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14/06/2008 #141
Moderador

Avatar de Nilfred

¡Muy buena la flyback con doble switch, esa no la tenía!
No hace falta subir ese pdf acá si está públicamente disponible: TOPOLOGIES FOR SWITCH MODE POWER SUPPLIERS Quizas puedas hacer lo mismo con los otros que comentas, de última contactá un moderador para subir archivos mas grandes, no hay problema.
14/06/2008 #142
Moderador

Avatar de hazard_1998

nilfred, si la de doble switch es interesante, pero te digo, yo hago flybacks de 150w y no tengo problemas. si es cierto que para potencias mas grandes se desaprobecha el nucleo y ademas se ponen medio peludas las redes snubber. pero en lo personal, no haria una flyback de tan solo 150w con doble switch
14/06/2008 #143
Moderador

Avatar de Nilfred

Si, claro, es lo que dice mi tabla, flyback hasta 150W. ¿Al final te cambiaste de bando?
Ahora le agrego a mi tablita flyback doble switch, entre 150W y 250W.
A la forward la corro entre 250W y 350W.
Y a la Forward doble switch le queda el tramo entre 350W y 500W
Pero primero voy a diseñar una, en una de esas saco de escena la forward. ¿Habrá por ahí un diseño hecho?
15/06/2008 #144
Moderador

Avatar de hazard_1998

mira, la flyback doble switch nunca la hice, pero a mas de 250w paso de flyback DCM a una medio puente forward con doble capacitor de entrada
lo que tiene de beneficioso la flyback comun DCM es el rango de entrada.
17/06/2008 #145

Avatar de ricardodeni

Hola queria consultarles un problema que tengo:
arme un fuente half-bridge de 220Vac a +/- 45 V , de modulador estoy usando el TL494 y los transistores que uso son BJT, los tipicos E13007. la parte de control la tengo en protoboard.
resulta que la fuente esta funcionando en optimas condiciones, pero siempre hay un pero jejej
la bobina driver que utilice para exitar a los TR la saque de una fuente de PC que no funcionaba , afortunadamente tenia dos iguales, entonces un driver es el que use y el otro lo desarme para obtener los datos ya que eran iguales, pero aca viene el problema.
la bobina driver que yo armo no funciona (la arme igual a la original), la arme denuevo en otro nucleo pero tampoco funciono, finalmente sospeche de que estaba pegando mal los nucleos o con pegamento incorrecto entonces la hice denuevo en un nucleo toroidal, tampoco funciono.
tambien probe con alambre mas fino , mas grueso ,pero sigue igual.
la verdad es que esto me tiene mal ,no se que hacer.
tomando mediciones me da lo siguiente:
en el primario del driver que funciona tengo 8 V , si pongo en corto cualquira de los secundarios del driver la tension en el primario se cae a 2,6 V que es la misma tension que tengo en el primario de los nucleos que yo arme pero sin poner en corto ningun sec.

aca les muestro como uso el driver.
espero que puedan ayudarme, desde ya gracias

saludos.Ricardo.
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: jpg driver_177.jpg (23,4 KB (Kilobytes), 1494 visitas)
17/06/2008 #146
Moderador

Avatar de hazard_1998

mira, te recomiendo que para los transistores del medio puente migres a mosfet, e incluso utilices algun driver medio puente, te va a salir barato y mas simple, yo en lo personal uso el archiconocido IR2110, en microelectronica o SEMAK vale $10, ahora bien, tenes que fijarte que los dos bobinados de los secundarios esten en su fase correcta, si ambos estan al derecho el nucleo se satura, ya que la corriente de cada semiciclo seria Io1 para T3 y Io2 para T4, si tenes invertido un secundario, Q3 o Q4 conduciria la corriente de secund, y el otro quedaria en vacio, eso es muy probable, por otro lado, yo en lo personal puentearia D18 y R22 y pondria un electrolitico de 10uF entre el punto medio del primario y masa, otra cosa, como este circuito no es enteramente de baja impedancia, tendrias que colocar una carga contra el transformador que absorba la reactiva cuando ninguno de los transistores conduzca.
17/06/2008 #147

Avatar de ricardodeni

hola Hazard ,primero muchas gracias, te comento que los secundarios los estaba bobinando al derecho los dos y despues uno de ellos lo conectaba invirtiendo la polaridad, asi estaba en el original , de todas maneras recien probe bobinar uno al derecho y el otro invertido y tengo el mismo resultado, lo de puentear la R y el diodo ya lo habia hecho y la fuente arranco pero los transistores T3 y T4 ( C945 ) en 10 segundos se recalientan al punto de no poder tocarlos, esto pasa tanto con el driver que funciona como con el que no funciona.
cual seria o como seria la carga contra en el transformador para que absorba la reactiva?
otra cosa que me olvide, con el transformador que no funciona cuando le desconecto uno de los extremos del primario la tension sube a los 8 V que deberia tener.
la tension la estoy tomando desde el punto en donde se conecta R22 con D18 y masa.
la verdad que esto se volvio un desafio jejej, no se que estara pasando.
con respecto al IR2110 te cuento que ya lo estoy mirando con simpatia, pero me habian comentado que es de quemarse, la verdad es que yo nunca lo use y no tengo opinion de ese ic pero vos que lo usas que opinion tenes?

gracias de nuevo.

saludos
17/06/2008 #148
Moderador

Avatar de hazard_1998

ah, vos medis entre el punto medio y masa, osea que si tenes 15v en pata 12 y 8V en el punto medio (catodo de D18) son 6,4V sobre R22, son 4mA medios que pasan por el transformador, te hago una pregunta, probaste levantar los secundarios y ver la tension de 2rio con un osciloscopio?, x otro lado, como es el circuito de base de los mje13007?

en cuanto al IR2110 te comento que el problema no es que se quema este sino que es mas delicado al fallar la estapa de potencia, cuando se quema una etapa de potencia con un transformador de impulso lo que se quema aparte de los transistores son los componentes que estan entre el transformador y las bases o gates de los transistores de potencia, cuando pasa esto con un IR2110 se quema todo, driver, y hasta siguen las llamas hasta el modulador PWM... por eso el transformador es mas robusto, porque realmente divide las cosas y el fuego llega hasta ahi, pero.. siempre hay un pero, es mas costoso y menos eficiente, porque te limita el rise time de encendido y de apagado, ademas de eso es complicado que te de baja impedancia de salida con un modulador que no sea totem pole, te recomiendo si usas transformador migrar a algun modulador que tenga salidas totem pole, tipo SG3525 o 3526, el transformador lo haces sin punto medio y colocas el primario entre una y otra salida, de esa manera logras tener siempre baja impedancia de salida. si optas por el IR211x podes usar el tl494 o cualquiera que te sea familiar, es muy sensillo el funcionamiento, solo tenes que considerar el layout de la placa y como hagas el bootstrap de la alimentacion de la rama de arriba.
17/06/2008 #149

Avatar de ricardodeni

aca dejo el circuito base de los trs, osciloscopio no tengo voy a ver si me prestan uno esta semana , de todas maneras las mediciones las tome conectando los sec. y no conectandolos y me dieron las mismas tensiones para ambos transformadores, por otro lado cuando hice el driver con nucleo doble E media lo mismo con el nucleo puesto que si lo conectaba sin nucleo, osea es lo mismo que si no estuviese la ferrita por eso sospeche del pegamento y bobine en toroidal pero como te comente antes obtuve el mismo resultado.
el primario esta bobinado con 40+40 espiras
y el secundario son 9+2 y 9 espiras
voy a tener en cuenta lo de los IR pero justamente por lo que comentas quisiera poder hacer funcionar las bobinas driver,de paso aprendo y se me sigue cayendo el pelo jajaja.

gracias

saludos.
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Tipo de Archivo: jpg trs_726.jpg (26,4 KB (Kilobytes), 1432 visitas)
17/06/2008 #150
Moderador

Avatar de hazard_1998

mmm que raro, te fijaste que no esten cortocircuitandose los bobinados? o que el esmalte este dañado, o que el primario este mal tomado el punto medio? es muuuy raro....
17/06/2008 #151

Avatar de ricardodeni

si si , todo eso me fije y esta todo bien por eso es que me esta volviendo loco, que pegamento se usa para este tipo de nucleo tan chicos?
te cuento otra cosa , todos los primarios de driver de este tipo que vi el punto medio es: el final de la primer bobina conectado con el principio de la segunda bobina. en el driver de la fuente de pc que desarme el punto medio es el principio de las dos bobinas ,osea bobinan con un alambre doble, los dos principios son el punto medio y cada final va a cada uno de los colectores.
yo probe de las dos maneras y tuve el mismo resultado.
la fuente de donde saque este driver usa exactamente la misma configuracion para exitar a esta bobina y las salidas hacia los E13007 tambien son iguales.
gracias otra ves
saludos.
17/06/2008 #152
Moderador

Avatar de hazard_1998

lo de los dos principios esta mal seguro estan bobinados bifilar y conectan los puntos homologos (final de 1 y principio de 2) despues de bobinarlos, pero hay algo muuuy mal que no estas viendo ni vos ni yo, a que frecuencia lo usas?, otra cosa, que ferrite es?, pegar se pega con la gotita, pero fijate que no tenga entrehierro entre los ferrites.....
17/06/2008 #153

Avatar de ricardodeni

el IC lo uso a 120 Khz para tener 60 Khz en el transformador de potencia, los ferrites driver que uso los saque de otras fuentes de pc ,tambien probe bobinarlo en los nucleos que usan de driver los monitores de pc para exitar el TR de salida horizontal y el toroidal que use fue uno de los tipicos amarillos que mide aproximadamente 2 centimetros que se usa como choke en las salidas de continua de las fuentes de PC , no se si este ultimo sirve.
gracie
saludos
18/06/2008 #154
Moderador

Avatar de hazard_1998

bueno, el toroide descartalo, porque este es de un material diferente a las ferrites de conmutacion para transformadores (polvos de hierro, carbonyl) donde la permeabilidad es especialmente baja ( se usa para inductores de DC con AC superpuesta, te podria servir para hacer los inductores de salida de la fuente. es escencial que el ferrite sea tipo N27, N87 o alguno parecido de epcos/siemens o tipo CF196, CF195, CF138 de COSMO, inclusive si entras a www.cosmoferrites.com vas a encontrar una tabla comparativa de sus ferrites y de otras marcas, como ferroxcubes y TDK, en cuanto a las vueltas del primario te explico como calcularlas (tanto para el driver como para el de potencia)

N1= (dVt x dTon x 10^4)/(2 x Bmax x Ac)

donde:
dVt = tension aplicada al devanado (volts)
dTon = tiempo de conduccion de corriente por ese devanado (segundos)
Bmax = Induccion maxima (tesla)
Ac = area transversal del nucleo (Cm2)

la induccion maxima depende del material del nucleo que elijas, y de como se comporte a la frecuencia de trabajo. (los ferrites tienen una curva de absorsion de potencia dependiendo de la frecuencia, x ej. para N27/CF196 uso como induccion maxima a 50Khz entre 0.125T y 0.150T

esto es para transformadores forward y doble forward de 4 cuadrantes, las forward de 1 transistor, flyback y fuentes resonantes se calcula distinto y cada una de ellas tiene sus ecuaciones caracteristicas.
18/06/2008 #155
Moderador

Avatar de hazard_1998

e olvidaba, es primordial que el nucleo no tenga entre hierro en sus uniones, mucho menos que este partido y vuelto a unir...
21/06/2008 #156


para gente que se salio del tema de la fuente conmutada 110 ac y 220ac y ricardodeni que nos dio una fuente muy buena pero que solamente la hice yo y unos pocos , y los problema que tenia ninguno nos ayudo a resolverlos , les recomiendo que volvamos al tema que no cojamos como locos con una y otra cosa y nunca se resuelva nada , trabajemos con la de ricardodeni por que estando resulta despues se le hacen las modificaciones para los otros voltages , la mia funciono pero se calientan muchos los mosfet y despues de una hora se van los mosfet , aunque yo ya hice la de lucipierro y me funciono ok y con esta es que estoy ensamblado mis hechisos y trabaja bien , pero esque no quiero dejar sin resolver el problema de que se calinetan muchos los mosfet gracias por su atensión
21/06/2008 #157
Moderador

Avatar de hazard_1998

fredy, te recomiendo que para meterse de lleno en una fuente switching es escencial tener instrumental adecuado, no pido que tengas inductametro de presicion ni analizador de impedancias ni trazadores de curvas, simplemente un buen multimetro y un osciloscopio de 20mhz de ancho de banda, los mosfet te calientan por muchas razones, tiempo de rise / fall time de tension de compuerta, tension nominal de compuerta, avalancha, corriente de drain, etc, si tienes instrumental, debes medir (mediante shunt en serie con DRAIN) la forma de corriente de drain de cada mosfet, medir la forma de onda de la tension de gate/source de cada mosfet, y medir la tension drain/source de los mismos. lo ideal en un driveo de compuerta del mosfet es que el tiempo de subida sea lo mas corto posible sin que la tension de compuerta oscile, por otro lado, la tension de gate debe ser entre 12 y 15V para los mosfet comunes (hay mosfet que son con compuerta compatible TTL), para esto es escencial contar con un buen driver que entregue la mayor corriente pico posible, (recomiendo el IR2110/2113) las pistas que van entre los driver y los gate, asi como la conexión que va entre el retorno negativo del driver y el source del mosfet, lo mas cortas y rectas posible, para evitar inductancias y resistencias parasitas. las resistencias en serie con el gate de los mosfet depende del transistor que uses y de la cantidad en paralelo que coloques, estas, pueden ser entre 2.2ohm y 22 ohm para cada transistor, (aunque es primordial monitorear el tiempo de crecimiento de la tension de gate para cada valor de resistencia, en paralelo a esta resistencia recomiendo colocar un diodo tipo 1N4148 mirando hacia el driver, es decir con el catodo hacia el driver y el anodo hacia el gate, esto es para que en el momento de apagado el driver sea mas efectivo, en el encendido es necesario colocar la R para que la compuerta no oscile ya que si hacemos un circuito equivalente de un mosfet y su driver encontraremos que en serie con el gate tenemos una inductancia y en paralelo con el gate tenemos una capacidad, formando un circuito serie resonante.
para un periodo de 20uS y un Ton maximo de 10uS el tiempo de trepada de la tension de compuerta no debe ser superior a 200nS con toda la furia. y de 100 a 120nS para el momento del apagado.

por otro lado es altamente importante revisar que la tension de DRAIN/source sea menor a la tension de ruptura del transistor, no porque se queme instantaneamente, sino para bajar la disipacion por avalancha, los transistores mosfet entre drain y source cuando estan abiertos se comportan como un diodo zenner o de avalancha cuando la tension entre esos terminales llega a la tension de ruptura, consecuencia se empieza a cerrar el canal y comienzan a hacer pasar corriente, haciendo que calienten. para que esto no suceda es aconsejable poner transistores con un margen de tension suficiente para tolerar las tensiones que haparecen, y tambien recomiendo el uso de snubbers RC para minimizar los spike que aparezcan sobre el transistor, para que estos no entren en avalancha o lo hagan muy pero muy poco. (pulso de spike menor a 25nS) por ultimo revisar que el nucleo del transformador no entre en saturacion, midiendo la corriente que circula por los mosfet, para esto hay que insertar una R del menor valor posible y de la menor inductancia posible, ( resistores de metal film no inductivos) tipico para una fuente de 200W desde 220v, una R de 0.1ohm, colocaddos en serie con drain para poder medir con osciloscopio la forma de onda de la corriente. las corrientes del transistor de arriba y el de abajo en una fuente medio puente deben ser lo mas parecidas posible, esto depende del tiempo de conduccion de cada mosfet, los cuales deben ser identicos en tiempo, la forma de onda de corriente debe ser como un trapezoide, un flanco ascendente abrupto, una rampa ascendente, y cuando termina el ciclo caer a 0 abruptamente, s la rampa ascendente al final del ciclo comienza a irse para arriba es que esta satuandose el nucleo. y ahi habra que revisar las cuentas de como se calculo el transformador.
21/06/2008 #158
Moderador

Avatar de hazard_1998

aca posteo unos dibujos muy rudimentarios sobre como deben ser las formas de onda de corriente y de gate en los mosfet de la fuente conmutada
ando corto de tiempo pero pregunten que cuando puedo contesto.
Archivos Adjuntos
Tipo de Archivo: pdf tension_de_gate_conmutacion_767.pdf (4,4 KB (Kilobytes), 441 visitas)
Tipo de Archivo: pdf corrientes_conmutacion_227.pdf (4,0 KB (Kilobytes), 418 visitas)
21/06/2008 #159

Avatar de ricardodeni

Hola hazard sos un groso, gracias por compartir todo lo que sabes.
te comento que esta semana voy a ver si consigo los toroidales de ferrita para ver si me funciona el driver, mientras me entretuve con una prueba:
desarme la unica bobina driver que funcionaba pero lo que hice fue solamente sacarle el nucleo SIN tocar el bobinado, entonces cuando le puse de nuevo el nucleo ya no sirvio, primero lo aprete bien sin pegarlo y despues lo pegue con la gotita pero no funciono, me sirvio para darme cuenta de que no estoy bobinando mal ya que las mediciones de tension son iguales a los que yo hice, entonces el problema lo tengo en como estoy fijando el nucleo, no se si habra un pegamento especial o algun procedimiento diferente para el armado de estas bobinas pequeñas, pero bue voy a probar con el toroidal y de paso cuando lo compro pregunto como es el armado de estos nucleo doble E chicos.

con respecto a la fuente que publique voy a hacerme unas correciones:

el Trafo de potencia; la cantidad de espiras esta mal , el primario tiene que ser de 24 espiras y NO de 56 como puse y el secundario tienen que ser 12 esp. + 12 esp. (segun calculos)

la resistencia RT de 22 K hay que cambiarla por 10 K para esa relacion de espiras.

adjunto una imagen de como tienen que ir conectados los mosfet para el correcto fucionamiento.

Fredy: explicame como hiciste la bobina driver y sobre que nucleo, y otra cosa: adaptaste la fuente para 110V haciendo el duplicador? si no hiciste eso se van a quemar siempre los mosfet.

saludos, ricardo.
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: jpg fet_956.jpg (13,9 KB (Kilobytes), 1182 visitas)
22/06/2008 #160


hola ricardo, yo tambien ando entuciasmado con la construccion de smps, ya descargue de inter todos los libros q recomendo juan romero.

Todos en ingles pero bueno le hago el intento.

queria preguntarte en q pagina puedo encontrar la información adjunta a la imagen q posteast, pues m parece interesant poder profundizar mas sobre esa proteccion de los mosfet.


gracias de antemano
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