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14/05/2014 #1

Avatar de enbudle

Tension de gate con topologia cuk en sstc 4Mhz
buenas. sucede que desde hace algún tiempo había visto esta pagina http://www.richieburnett.co.uk/hfsstc.html
pero apenas ahora miro con detenimiento el esquema.
veo que el mosfet es manejado con un gdt pero que tiene una relacion de de 9:2 con una alimentación de 15 lo cual dejaría al gate con unos 5v que se comprueba en una imagen mas abajo. esto no lo logro entender. por que lo maneja con ese voltaje siendo que lo normal para fuentes conmutada seria manejarlo con 10-15v. no he encontrado mucha información acerca de la topologia cuk quizás tenga algo que ver con esto pero me sigue pareciendo muy extraño.
En esta otra pagina hacen lo mismo http://uzzors2k.4hv.org/index.php?page=4MHzclassE1
15/05/2014 #2

Avatar de ecotronico

hola:

échale un vistazo a la hoja de datos del transistor MOSFET IRFP450 usado.
ahí se ve la tensión de threshold (umbral) de trabajo GATE - SOURCE.
ella es de entre 2,0 y 4,0 V.
15/05/2014 #3

Avatar de enbudle

pero el RdsOn es a 10v. pues hasta donde tengo entendido la idea en este tipo de aplicaciones es que el mosfet quede en modo saturacion por que en modo lineal disipa mucho calor.
16/05/2014 #4

Avatar de ecotronico

no, el RDsOn es un valor de resistencia equivalente cuando el MOSFET está saturado.
la hoja de datos, este caso, indica que la tensión de prueba fue de 10V DRAIN-SOURCE, y no significa que debe trabajar con 10V (editado)

la tensión GATE-SOURCE es diferente, pues es la tensión de disparo o control.
la tensión máxima para satuación es de 20V, según dice la hoja de datos.

y pareciera que en el diagrama esquemático, el MOSFET sí está en zona lineal, pues:
por qué usa 3V de BIAS (polarización)?

es normal que se caliente un poco más, pero es importante montarlo con disipador, tal como aparece en el sitio que citaste.
http://uzzors2k.4hv.org/index.php?page=4MHzclassE1
16/05/2014 #5

Avatar de enbudle

en la tabla de caracteristicas dice que el RdsOn se da con Vgs=10v.

pero como es eso del bias, ¿como puede tener bias si el mosfet esta manejado solo por el toroide?
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: png Captura de pantalla de 2014-05-16 10:12:28.png (22,0 KB (Kilobytes), 7 visitas)
16/05/2014 #6

Avatar de ecotronico

mi estimado:

he confundido el MOSFET al que te refieres porque no presté atención al diagrama.. disculpa.
en el diagrama del principio, hay dos transistores MOSFET,y no me di cuenta.

el primero es un IRF520, al cual me refería que está en zona lineal, con polarización... corríjeme si estoy equivocado.
y estaría polarizado con aproximadamente 3Vcc, según el divisor de tensión entre 2k7 y 680 ohm.
además, el sitio de internet que citaste, dice que está configurado como aplificador tipo E.

el segundo MOSFET, es el IRFP450 y, cierto, no está polarizado, pero estaría configurado también como clase E.
de hecho, le está llegando tensión "alterna" en pleno GATE.
es extraño, la tensión debería ser mayor para poder saturar.
la relación 9:2 con 15V daría una tensión media de 3,33V.
Archivos Adjuntos
Tipo de Archivo: pdf IRF520.pdf (183,7 KB (Kilobytes), 0 visitas)
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