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04/04/2015 #1


Teoria transistores tipo FETs
Buenas

Soy Julio de Panama, estudiante de Ing. Electrica y Electrónica. Estoy dando ahorita el tema de transsitores tipo FET. Tengo un laboratorio (Simulado) el cual estoy teniendo problemas porque la teoria me hace ground.

El laboratorio se utiliza un NMOS de empobrecimiento. Y mi pregunta es para esta clase de FET ¿tambien existe un IDSS?, si es asi me imagino que es cuando Vgs es cero (ya que es el concepto), pero mi duda recae en que en realidad la corriente maxima de drenaje permitida no seria cuando Vgs es cero, sino mucho mas grande ya que este FET admite Vgs tanto positivos como negativos y ahi radica mi confunsion :( no se si me di a entender.

La pregunta viene ya que una pregunta del laboratorio es si la Id calculada cuando Vgs es cero tiene algun nombre especial. Asi mismo tambien me piden si esta corriente tiene alguna relación con la Kn del transistores, cosa que tambien me deja confundido ya que la constante K tiene relacion con IDSS pero en los JFET no en los FET de empobrecimiento, si pudieran resolver esas dos dudas por favor.
05/04/2015 #2

Avatar de ecotronico

hola!

primeros te recomiendo que busques el modelo del transistor, luego descargues la hoja de datos (personalmente utilizo este sitio: http://www.alldatasheet.com/ ) y lo postees aquí.

así obtendrás los datos necesarios de cómo trabaja este transistor y las curvas características y podremos ayudarte mejor.
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