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18/06/2014 #1


Tension Vce puede ser menor que Vbe?
En un transistor en saturacion, puede la tension Vce = 0.37v, mientras la Vbe = 0.76v?

Pensaba que la tension Vce podia ser igual o mayor a Vbe, pero no que esta primera llegue a ser menor. Esto es asi? es posible en un transistor funcionando perfectamente nuevo, que funcione asi? Esos son los valores que me dan en un cargador que estoy diseñando. Si me dicen que si, entonces voy a entender porque en el datasheet me dice exactamete esa tencion cuando tiene que estar en saturacion.
18/06/2014 #2

Avatar de Daniel Meza

Claro que si es posible, de hecho en circuitos digitales es muy buscado que VCEsat sea muy bajo para reducir la disipación de potencia en el transistor. Y como dices ese parámetro viene en la hoja de datos como VCEsat y te suelen dar los valores en función de la corriente de colector Ic
18/06/2014 #3


muchas gracias entonces.
Solo que no comprendo internamente como puede ser que esto ocurra, si analizamos la analogia de los transistores de dos diodos contrapuestos:



el primer diodo seria Vcb y el segundo Vbe... por lo tanto, Vce seria la suma de ambas caidas, y por eso pense lo que pensaba (Vce seria, como minimo, el valor de Vbe) . pero bueno, sera hasta el dia en que me dedique a ver como exactamente funciona para comprender como esto ocurre.
18/06/2014 #4


Yo tambien tenia problemas tratando de entender hasta que un dia no se como entendí que, mientras mas baja sea la caida de tensión en un semiconductor quiere decir que es mas conductor, piensalo así, si la caida de tensión fuese 0V (caso hipotetico) significa que es una superfice equipotencial, osea un conductor ideal. Si la caida es muy alta quiere decir que es un switche abierto, si tiene un valor finito muy bajo, decimos que la union se ha saturado y que la disipación de potencia en este punto es minima.
18/06/2014 #5

Avatar de chclau

Cuando el transistor esta saturado la juntura Vcb esta levemente polarizada en directa, (a aprox. 0.4V), o sea que se resta de Vbe~ 0.7V, de ahi que Vce ~ 0.3V.

El modo normal de funcionamiento del BJT es con Vcb en inversa. Solo cuando esta saturado queda polarizada en directa. En realidad, un transistor saturado ya es muy poco "transistor". La causa principal del comportamiento del transistor como tal es la modulacion del ancho de la base por la juntura cb que esta normalmente en inversa, cuando esa juntura esta en directa el transistor ya casi no se comporta como transistor y su ganancia se reduce generalmente en un orden de magnitud, por ejemplo, de 100 en zona activa a 10 en saturacion.
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