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26/05/2010 #1

Avatar de DanNeil

Establecer la VGsoff y la IDSS de un FET.
Buenas tardes, repetados foristas, les pido su ayuda una vez más.

Debo establecer la tensión de estrangulación, Vgsoff y la Idss del JFET 2N5459, que es de canal N.

Mi problema es que veo en la tabla de la hoja comercial que para el 5459 la Vgs off va desde -2V hasta -8V, y la Idss de 4mA a 16mA, hice los promedios de cada una de las magnitudes, partí de 10mA y -5V y empecé a trabajar en el circuito de polarización.

Como saben, debo hallar que la solución positiva de la ecuación cuadrática para el valor de RD y que me de positiva y menor que la K1(la resistencia total de la malla D-S) que me determina la IdsQ al dividir la tensión total en estas resistencias por los valores de ellas mismas(RD yRS, con RD>RS). si RD es mayor a esa RS+RD no es posible trabajar en ese punto, pero con los promedios que usé no me da nada.

Vi un ejemplo, lo desarrollé y mecanicé , mas se me dijo que con Vgs off e Idss es suficiente, sólo que no sé cómo plantearlos y en simulación está terrible, ni me acerco a los resultados en papel.

Por favor alguien podría sugerirme un método para lograr establecer Idss y Vgsoff de un JFET a partir de la hoja comercial e dentificar cuando el transistor no puede trabajar en ese puntoQ.

Gracias de nuevo.
26/05/2010 #2


Respuesta: Establecer la VGsoff y la IDSS de un FET.
Bueno, te comento: como vos mismo pudiste ver, tanto la Idss como la Vgs(th) son enormemente variables, y por tanto no podés fiarte de ellos. Como en la mayoría de los circuitos polarizados la Vgs es de 1 o 2V, a la hora de estudiar el circuito de polarización se suele aproximar : Vs=Vg (Vgs=0).
Con el tema de la intensidad: la Idss es la corriente máxima que puede circular por el JFET. O sea: hacés Vgs=0 y ponés una Vds mayor a la Vp (Vp=-Vgs(off)); en esas condiciones, lo que hacés es hacer conducir al transistor al máximo. Por lo tanto, en el circuito no te conviene que la Id alcance la Idss. Si la Idss mínima es de 4mA, no hagas trabajar al JFET cerca de este valor (hacé la Id de 2mA o menos, por ejemplo), y así te asegurás cierto control de su funcionamiento.
A propósito, ¿Que polarización usás (con divisor de tensión, fuente partida, autopolarizado, fuente de corriente...)?

Saludos.
26/05/2010 #3

Avatar de DanNeil

Respuesta: Establecer la VGsoff y la IDSS de un FET.
Buenas tardes, yo utilizo el típico con cuatro resistores, R1yR2 en la entrda y RD yRS, fuente común en resumen, es sólo que llevé la Idss a 2mA en un intento y la Rd por la solucion positiva de la cuadrática no me deja trabajar con ese punto Q. y resulté con una VGS de -1.5V, considerando un Vgs off de -5V. corrijo par Idss menor de 2mA , es decir menos del 50% de IDSS?
Lo siento si es con divisor de tensión en FC, pero en el caso de que VG de que sea positiva, hallé que se aplica VGs=0 para recalcular y poner una sola RG.


Gracias , de nuevo.
26/05/2010 #4


Respuesta: Establecer la VGsoff y la IDSS de un FET.
Veamos: utilizás un JFET polarizado mediante un divisor de tensión, y lo configurás para que se comporte como surtidor común. Querés hacer trabajar el transistor en un punto Q particular, y no podés.
Si es así, dibujá una "recta de carga" (graficás la Id en relación a la Vds). O sea: graficá en un par de coordenadas la Vdrenador-surtidor máxima (eje x) y la Idrenador máxima (eje y) y luego unilos mediante una recta. Entonces corroborá que el punto Q que buscás se sitúa sobre esa recta. Si no es así, vas a tener que corregir los valores de Vds(max) e Id(max),hasta que la recta y el punto Q coincidan.
Este trabajo puede hacerse matemáticamente usando la 2º ley de Kirchoff sobre la malla de salida. En ambos casos, te evitás problemas matemáticos con la ley cuadrática.
Si no podés controlar el valor de Id, podés estabilizarlo polarizando el circuito con una fuente de corriente (consiste en un transistor bipolar y un par de resistencias adicionales, enviando una corriente fija al surtidor del JFET).

Saludos.
27/05/2010 #5

Avatar de DanNeil

Respuesta: Establecer la VGsoff y la IDSS de un FET.
Muchas gracias, voy a comenzar.
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