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22/09/2014 #1


hice pruebas con MOSFET y tengo dudas
buenos dias, les tengo una consulta :
estuve haciendo pruebas con MOSFET , nunca los habia usado, si bipolares.
bueno, en general se comportaron como es debido , pero me asaltaron unas dudas.

les confieso que use MOSFET canal N que tenia , algunos eran sacados de fuentes de PC.

el asunto es que la Vfuente - drenaje de on o saturacion es alta, mire la data y efectivamente, eran MOSFEET con una resistencia de on de unos 10 ohms o mas.
ser, es lo que decia la data, asi que no hubo sorpresa.

(justo ahora no tengo encima los codigos) .
MI DUDA:
por que son tan famosos los MOSFET ?? si al final , 10ohms es un monton , para saturacion , con 2 amper tengo 20 v de caida y 40 w de potencia en el pobre.

se que hay de Ron de o,o8 ohms encontre alguno en las datas, y ya habia leido aca que siempre decian eso, : su baja resistencia de on .
pero entonces , ¿ para que son estos ??
los de fuente de PC .
o vi varios codigos con R.on altas.
lo que si no te , o me parecio notar es que los MOSFET de alta tension (400v por ejemplo) tienen R.on mas altas que los de baja tension (40v por ejemplo) .
o sera justo los codigos que mire en la data ? ?casualidad ??

en fin, mi duda, la repito por si soy confuso:
MOSFET de una fuente de PC , para que se usa ?? tiene una R. on alta, no entiendo .
dice que es para 5 amper , pero me parece ilogico, ya que con una R. on de 10 ohms , si le hago pasar 5 amper caeran 50v .
no es nada switching eso .

orientenme en que me equivoco en mis conceptos.
gracias.
22/09/2014 #2
Moderador general

Avatar de DOSMETROS

Hay muchísimos Mosfets con Ron de 0,01 Ohm
22/09/2014 #3

Avatar de fdesergio

Ron de 10 ohmios?? que raro, cual es ese?' estas seguro???
22/09/2014 #4


gracias,, aca traigo los datos, fue un poco exagerado :

irf840 con 0,85 ohms de on.
2N60 con 5 a 6 ohms de on .
estos son los que use.

mirando datos de vendedores el irfz24n dice ser de 0,07 ohms en on y 55v con 17 amper
de 400v no vi de menos de 1 ohm .

los que yo probe como ser el 2n60 ¿ para que se usa ??
incluso el irf840 que me da para 3 amper una caida de tension de unos 2,5v , esos se usan en switching ??
el 2n60 era de una fuente, pero no lo veo muy switching .

muhas gracias
23/09/2014 #5

Avatar de ViCtorA

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los MOSFET, la corriente de salida es controlada por la tensión de entrada. En este caso no existe corriente de entrada.

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a los transistores bipolares:
- Consumo en modo estático muy bajo.
- Tamaño muy inferior al transistor bipolar.
- Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
- La velocidad de conmutación es muy alta, del orden de nanosegundos.

Resistencia de Conducción:
Al estar encendido, el MOSFET presenta un comportamiento resistivo entre el drenador y la fuente, el cual se define por el parámetro Rds, este valor varía según las condiciones de operación.



La figura anterior muestra la relación entre la corriente de drenador (ID) y el voltaje entre el drenador y la fuente (VDS) de un MOSFET, para diferentes valores de tensión en la compuerta (VGS). La pendiente de la curva define la resistencia RDS. Para un valor dado de VGS se observa un comportamiento lineal, es decir resistivo, hasta el punto en que el canal formado se ocupa a plena capacidad, limitando la corriente y aumentando la potencia disipada por el transistor.

Debido a lo anterior, es fundamental la aplicación de una tensión de compuerta apropiada para la corriente que se requiere, de modo de minimizar las pérdidas de conducción.

Otro factor a considerar, para determinar las tensiones usadas en los disparos de un MOSFET, es el voltaje de umbral en la compuerta. Dicho umbral corresponde a la tensión mínima necesaria para formar el canal, por lo que una señal de apagado debe estar bajo este umbral y una de encendido sobre el mismo.
23/09/2014 #6


Es así, para altas tensiones drenador-surtidor, los MOSFET's tienen mayor resistencia. Es por eso que para trabajar con altas tensiones y altas corrientes se utilizan IGBT en su reemplazo.

Como normalmente las fuentes switching de PC's no requieren tan alta corriente en el primario, por ejemplo, una fuente de 300W requiere sólo 1A si se alimenta de 220VAC no es tan importante que la resistencia del MOSFET sea del órden de algunos ohms (1-5ohm).

En cambio, si necesitás mayor potencia (>1000W) ya los MOSFET's dejan de ser útiles y se pasa a IGBT donde tienes una tensión colector-emisor del órden de 2V y la entrada de alta impedancia.
23/09/2014 #7


MUCHISIMAS GRACIAS la explicacion me ayudo mucho.
entonces los mosfet de las PC no son de lo mejor en calidad por lo visto .

voy a comprarme algunos de los de muy baja resistencia en ohm asi los pruebo .

de nuevo MUCHAS GRACIAS me fue muy util.
23/09/2014 #8


Yo creo que no hay una regla general, que si es para alta tensión o baja, sin ir mas lejos el 6n60 usado en los tv's es de 600V y el Rds es de 1.5ohms.
23/09/2014 #9


Hola a todos , devemos recordar que la alta corriente fornida por una fuente comutada NO nesesariamente passa por lo MosFet de comutación , quando lo MosFet comuta en lo primario del transformador de chaveamento , hay altas tensiones con bajas currientes , asi lo RDSon puede sener de algunos Ohmios sin problemas algun. Haora conversores DC/DC sin ayslamento galvanico ( sin transformador , solamente inductores) la curriente pasa por lo MosFet , asi ese tipo tiene que tener un RDSon lo mas bajo possible para NO tenermos perdidas.
!Fuerte abrazo desde Brasil!
Att.

Daniel Lopes.
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