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21/11/2015 #4101

Avatar de diegomj1973

ejtagle dijo: Ver Mensaje
Si fuera un par diferencial para amplificar audio, te daría toda la razón. Pero, en este caso, simplemente es un conversor de nivel de desbalanceado a balanceado.
A lo que me refería como una más adecuada solución técnica que esas dos resistencias de 10 K era justamente la opción que ud. mencionó de cascodear la salida de esos dos colectores del par diferencial . La misma solución es posible también para la salida de la fuente de corriente constante que alimenta al par diferencial.

En cuanto al ruido introducido por esas resistencias en esos puntos (por más que sea en el camino de una señal digital de alta frecuencia), personalmente evitaría por todos los medios introducir "batidos" adicionales al asunto. Recuerde que una simple resistencia en cada uno de esos puntos se puede convertir en una hermosa antena, si es recorrida por una señal de HF (no es lo mismo una resistencia física que la dinámica presentada por la salida de un transistor para una señal de HF!!!). Es más, sería más interesante que largas explicaciones técnicas y posturas, una visualización con osciloscopio del cambio que pueda suscitarse con o sin esas resistencias. ¿No cree?

Saludos
21/11/2015 #4102


diegomj1973 dijo: Ver Mensaje
A lo que me refería como una más adecuada solución técnica que esas dos resistencias de 10 K era justamente la opción que ud. mencionó de cascodear la salida de esos dos colectores del par diferencial . La misma solución es posible también para la salida de la fuente de corriente constante que alimenta al par diferencial.

En cuanto al ruido introducido por esas resistencias en esos puntos (por más que sea en el camino de una señal digital de alta frecuencia), personalmente evitaría por todos los medios introducir "batidos" adicionales al asunto. Recuerde que una simple resistencia en cada uno de esos puntos se puede convertir en una hermosa antena, si es recorrida por una señal de HF (no es lo mismo una resistencia física que la dinámica presentada por la salida de un transistor para una señal de HF!!!). Es más, sería más interesante que largas explicaciones técnicas y posturas, una visualización con osciloscopio del cambio que pueda suscitarse con o sin esas resistencias. ¿No cree?

Saludos
Sospecho que el nivel de ruido introducido sería infimo comparado con el nivel de la señal presente en ese punto (una onda cuadrada de 0-10v aproximadamente), por lo que sería muy dificil de visualizar en un osciloscopio ... Dada la histéresis presente en las entradas del IR2110, en el único lugar donde el ruido podría afectar, sería en los flancos de subida y de bajada de la señal, lo que se trasladaría a jitter en el tiempo de conmutación exacto de los mosfets. Aún así, si suponemos un tiempo de subida de la señal de 10nS en la entrada del IR, la incertidumbre generada por el ruido (que pongamos fuera de 10mV, que me parece un tanto exagerado) sobre un escalón de 10v, sólo sería del 1/1000 de 10nS, o sea, 1pS, que resulta literamente despreciable en comparación con otros problemas que podría tener el circuito.

Básicamente, no digo que no exista, sino que no es significativo en este caso.
Si hablamos de ideales, antes de este diseño, hice otro que también creo que llegué a postear, con un driver discreto de mosfets que era muy mucho más rápido que el IR: En ese caso, efectivamente hubiera sido significativo.

Lamentablemente, el diseño a transistores puros llegó a ser una pesadilla de armar, por la dispersión en la disponibilidad de los componentes que es posible conseguir por acá, y por eso me decanté por el diseño con el IR2110, que tiene peor performance en distorsión, pero es mucho más sencillo de hacer funcionar...

Adjunto dos capturas, probé hacer una simulación para ver qué tan importante es la demora y cómo es afectada por los cambios propuestos al circuito: Lo gracioso es que el circuito con las resistencias de 10k es el que mejor funciona, aunque, es el que más demora tiene...

El retardo de propagación, según el simulador, es de 25nS para el circuito original, 33nS para el mismo circuito, pero con la corriente de la fuente de corriente reducida, 47nS para el circuito con las resistencias de 10k, y 31nS para la versión cáscoda.

El tiempo lo mido desde el inicio de la transición de la forma de onda del generador de entrada hasta que la salida que maneja al IR alcanza los 9.5v, que es cuando el IR detecta un 1 lógico..

Las conclusiones de la simulación son bastante raras: El circuito original es el más rápido, pero la señal tiene cierta inestabilidad (oscilación) que sospecho es debida a que la impedancia de la fuente de señal es asímetrica, dado que una de las entradas ve 470 ohms, y la otra ve un corto a masa... Luego le sigue el circuito cáscodo, luego sigue disminuir la corriente de la fuente de corriente, y finalmente sigue el circuito con las resistencias intercaladas de 10k, que es el que más estable parece, pero el más lento...

Para quitarme las dudas, le agregué una resistencia en la base (la otra entrada del par diferencial) que iguale las impedancias, y efectivamente,--sorpresa, sorpresa-- la inestabilidad se va... Las formas de onda se ven mucho mejores, pero la velocidad empeora (en el mismo orden que antes, me da 40nS, 51nS, 69nS y 42nS) .. ¿ Una mejora para la próxima versión, talvez ?

Adjunto capturas de diagramas, de formas de onda, y el archivo fuente para duplicar la simulación en LTSpice IV.

Aún así, desde el punto de vista del menor sobrepasamiento, la versión con las resistencias de 10k parece ser la mejor, 15nS más lenta que la versión cáscoda, pero la más estable, aún más que el circuito original... sorpresa, sorpresa... (yo no me lo esperaba tampoco! )

PD: Algo extraño pero útil que tiene este circuito, es que introduce una suerte de "demora al encendido" que ayuda a prevenir la conducción cruzada. Especulo con que talvez sea un retardo al "encendido" de los transistores del par diferencial, ya que los mismos trabajan al corte y a la conducción lineal, y hasta que la tensión de base alcanza los 0.7v, para un tiempo que es el que se ve como "tiempo muerto"... Es una característica interesante de este circuito...

PD2: Los capacitorcitos de 1pf simulan la capacidad de entrada del IR...

PD3: Yo hubiera esperado que la solución cáscoda fuera la más rápida de todas, pero no lo es.. Se ve que tratándose de transistores de baja señal, donde la excursión de tensión de colector es muy limitada, y donde la impedancia de salida del generador (470 ohms) es muy chica, no juega un papel tan importante como pudiera pensarse inicialmente el efecto miller

PD4: Un detalle más... En la versión con resistencias de 10k, hay un poco de sobrelapamiento en las tensiones de entrada al IR. No está completamente en 0 v cuando la tensión de la entrada opuesta comienza a subir. Para quitarme la duda, ese cruce se produce a los 3v , que para el IR ya es 0 lógico. En realidad, cualquier tensión inferior a 6v es 0 lógico para el IR, por lo que el "deadtime" introducido por este circuito con las R de 10k sería del orden de 20nS aproximadamente, realmente ideal...
21/11/2015 #4103

Avatar de diegomj1973

Resultan interesantes los cuatro escenarios que ha comparado y simulado.

Es llamativo que dé más lento con las resistencias de 10 K dispuestas entre cada colector del par diferencial y esas resistencias de 2K2, siendo que la corriente que proviene de cada colector no se vería modificada teóricamente con el agregado de esas mismas, si el voltaje de alimentación y los parámetros vinculados a la situación particular lo permiten. La capacidad parásita de cada entrada del IR "ve" 2K2 en un sentido y "ve" una fuente de corriente hacia un colector en otro sentido (para descarga/carga, respectivamente). Obviamente, a la fuente de corriente vista hacia cada colector hay que sumarle esos 10 K (que en condiciones ideales no influirían en los resultados finales, por ser ésta infinita). Ambos tiempos deberían resultar bien diferentes y, también, las formas de acumularse esos mismos tiempos (rampa lineal en un caso y exponencial en otro caso).

La sospecha que tengo es que la impedancia vista hacia cada colector (viéndolo desde cada entrada del IR hacia cada colector del par) no sea tan grande como uno la espera (calculo en torno a unos 11,36 K aprox., según mis gruesos tanteos, acorde a la relación de incremento de tiempos de 25 nS a 47 nS, que no es poco cambio). El problema es que si cada colector no se comporta ya como una verdadera fuente de corriente (en cuanto a los parámetros característicos), alguna incidencia negativa puede esperarse al agregar esas resistencias.

¿Sería posible contrastar los resultados de las simulaciones contra los de situaciones prácticas?. Yo no tengo armado el circuito, por lo cual me resultaría imposible medirlo.

Imagínese que hay muchas cosas que a un simulador se le escapa, por más que incorporemos la mayor cantidad de variables posibles.

Recuerde que es un diseño más cercano a los cuidados propios de RF que a los de BF.

Saludos
21/11/2015 #4104


diegomj1973 dijo: Ver Mensaje
Resultan interesantes los cuatro escenarios que ha comparado y simulado.

Es llamativo que dé más lento con las resistencias de 10 K dispuestas entre cada colector del par diferencial y esas resistencias de 2K2, siendo que la corriente que proviene de cada colector no se vería modificada teóricamente con el agregado de esas mismas, si el voltaje de alimentación y los parámetros vinculados a la situación particular lo permiten. La capacidad parásita de cada entrada del IR "ve" 2K2 en un sentido y "ve" una fuente de corriente hacia un colector en otro sentido (para descarga/carga, respectivamente). Obviamente, a la fuente de corriente vista hacia cada colector hay que sumarle esos 10 K (que en condiciones ideales no influirían en los resultados finales, por ser ésta infinita). Ambos tiempos deberían resultar bien diferentes y, también, las formas de acumularse esos mismos tiempos (rampa lineal en un caso y exponencial en otro caso).

La sospecha que tengo es que la impedancia vista hacia cada colector (viéndolo desde cada entrada del IR hacia cada colector del par) no sea tan grande como uno la espera (calculo en torno a unos 11,36 K aprox., según mis gruesos tanteos, acorde a la relación de incremento de tiempos de 25 nS a 47 nS, que no es poco cambio). El problema es que si cada colector no se comporta ya como una verdadera fuente de corriente (en cuanto a los parámetros característicos), alguna incidencia negativa puede esperarse al agregar esas resistencias.

¿Sería posible contrastar los resultados de las simulaciones contra los de situaciones prácticas?. Yo no tengo armado el circuito, por lo cual me resultaría imposible medirlo.

Imagínese que hay muchas cosas que a un simulador se le escapa, por más que incorporemos la mayor cantidad de variables posibles.

Recuerde que es un diseño más cercano a los cuidados propios de RF que a los de BF.

Saludos
En realidad, por ahora no tengo demasiado tiempo para armar en forma práctica esta parte del circuito y medirlo, pero sin embargo, mi experiencia con el simulador y los modelos de BJT (no así con los mosfets) ha sido siempre excelente, y esperaría obtener los mismos resultados.

Creo saber cuál es la razón de las formas de onda, y las influencias de las resistencias, pero vamos por orden.

Por el tema de la forma de la subida y bajada de la tensión sobre las entradas del IR, coinciden exactamente con lo que yo esperaría. Si sacas el equivalente thevenin de la fuente de corriente y la resistencia de 2k2, te dará una fuente de tensión con una resistencia en serie de 2k2, que carga y descarga un capacitor de 1pF. Es exactamente la forma de onda que estamos obteniendo... Hasta ahí, todo bien...
Ahora, hay un detalle interesante, que se ve en el simulador... La fuente de corriente no es totalmente estable.. Se ve una una variación transitoria de 500nA en el momento de la conmutación...Es decir que la impedancia de salida de la fuente de corriente no es infinita ni de casualidad.. Aún así, eso no debería causar las formas de onda tan "raras" que se ven...
Pero, hay una razón más que explica todo, y es interesante, porque, al menos a mí, al salir de la facultad, tenía una idea de cómo funcionaban los circuitos que luego ha ido cambiando con el tiempo, y supongo que al que lee le pasará lo mismo.

Todos los análisis que nos enseñan, son siempre de pequeña señal, es decir, un modelo simplificado, pero resulta ser que ese modelo no es válido para todo uso, sino que sólo sirve para cuando los transistores están trabajando en región lineal.

Bueno, estos transistores del par diferencial no trabajan en región lineal, ese es el detalle, sino que conmutan entre región lineal y estar completamente despolarizados... ¿ Cómo puede ser ? ... Fijense que la unión base-emisor de los transistores del par diferencial por una de ellas circula corriente (5mA) y por la otra circula... 0!! .. Es decir, que un transistor está en región lineal, y el otro está cortado. No sólo está cortado uno de ellos, sino que su unión base-emisor está polarizada en inversa, esencialmente a -2.6v (los 3v de excursión de la salida del LM311)... Y un diodo polarizado en inversa, qué es ? ... Es un capacitor variable (diodo varicap!) ... Súmenle a eso que la ganancia del transistor es variable (menor corriente base emisor, menor ganancia), y verán que cuando queremos sacar al transistor, digamos, encenderlo desde estar apagado, necesariamente tendremos un retardo (descarga del capacitor de la juntura base emisor, más ir pasando por toda la curva del diodo de la unión base emisor). El resultado de toda esa parafernalia de alinealidades es extremadamente complicado de predecir con cálculos manuales... La única forma es usar las ecuaciones y modelo real del transistor, y un simulador. Y al hacerlo, obtendremos las formas de onda que estamos viendo.
¿ Porqué al agregar resistencias se pone más lento ? -- Por todas esas capacidades "parásitas" que tienen los diodos que componen el transistor .. Para que el transistor empiece a conducir, hay que cargarlas o descargarlas. Los circuitos a transistores son naturalmente asimétricos, porque son diodos en el fondo. El emisor de un transistor PNP puede "tirar" o bajar la tensión hacia abajo (opera como seguidor de emisor), pero no puede subir la tensión, en el caso de este circuito, depende exclusivamente de la fuente de corriente...

La verdad, es un tanto demasiado complejo para mi gusto, pero para eso se hicieron los simuladores

PD; Si ejecutan la simulación y ven la corriente de emisor, verán que en un momento se hace negativa... Esa es la corriente que está descargando el "capacitor" formado por la juntura inversa... También se ve el efecto miller y todas las alinealidades que suponemos que están ahí.. Realmente abre la cabeza de los que nos hemos dedicado a hacer diseño de circuitos a transistores ... :O
22/11/2015 #4105

Avatar de Quercus

Una modificación rápida hecha con photoshop, para poder integrar todas las resistencias implicadas en el cambio, encima de la placa de forma vertical. Asi quedaría mas presentable aunque se puede afinar mas.

Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: png Modificacion 2.png (101,6 KB (Kilobytes), 554 visitas)
22/11/2015 #4106

Avatar de diegomj1973

ejtagle dijo: Ver Mensaje
La fuente de corriente no es totalmente estable.. Se ve una una variación transitoria de 500nA en el momento de la conmutación...Es decir que la impedancia de salida de la fuente de corriente no es infinita ni de casualidad..
Queda manifiesto que la impedancia no es ni tan grande ni constante durante la transición de la conmutación, porque estamos en condiciones dinámicas más que estáticas. En el fondo, están haciendo su efecto todas las capacidades interelectródicas (más las formadas por la polarización transitoria que va sufriendo el transistor durante la conmutación, que también las hace fluctuar durante ese proceso). Es por eso que sostengo que la mejor forma de apoyarse en lo que pueda suceder verdaderamente en esa transición es observando un oscilograma de una situación "real" (que es lo que verdaderamente resulta concluyente).

Personalmente, después de haber empleado durante muchos años la simulación para inicializar el desarrollo de mis cosas, siempre termino llevándome sorpresas a la hora de la implementación (y no es necesariamente por haber obviado un montón de consideraciones en la etapa de diseño asistido).

Como anécdota, en una ocasión me sucedió que buscando el mejor esquema de una fuente de corriente constante para un amplificador, resulta que llego a plantear en un simulador uno particular que tenía por lejos el mejor desempeño de todos (y ohhh!!! casualidad lo encuentro también planteado por un forista en el prestigioso foro DIYAUDIO). Conclusión: en la práctica, ni siquiera funciona tal cual está planteado y supuestamente funcionando todo OK en el simulador.



Esos son los esquemas del forista y aquí el thread correspondiente:

http://www.diyaudio.com/forums/solid...-best-ccs.html

Incluso, unos posts después, le aviso de la situación.

La fuente en cuestión es la última de la derecha. Como podrá ver, el desempeño es excelente peeero, cuénteme si se puede armar . Con ésto quiero decirle que un simulador lo puede todo, pero la palabra final la tiene la realidad, que muchas veces puede resultar muy diferente a lo predicho.

Otro caso muy renombrado es una simulación de un amplificador simétrico que Randy Slone (personaje conocido en el mundo del audio) planteó en nada menos que un libro reeditado no sé cuántas veces. El amplificador en cuestión funciona de maravillas según las simulaciones planteadas y ni siquiera puede ser implementado en la práctica.

Aquí unos de los threads:

http://www.diyaudio.com/forums/solid...-troubles.html

Saludos
22/11/2015 #4107

Avatar de Dr. Zoidberg

Fijate que el Ing. Tagle esta hablando de capacidades de 1pf pero a la frecuencia de operacion de este ampli (mas las armonicas) las pistas del PCB tienen inductancias del orden de los 10nHy por cm (o mas) y capacidades casi del mismo orden que las que estas teniendo en cuenta en los semiconductores.
En esas condiciones es seguro que vas a tener diferencias significativas con el simulador, pero el analisis es completamente valido, y lo podes acercar a la realidad si consideras estos valores que estan distribuidos en el PCB.
22/11/2015 #4108

Avatar de diegomj1973

Dr. Zoidberg dijo: Ver Mensaje
Fijate que el Ing. Tagle esta hablando de capacidades de 1pf pero a la frecuencia de operacion de este ampli (mas las armonicas) las pistas del PCB tienen inductancias del orden de los 10nHy por cm (o mas) y capacidades casi del mismo orden que las que estas teniendo en cuenta en los semiconductores.
En esas condiciones es seguro que vas a tener diferencias significativas con el simulador, pero el analisis es completamente valido, y lo podes acercar a la realidad si consideras estos valores que estan distribuidos en el PCB.
Es muy obvio que existen todos esos parámetros distribuidos por todo el circuito (y, muy posiblemente, algunos más que ni imaginemos). Lo verdaderamente complicado es integrar todos esos parámetros en la simulación para que denote una respuesta lo más similar a una situación real. Vamos... que en la práctica muy pocos lo hacemos (por la complicación y limitación técnica que eso nos representa, que muy pocos admitimos no saberlo y que muy pocos conocemos) y tampoco es muy necesario hacerlo en determinadas circunstancias (por tiempo invertido => dinero; practicidad, etc.). El camino más fácil y concreto es la medición real de la situación.

Y no le resto validez a la simulación planteada (la veo perfecta), solo que sostengo y, el Ing. lo reconoce también, que hay cosas que superan a una necesidad práctica de la implementación en cuestión. Al fin de cuentas, ¿quién se va a complicar con todas esas especulaciones técnicas de lo que podría estar sucediendo internamente en las junturas de un transistor (de la que seguro nunca vamos a estar completamente convencidos si realmente sucede así), si con una simple medición lo puedo estar validando o refutando?
22/11/2015 #4109


diegomj1973 dijo: Ver Mensaje
Es muy obvio que existen todos esos parámetros distribuidos por todo el circuito (y, muy posiblemente, algunos más que ni imaginemos). Lo verdaderamente complicado es integrar todos esos parámetros en la simulación para que denote una respuesta lo más similar a una situación real. Vamos... que en la práctica muy pocos lo hacemos (por la complicación y limitación técnica que eso nos representa, que muy pocos admitimos no saberlo y que muy pocos conocemos) y tampoco es muy necesario hacerlo en determinadas circunstancias (por tiempo invertido => dinero; practicidad, etc.). El camino más fácil y concreto es la medición real de la situación.

Y no le resto validez a la simulación planteada (la veo perfecta), solo que sostengo y, el Ing. lo reconoce también, que hay cosas que superan a una necesidad práctica de la implementación en cuestión. Al fin de cuentas, ¿quién se va a complicar con todas esas especulaciones técnicas de lo que podría estar sucediendo internamente en las junturas de un transistor (de la que seguro nunca vamos a estar completamente convencidos si realmente sucede así), si con una simple medición lo puedo estar validando o refutando?
Estoy de acuerdo, no es voluntad de medirlo ... De hecho, tengo el instrumental necesario para hacerlo, es sólo carencia de tiempo ... porque "parece" fácil, pero montarlo en un protoboard no es válido, por todas las capacidades distribuidas que le agregaría. Para hacerlos bien, realmente habría que hacer una plaqueta... O montar todo en el aire.

Tenés razón que la realidad usualmente es ligeramente distinta al simulador, pero, aunque no es garantía, que en el simulador ande, es un posible buen indicador de funcionamiento correcto en la realidad.

Ahora, si queremos hilar muy, muy fino (como es el caso de optimizar una fuente de corriente, u optimizar para PSRR), no hay nada que sustituya las pruebas de laboratorio reales...

Yo uso el simulador como una forma de "visualizar" lo que con cálculos manuales se pierde... No es exactamente la realidad, pero se acerca mucho más que los cálculos teóricos que se puedan hacer...

Mi experiencia con los modelos del simulador versus los componentes reales, es que si se compran componentes exactamente de la marca y tipo en los que se basó el modelo, da muy cerca... Ahora, comprando transistores chinos, es cualquier cosa (y en la realidad también, repetibilidad 0 en el caso de diseños analógicos!)
22/11/2015 #4110

Avatar de diegomj1973

Tal cual ud. lo dice así sucede .

En mi caso, la comodidad y apoyo que ofrece un simulador es incalculable y, muchas veces, puede más contra la pereza de armar físicamente un circuito y corroborarlo.

Es más, me he llevado muchas veces sorpresas aún con el menor puñado de componentes, donde uno esperaría la mayor exactitud de predicción.

Saludos
22/11/2015 #4111


ejtagle dijo: Ver Mensaje
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Para quitarme las dudas, le agregué una resistencia en la base (la otra entrada del par diferencial) que iguale las impedancias, y efectivamente,--sorpresa, sorpresa-- la inestabilidad se va... Las formas de onda se ven mucho mejores, pero la velocidad empeora (en el mismo orden que antes, me da 40nS, 51nS, 69nS y 42nS) .. ¿ Una mejora para la próxima versión, talvez ?
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PD4: Un detalle más... En la versión con resistencias de 10k, hay un poco de sobrelapamiento en las tensiones de entrada al IR. No está completamente en 0 v cuando la tensión de la entrada opuesta comienza a subir. Para quitarme la duda, ese cruce se produce a los 3v , que para el IR ya es 0 lógico. En realidad, cualquier tensión inferior a 6v es 0 lógico para el IR, por lo que el "deadtime" introducido por este circuito con las R de 10k sería del orden de 20nS aproximadamente, realmente ideal...
Perdon pero me perdí en alguna parte de todas estas explicaciones, Ing Tagle ud recomienda la colocación de dichas resistencias de 10k + 470R para en vez de reducir la corriente del par diferencial?

Ese aumento de tiempo de dispersión en las entradas del IR no aumentará la distorsión?
Muchas Gracias!
Si es así lo implementare y comentaré resultados!
22/11/2015 #4112


djnanno dijo: Ver Mensaje
Perdon pero me perdí en alguna parte de todas estas explicaciones, Ing Tagle ud recomienda la colocación de dichas resistencias de 10k + 470R para en vez de reducir la corriente del par diferencial?

Ese aumento de tiempo de dispersión en las entradas del IR no aumentará la distorsión?
Muchas Gracias!
Si es así lo implementare y comentaré resultados!
Sólo para una alimentación de +/-90v, para menos no... y en realidad, es sólo para disminuir la disipación en los transistorcitos. El valor específico depende de la tensión de alimentación... para menos de 90v hay que reducir sí o sí el valor, porque el circuito dejaría de funcionar sino...

Si no tienes problemas de temperatura en los transistorcitos, simplemente no lo hagas...
22/11/2015 #4113


Ing. para +-45V (la mitad en cada rama) se reducirían a la mitad su valor o no es tan así?

Gracias..
22/11/2015 #4114


crazysound dijo: Ver Mensaje
Ing. para +-45V (la mitad en cada rama) se reducirían a la mitad su valor o no es tan así?

Gracias..
Para +/-45v no vale la pena poner esas resistencias
23/11/2015 #4115

Avatar de Quercus

Ratmayor dijo: Ver Mensaje
Don Quercus, excelente lo que está armando, pero para esas potencias salvajes, yo usaría el FAN7392 en lugar del IR2110

Compré un lote de IR2110 y de FAN7392 que deben llegar en unos 15 días, quiero experimentar que tal me va si en lugar del LM311, uso el LT1016, así podría eliminar el dolor de cabeza de los BJT...

Saludos...
Muchas gracias Ratmayor, quedo pendiente de esos experimentos.
He investigado existencias del FAN7392 tendria que ser en Mouser a 1,57€ comprando 10 unidades.

Tambien lo he visto en RS para soldar SMD practicamente a mitad de precio. Segun comento Ejtagle es compatible con IR2110 pin a pin, pero he visto que trae 16 patas. http://es.rs-online.com/web/p/driver...osfet/7396103/
23/11/2015 #4116


quercus10 dijo: Ver Mensaje
Muchas gracias Ratmayor, quedo pendiente de esos experimentos.
He investigado existencias del FAN7392 tendria que ser en Mouser a 1,57€ comprando 10 unidades.

Tambien lo he visto en RS para soldar SMD practicamente a mitad de precio. Segun comento Ejtagle es compatible con IR2110 pin a pin, pero he visto que trae 16 patas. http://es.rs-online.com/web/p/driver...osfet/7396103/
La versión en encapsulado SOP del FAN7392 tiene algunas patas sin conexión extras en relación a la versión DIP, y además soporta menos disipación (1.3W la versión SOP, versus 1.6W la versión DIP)

No encontré en la hoja de datos cómo calcular la disipación versus carga de gate/frecuencia de conmutación, tensión de operación del puente, por lo que me es complicado estimar si esos 0.3W de menos son relevantes o no...

Saludos
24/11/2015 #4117


ejtagle dijo: Ver Mensaje
No encontré en la hoja de datos cómo calcular la disipación versus carga de gate/frecuencia de conmutación, tensión de operación del puente, por lo que me es complicado estimar si esos 0.3W de menos son relevantes o no...

Saludos
Una pregunta ing, que tan "aplicable" es el cálculo que proporciona IR para calcular la disipación drivers integrados y resistencias de gate(Application Note AN-978)? Estuve revisando los cálculos en el paper y con los MOSFET IRFB4227 10ohm de rg estaria más que sobrado para operarlos y que la disipación del driver sea aceptable. Que opina ud?
26/11/2015 #4118


djnanno dijo: Ver Mensaje
Una pregunta ing, que tan "aplicable" es el cálculo que proporciona IR para calcular la disipación drivers integrados y resistencias de gate(Application Note AN-978)? Estuve revisando los cálculos en el paper y con los MOSFET IRFB4227 10ohm de rg estaria más que sobrado para operarlos y que la disipación del driver sea aceptable. Que opina ud?
Es una aproximación válida. La app note da una buena idea de lo que sucederá, y la podés usar tranquilamente.

La única cosa que se le ha criticado al diseño siempre (desde el punto de vista técnico) ha sido el tiempo de conmutación del diodo inverso que tienen los mosfets adentro (especialmente el IRFP250/260)

Yo siempre tuve la teoría que, dado el tiempo muerto tan pequeño que tiene el circuito, ese diodo no alcanza a conducir nunca, por lo que el tiempo de conmutación es irrelevante, pero, el IRFB4227 tiene un diodo interno 5 veces más rápido, y tiene un 30% menos capacidad de gate, por lo que es mucho mejor para esta aplicación
01/12/2015 #4119

Avatar de endryc1

tengo unas preguntas, ¿en que afecta el valor de la inductancia del filtro paso bajo de la salida. puedo modificar el valor del filtro hasta que no quede rastro de oscilacion , o es mejor subir la frecuencia de oscilacion al amp para que me de una sinusoide limpia. yo quiero utilizar el amp para bajos, pero no me gusta que quede rastro de la oscilacion. ¿en esto influye el material del nucleo de la bobina? yo arme el de 900w y como unico se limpio la señal fue con una bobina de 288uH que trae el nxp750 yorkville. hay algun programa para calcular la frecuencia de corte de este filtro introduciendole los datos de la inductancia y la capacidad. graciassss desde cubita la bella.
02/12/2015 #4120


endryc1 dijo: Ver Mensaje
tengo unas preguntas, ¿en que afecta el valor de la inductancia del filtro paso bajo de la salida. puedo modificar el valor del filtro hasta que no quede rastro de oscilacion , o es mejor subir la frecuencia de oscilacion al amp para que me de una sinusoide limpia. yo quiero utilizar el amp para bajos, pero no me gusta que quede rastro de la oscilacion. ¿en esto influye el material del nucleo de la bobina? yo arme el de 900w y como unico se limpio la señal fue con una bobina de 288uH que trae el nxp750 yorkville. hay algun programa para calcular la frecuencia de corte de este filtro introduciendole los datos de la inductancia y la capacidad. graciassss desde cubita la bella.
La pregunta es ¿por que no te agrada que la "portadora" salga? Mira, la frecuencia de esa senoidal es superior a los 100khz donde un parlante de bajos posee una pedacia del orden de los kilo ohm. Y no obstante eso, posee una amplitud máxima (alimentado con 100v) de 5v aproximadamente. No se escucha, no produce calentamiento y no desperdicia potencia.
Si por capricho quieres reducirla, aumenta el orden del filtro pero realimenta desde el primero.
Aumentar la frecuencia de oscilación, para usarlo en bajos.. Mala idea, aumentarás la disipación en los MOSFET..
La única modificación que haría para utilizarla en bajos, sería bajar la frecuencia de corte de los dos filtros de entrada.
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