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02/12/2010 #1


saturar mosfet en parte alta del puente H
Hola buenas. Queria hacer un puente H y parecia mas facil todo.

El caso es que segun he leido, para saturar el mosfet alto (Qb3 y Qb1 del esquema) tengo que meterle 10-12v mas de los que le llegan al Drain, asi que deberia meterle unos 30v.

La duda es que si el Gate solo aguanta 20v, como lo haceis para no quemarlo?? ya que si meto pulsos por mosfet Qb3, mientras el mosfet Qa3 esta saturado de continuo, en el comienzo del pulso Vgs seria 30v, no?? He pensado en poner en paralelo a g-s un zener 15v con resistencia serie.
Aunque la resistencia tendria que ser alta porque el optoacoplador solo me da 50mA, asi que no lo veo claro, digo yo que habra montajes mejores.


Tambien tenia un transistor de 3A a la salida del Opto, pero lei que el el mosfet va con tension y que Rgs es alta, asi que lo quite, aunque acabo de leer esto en este foro:
"Es cierto que no consume corriente la puerta del mosfet, pero en aplicaciones con conmutación rápida debido a la capacidad parásita que tiene la puerta (que es bastante considerable), se necesita una buena corriente, tanto para conectarlo como para desconectarlo."
Cuanta intensidad se puede alcanzar?? para descargar el Vgs en el corte habia puesto un transistor PNP, tambien tendra que aguantar esa intensidad no??

Se me olvidaba, el montaje del diodo y condensador en los Optoacopladores, lo e puesto pero no se muy bien su funcion...

Bueno siento ser tan pregunton, pero lo seria mas
Gracias y un saludo!

---------------------------------------------------------------------------------------------

ieup!
acabo de leer el post de "como encender bien los mosfets", y siguiendo esos consejos dejo el esquema que me a parecido.
El TC4427A que comentan, es muy utilizado? tiene buena pinta si señor..

las dudas de antes hay siguen

otro saludo!
02/12/2010 #2

Avatar de Black Tiger1954

No sientas preguntar, eso es signo de buena salud mental.
En realidad, a lo que tenés que llegar, es a que el gate (puerta) tenga una tensión superior al source (fuente) de dependiendo del transistor en cuestión sea de 5 o 10 volts más (generalmente).
Para la rama superior es cuando se complica, ya que necesita más tensión que la de alimentación.
En ese caso, podes optar por integrados específicos que hacen eso, tener una fuente extra para generar esa tensión o utilizar mosfets PNP.
03/12/2010 #3


Como integrados especificos tienes el IR2112 que va bastante bien, aunque necesitarias dos y no puedes mantener el pulso ya que ese pulso lo consigue poniendo en serie un condensador con la fuente y asi obtener mas tension que la propia fuente, si el pulso es muy largo el condensador se agota y se acaba el disparo.
Si no es para mucha corriente usa unos Mosfet canal P, generalmente son mas caros, pero te evitas problemas, aun asi tendras que poner un circuito especial para dispararlos correctamente.


Este es un driver echo con componentes comunes para disparar adecuadamente los mosfet P
03/12/2010 #4
Excluido


No entiendo la confusion. El voltaje D-G (drain to sourse) es normalmente de 10 a 15 V. Si usas mosfet canal P y canal N en complemento, y respetas los tiempos de encendido de cada uno, no habra problemas. Unas pull up, y unos inversores para los canal P es suficiente. Lo uso para controlar un puente trifasico de esa manera y no hay calentamiento por traslape.
Rodri_go estas mostrando como usar un mosfet simple, no en puente H. Las consideracones cambian debido al traslape como mencione anteriormente.

Que frecuencia de conmutacion entre un sentido y otro vas a manejar? Entre menor frecuencia tengas es mejor.
Sugerencia: si vas a polarisar el gate de cada mosfet, usando complementarios, una resistencia y un zener de 12 o 15V es suficiente para no exceder el voltaje de saturacion.
03/12/2010 #5

Avatar de seaarg

Veamos: Si el mosfet superior es canal P, no hay problema mientras el voltaje de alimentacion del circuito no supere los 15v aprox.

Yo tengo un caso donde la alimentacion era de 40v. Tengo entendido que el canal P se satura poniendo en el gate 10v MENOS que source, o sea 30v

Por otro lado, para el canal N tengo que poner 10v MAS que source, o sea, 10v.

Entonces, lo que hice yo en simulador (aun no probe fisicamente) es poner una resistencia desde source a gate en el canal P (a calcular) y el catodo de un zener 30v. Al anodo de este va el colector de un bipolar npn chico que va a gnd su emisor. (ahi estamos dando vuelta la señal, habria que invertirla)

Para el canal N, una resistencia a calcular + zener de 12v y a otra cosa.

Esto funciona en teoria. Eso si, las velocidades de switch de los mosfets no seran muy altas por la capacitancia de gate, que no es descargada/cargada bruscamente.

¿Hay problemas en este razonamiento? Ojala que te sirva pou
03/12/2010 #6


gracias por las respuestas.

los mosfets tenia pensado usarlos a 1 Khz como mucho.

lo de usar mosfet complementarios no queria, por eso de que los P son raros y mas caros, y tengo ya un monton de canal N

probare con el integrado que comentais IR2112, que tambien he visto de esos por el curro jejj.
para los mosfets de la parte baja no me importa lo de los pulsos, porque los usare con transistores, aunque esta bien saberlo.

Los transistores estos que e dicho que amperios tendrian que soportar?? no se si se podra calcular segun la capacitancia del gate o algo de eso :S

1 saludo
06/12/2010 #7


hola a todos, ya e leido sobre el IR2110 que recomendasteis.
ahora tengo otras dudas nuevas

"http://193.146.57.132/depeca/repositorio/asignaturas/30821/datos/P4/P4_6.htm"
en esta pagina habla sobre como se carga el "condensador bootstrap" (que no se si es un tipo especial o que...) para disparar el mosfet alto de un puente H, y dice que es necesario el refresco del mosfet bajo para ese proceso de carga.
Asi que suponiendo que el IR2110 tiene esa funcion de autorefresco, habria que conectar obligatoriamente la salida LO al mosfet bajo de ese semipuente??

Y si no es asi esto, puedo usar la salida LO para disparar el otro mosfet alto del puente H?

Esta pagina puede estar bien para el tema, y para los que sepais ingles mejor
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf
1 saludo
04/01/2011 #8


fuente de poder con pwm usando lm555 y mosfet
hola, hare una fuente de poder dc de, 80v y 1A, con pwm usando lm555 para el control de potencia (pwm) y mosfet como dispositivo conmutador, si alguien me puede ayudar con información sobre alguno de estos temas, se lo agradecere, ademas, al final, publicare el diseño resultante

si alguien tiene alguna sugerencia sobre el cambio de algun dispositivo en pos de hacer mas sencillo el diseño, sera bienvenida.
Respuesta
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