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16/09/2011 #1

Avatar de Haslick

Driver con IRFZ44N para control PWM
Que tal, en otro thread estuve analizando como hacer 8 PWMs por software en un solo 16F628A.

Por suerte ya resolvi el problema. Ahora lo que me puse en campaña es en lograr un buen driver de potencia para utlizar estos PWMs con cualquier tipo de cargas.

Estuve analizando este circuito.



Por lo que estuve probando el IRFZ44N funcionaria igual sin tantos transsitores.... con solo ponerle una resistancia de 120 ohm entre Gate y el pin del pic, y otra de 10 K entre Gate y masa va como loco... Pero, parece que si la tension en la compuerta (Vgs) no es tan elevada (control con PICs => TTL => 5 V...) no se llega a abrir del todo la juntura D-S y el transitor de efecto de campo no estaria trabajando en sus mejores condiciones.

Entonces aparece este circuito "preamplificador"... que lo que logra es elevar la señal TTL del PIC a 10 V... es muy simple, pero mi pregunta es, ¿Sera necesario usar tantos transistores solo para eso? ¿Esta bien todo lo que deduje? En el caso que si, que lo mejor es alimentar Vgs con 10V o mas (no mas de 20V), ¿No se podria reemplazar tantos transistores, por uno solo y dos Zeners de 5V1... ?

16/09/2011 #2
Moderador general

Avatar de Fogonazo

Ese esquema no solo convierte los pulsos del PIC de 5 V a 12, sino que también mejora los tiempos de encendido y apagado del MOSFET para evitar que este trabaje durante la conmutación en zona lineal.
Podrías reemplazar ese arreglo, pero tu MOSFET calentara mas de lo debido.
16/09/2011 #3

Avatar de zopilote

Si lo quieres más simple, tendrias que usar mosfet con disparo ttl, estos solo nesecitan pulsos de cinco voltios para uso en pwm. Pregunta por los mosfet con logic level, como el irlz44n, irlr024 ó fds6690a etc.
16/09/2011 #4

Avatar de Haslick

Fogonazo dijo:
también mejora los tiempos de encendido y apagado del MOSFET para evitar que este trabaje durante la conmutación en zona lineal
Si... eso, ya lo habia escuchado tambien, pero vos sabes que no lo termino de entender... :S Podrias explayarte un poco mas en el tema? O en su defecto guiarme en que tema explica eso, dentro de que area estaria... no se, posta que no comprendo a que se refiere. Ojo, capas que son principios fisicos/electronicos que los se, pero solo no los estoy conectando.

Gracias por tu respuesta!
16/09/2011 #5
Moderador general

Avatar de Fogonazo

Los MOSFET poseen una capacitancia parásita entre GATE y SOURCE, esta capacitancia se carga y descarga a través de driver que maneja al MOSFET.
Esta capacitancia parásita junto con la resistencia serie, que limita la corriente que entrega el driver, y la propia impedancia de salida del driver crea una red RC de retardo.
Este retardo provoca que el MOSFET no pase de un estado a otro tan rápido como uno quisiera.
El cambio de estado se efectúa a través de la zona de trabajo lineal del MOSFET donde se comporta como una resistencia variable en función de la tensión que va aumentando o disminuyendo sobre GATE.
Esta transición progresiva provoca calentamiento extra sobre el dispositivo.
17/09/2011 #6


Dependiendo de la frecuencia PWM, para frecuencias altas el circuito esta bien si esta es F<1Khz seria r19, t16 y r18 el colector de transistor al gate del mosfet, el valor de r18 tiene que ser la mitad y conectado a +Vcc.
18/09/2011 #7

Avatar de spiritbreaker

hola esa resitencia de 33 ohmios que va enserriada al gate del mosfet ,,, no necesariamente debe ser de 1/2 watt*(alta potencia) , o si
Respuesta
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