmutarlos y alimentarlos correctamente desde puerta (igual que los IGBT).

Creo que muchas veces el problema de los MOSFET es que son tan rapidos al conmutar, que un mal diseño junto con estas conmutaciones rapidas pueden acarrear varios problemas, entre ellos, alguno que puede llevar a la destruccion del MOSFET. Pero no me malinterpretes, si el driver del MOSFET esta correctamente dimensionado, conforme al "layout" de la etapa de potencia, no hay ningun problema en usar MOSFET.
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: png SCR-IGBT.png (7,5 KB (Kilobytes), 30 visitas)
29/06/2015 #6

Avatar de Scooter

Eso lo he visto con bipolares. No le encuentro gran ventaja frente a usar directamente el transistor, salvo que tiene memoria.

¿Y usar un GTO? ¿O eso está obsoleto?
29/06/2015 #7

Avatar de eL1ct

La mayor ventaja, supongo que es que puede conducir mucha corriente, con mucha capacidad de pico y a alta tension... aunque, a ver con que transistor se consigue desviar esta corriente (quiza poniendo mas diodos en serie al tiristor...) Y como dices, quiza el transistor solo podria manejar esas potencias...

En ferroviaria, si se trata de MW con un bus de 3000V por ejemplo, son miles de amperios, y aunque hoy en dia para el inversor se usan IGBTs supongo que para el freno reostatico quiza se empezo a usar esto por cuestiones economicas... no se, es curioso... quiza tambien con BJTs antes que IGBTs?

Los GTO son mas complejos de controlar, y se evoluciono a los IGCT (con el control de puerta integrado), pero estos componentes creo que no existen (o son muy raros) a baja potencia...

Yo recomindo IGBTs y para tensiones de hasta al rededor de 300v tambien se pueden usar MOSFET, tambien IGBTs pero depende de la corriente de trabajo. Ya que con los MOSFET tendras menos perdidas de conmutacion, se entiende (y quza menos de conduccion tambien, como he dicho dependiendo de la corriente).

Se suelen usar semiconductores que soporten el doble de tension que la constante a la que se le va a hacer trabajar (ya que, en transitorios habra picos).
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