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28/03/2014 #21


Hombre, felicitaciones, ¿qué valor de resistencias tenías en las compuertas y cuál valor usaste finalmente?
29/03/2014 #22

Avatar de juanma2468

Usaste una resistencia en serie con un diodo schottky en antiparalelo puesto este arreglo en paralelo con la resistencia del gate del MOSFET?? Con esto aceleras el cierre de la compuerta una vez disparado.
27/09/2015 #23


Sobretensiones push-pull a 500 Khz
Estimados foristas, les comparto mi inquietud:

Estoy desarrollando un equipo cuya etapa de potencia está formada por un trafo de HF (primario con punto medio y dos secundarios casi iguales - relacion de vueltas 6,3) en configuración push-pull conmutando a 500 Khz, generadas en base a un microcontrolador.
Los dispositivos usados como llaves son transistores mosfets de potencia (IRFP250N - VDSS 200v e ID 30A) puestos de a tres en paralelo para cada rama del push-pull, con resistencias de gate individuales de 15 Ohm y recortador zener a la entrada común de los gates. Montados sobre un disipador genérico para mother AMD.
El driver de los mosfets es un IR2110 configurado como dual low side, y a la salida de este tengo dos pares de totem-pole con BJT para cada rama de tres mosfets.
El bus de continua aplicado al punto medio del trafo es seleccionable desde 35v a 80v.
Quiero aclarar que no estoy diseñando un convertidor dc-dc, la salida del secundario del trafo de HF se aplica directamente a la carga, por lo tanto no hay control ni por tensión ni por corriente que se realimente e incida sobre el ciclo de trabajo.
El problema que tengo es que las sobretensiones en Vds exceden los 200v que soportan los transistores, aún así he podido hacer ensayos sin que resulten destructivos. Se quemaron dos mosfets, pero por otros inconvenientes.
Ensayé circuito snubber RC entre drain y source (a masa), RCD entre drain y source y RCD entre drain y punto medio del trafo de HF. Consigo mejorar las formas de onda en la conmutación pero no así los valores máximos que alcanzan los 220v o más. También agregué tiempos muertos desde el micro sin efectos significativos. Las conexiones de potencia mantienen los cables cortos y caminos independientes de los de señales. Las masas se unen en un solo punto.
Comparto capturas de osciloscopio del nivel 1 (35) y del nivel 8 (80v) con y sin snubber, señales exitadores de 500 Khz, y comparaciones entre VGS y VDS.
PD: Las señales VDS están atenuadas por 10 en todas las capturas
Muchas gracias desde ya.
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: jpg Vds Nivel 1 con RCD.jpg (49,9 KB (Kilobytes), 22 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Vds Nivel 1.jpg (52,4 KB (Kilobytes), 20 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Vds Nivel 8 con RCD.jpg (51,2 KB (Kilobytes), 20 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Vds Nivel 8.jpg (52,8 KB (Kilobytes), 20 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Vgs vs Vds Nivel 1.jpg (50,2 KB (Kilobytes), 20 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Vgs vs Vds Nivel 4.jpg (49,8 KB (Kilobytes), 16 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Vgs vs Vds Nivel 8.jpg (49,5 KB (Kilobytes), 16 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Señales 500 Khz.jpg (52,6 KB (Kilobytes), 15 visitas)
27/09/2015 #24


Hola caro Don juan2008 , problemas de sobretensiones molestas en los VDS del mosfets estan directamente relacionadas con la inductancia de dispersión primaria del transformador de salida.
Esa inductancia de disperción del devanado primario estas directamente relacionada ao modo de como es hecho ese transformador y hay metodos y tecnicas de modo reduzirlas. La inductancia de disperción del devanado primario puede sener medida con auxilio de un inductometro conectado directamente en lo devanado primario y todos los secundarios dese transformador con su salida en corto circuito. Esa inductancia medida deve sener una pequeña fración de cuando lo secundario estas con su salida en abierto (salida volando).
!Fuerte abrazoz desde Brasil y buena suerte en los desahollos !
Att.
Daniel Lopes.
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