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27/04/2009 #41

Avatar de Dr. Zoidberg

Estimado Zaiz:
Sinceramente, no se de donde sacas la idea de que pretendo dejarte mal parado frente a la comunidad. En realidad solo he tratado de discutir contigo sobre ciertas afirmaciones que has hecho basado en premisas que considero incorrectas, pero en todos los casos no lo has tomado como tal.

Si tu crees que es mi deseo el dejarte mal frente a todos los usuarios del foro, considero que estas equivocado, por que esto no deja de ser una discusión técnica para arribar a alguna conclusión válida que sea de utilidad para todos, pero si tu deseo es que cortemos acá está discusión, así lo haremos y no habremos conseguido otra cosa que no sea malgastar el tiempo.

En cuanto a la información que has posteado respecto a la lógica no saturada, hubiera sido interesante que dejaras las imágenes que has borrado en el libro que has escaneado para que podamos ver la correspondencia entre esa exposición y el modelo de Texas que has mostrado antes. En este último no utilizan diodos Schottky para evitar la saturación sino que muestran Transistores Schottky cuya juntura colector-base tiene un barrera Schottky que en virtud del escaso ancho de la zona de agotamiento prácticamente no almacena portadores cuando "satura" lo que le permite salir muy rápidamente de este estado a diferencia de una juntura PN convencional.

Esto ultimo lo escribo, no con el afán de mostrar nada acerca tuyo ni de tu respuesta anterior, sino solo para confirmar lo que dije un par de posts antes. En lo que a mí concierne, acá termina esta discusión tal como tu lo has propuesto.

Saludos y que estés bien...
27/04/2009 #42

Avatar de zaiz

Si es que esto era un debate, me basta con las pruebas que dí y que no recibí una sola en contrario.

De cualquier forma sigo participando con gusto y esperando que los integrantes de este foro nos llevemos bien.
En cuanto a mí, pondré de mi parte en los temas que sean objetivos y provechosos para todos.

Saludos.
27/04/2009 #43
Moderador


zaiz dijo:
electrodan: De acuerdo con tu comentario en que no tienes ganas de analizar el circuito, entonces no hay punto a discutir en ese caso y por mi parte está bien. No trato de convencer a nadie, solamente he contestado observaciones que me parecen fuera de lugar, de parte de algunos participantes en el foro.
Me refiero al circuito de salida (CI), no al del flip flop en general. Lo que no entiendo es eso de los schottky.
27/04/2009 #44

Avatar de Dr. Zoidberg

Y yo que presumo de tener mucha paciencia....hasta que se me salta la chaveta!

1- Aún cuando he tratado de contener mis expresiones para no dar rienda suelta a tu síndrome de persecución.
2- Aún cuando he soportado tu retórica para tratar de obtener algo bueno de este hilo.
3- Aún cuando te he mostrado, y no solo yo sino también Eduardo, que tus premisas eran erróneas y que lo siguen siendo.
4- Aún cuando he soportado que hicieras la suposición de que los transistores Schottky trabajaban en la zona lineal y que la resistencia de polarización de la etapa anterior los protegía, para luego hacer que llegaras tu mismo a la conclusión de la falsedad de tu idea sobre esta tecnología.
5- Aún cuando te has contradicho en gran parte de tus análisis.
6- Aún cuando usas para parafrasearme solo la parte de mis respuestas que se ajusta a lo que quieres decir, sacando de contexto las expresiones que he vertido y que le dan sentido a los párrafos.
7- Aún cuando he visto que tu régimen de diseño de una etapa de salida se basa en la corriente de cortocircuito (IOS) especificada y no en la IOL o IOH que garantizan el cumplimiento de los niveles de tensión requeridos por la tecnología (aunque espero que ahora que sabes que no hay tal protección comiences a cuidar un poco mas el diseño).
9- Aún con todo esto me dices:

zaiz dijo:
Si es que esto era un debate, me basta con las pruebas que dí y que no recibí una sola en
contrario
Yo solo te contesto:
1- No era un debate, era un tarado hablando con un mermo.
2- Nunca vas a recibir pruebas en contrario, por que todas las que has presentado son completamente inconsistentes.

Ya sé que no vas a aceptar esto último, tal como has hecho a lo largo del hilo, pero a esta altura de la historia no me importa en absoluto.

Que la fuerza te acompañe....
27/04/2009 #45

Avatar de zaiz

electrodan dijo:
zaiz dijo:
electrodan: De acuerdo con tu comentario en que no tienes ganas de analizar el circuito, entonces no hay punto a discutir en ese caso y por mi parte está bien. No trato de convencer a nadie, solamente he contestado observaciones que me parecen fuera de lugar, de parte de algunos participantes en el foro.
Me refiero al circuito de salida (CI), no al del flip flop en general. Lo que no entiendo es eso de los schottky.
electrodan, ya muy aparte de todo este rollo alucinante de opiniones tan variantes:

Voy a contestar aquí aunque me gustaría que hubiera otro tema dónde lo pudiera comentar.
Por lo pronto imaginemos que estamos tratando esto en otro, como le llaman varios aquí "hilo", o thread en inglés, al que yo le llamo "tema".

Lo de que el circuito de Texas es Schottky, es porque entre colector y base hay una barrera Schottky, metal-semiconductor, aquí los portadores mayoritarios son los que intervienen, eso contribuye mucho a que la unión sea más veloz. Y al contrario de una unión pn, donde los que intervienen son los portadores minoritarios. Además esta unión tiene un voltaje en directa casi como el del diodo de Germanio, y es de entre 0.2V y 0.4V, lo que hace que consuma menos potencia.
Y esta barrera lo que hace es que evita que el transistor entre en saturación, precisamente para eso se construye como Schottky.

Bien, en el circuito de que hablamos, el de Texas Instruments que posteé antes, tiene una resistencia de 9k, luego un transistor Schottky al que llamaré Transistor1, una resistencia de 1k y un diodo Schottky también al que llamaré Diodo1. Ahí es la salida.

Si yo le exijo más corriente de la debida al circuito, las uniones Schottky tanto del transistor1 como del diodo1, se polarizan directamente, lo que hace que a su vez el transistor cuya base está en la resistenica de 9K, se polarice directamente y se cierre como switch. Así que el transistor de salida que esta bajo la R de 120 ohms se polariza también directamente y entonces llega más corriente a la salida, debido a ello, las uniones de que arriba hablo, tienden a polarizarse inversamente y por lo tanto el transistor de salida se vuelve tender a abrir inmediatamente, pero no se llega a abrir porque el circuito que forman R9k, Transistor1 y Diodo1 no lo dejan, esto forma una retroalimentación que hace que el transistor de salida, el de arriba siempre tenga un voltaje dentro de la zona de saturación (además éste de salida no es tipo Schottky), pues el circuito de retroalimentación no lo deja salir de ese estado.

Como resultado, tengo el LED encendido y el transistor conduce muy apaciblemente, sin problemas.

Cuando la resistencia de salida se hace muy baja, es decir, se tiende al corto circuito a la salida, la corriente se va a cero (en ese caso de plano se apaga el led), pero el transistor de salida del que hablo sigue en su zona de saturación sin quemarse, como algunos argumentaban por aquí y esto gracias al circuito de retroalimentación del que hablo. Y obviamente no hay que mantener el corto, al menos en la práctica.

Así es como funciona el circuito.

Quien lo quiera comprobar lo puede hacer en un simulador, yo ya lo hice en livewire. Además sería muy buena práctica.

Otra cosa para quienes aparte quisieran opinar sobre esto, no me interesa poner en tela de juicio esta respuesta. No vengo a pedir aprobación. Pruébenlo y deduzcan. Con todo gusto participaría en otro "hilo".

Bueno, electrodan, espero que el tema haya quedado debidamente tratado y si quisieras comentar más al respecto, con todo gusto lo puedo hacer en otro "hilo" que desees, ya sin este conflicto de opiniones por el que se enreda todo el asunto.

Saludos.
27/04/2009 #46
Moderador general

Avatar de Andres Cuenca

Quien tiene la razón?, esa conclusión queda a criterio del lector.

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