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09/12/2015 #241

Avatar de J2C

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Ruben90

Sube la datasheet del dicho componente al foro.



Saludos, JuanKa.-
09/12/2015 #242

Avatar de ruben90

Es un lm317, pero ya cheque bien el datasheet, por top se refiere si se coloca en la parte plastica del encapsulado y bottom si se coloca en la parte metalica del encapsulado. Muchas gracias, solo que no identificaba que significaba top y bottom xD lo malo de no saber ingles
09/12/2015 #243

Avatar de J2C

.


Ruben90

En los reguladores suelen expresar ambas Resistencias Térmicas debido a diversas posibilidades de montajes según los proyectos.


En cuanto al aprendizaje del idioma ingles te sugiero que te "amigues" con el para que resulte mas sencilla para ti la parte técnica y lo digo con la experiencia de haberlo sufrido ese tema hace casi 40 años atrás !!!!.



Saludos, JuanKa.-
30/12/2015 #244

Avatar de ruben90

Aqui molestando otra vez, ahora por un transistor BD135 trabajando como excitador para MOSFET. La potencia disipada (según el libro) es:

Código:
PD = Vce * Ic * tr * f = (2V)(0.3A)(72ns)(1kHz) = 43.2uW             

(Rja = 100 °C/W) y (Ta = 40 °C)
dando una Tj = 40 °C.

Mi duda es si la señal (Duty_Cycle) es del 100%, entonces sería

Código:
PD = Vce * Ic = (2V)(0.3A) = 0.6W
dando una Tj = 100 °C, estoy en lo correcto?

Los Vce = 2V son porque el transistor trabaja en la zona activa (Vin - Vbe < Vcc)
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30/12/2015 #245

Avatar de chclau

ruben90 dijo: Ver Mensaje
Aqui molestando otra vez, ahora por un transistor BD135 trabajando como excitador para MOSFET. La potencia disipada (según el libro) es:

Código:
PD = Vce * Ic * tr * f = (2V)(0.3A)(72ns)(1kHz) = 43.2uW             

(Rja = 100 °C/W) y (Ta = 40 °C)
dando una Tj = 40 °C.

Mi duda es si la señal (Duty_Cycle) es del 100%, entonces sería

Código:
PD = Vce * Ic = (2V)(0.3A) = 0.6W
dando una Tj = 100 °C, estoy en lo correcto?

Los Vce = 2V son porque el transistor trabaja en la zona activa (Vin - Vbe < Vcc)
Yo diria que no, porque si el Mosfet esta todo el tiempo encendido jamas consumira semejante corriente de gate
30/12/2015 #246

Avatar de ruben90

Eso mismo pensé yo, ya que sería prácticamente una corriente constante, así que Ig = 100 uA, y la resistencia consumiría la mayor corriente (aprox. 1.07 mA).
Ahora, si elijo un ciclo de trabajo del 50%? Lo simule y me tira la siguiente gráfica (figura 1).

Se me hace raro que salga ese valor de potencia (Pd = 3W aprox.).
Tal vez no utilizó la fórmula correcta, porque la verdad ningún valor se acerca.
Imágenes Adjuntas
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30/12/2015 #247

Avatar de chclau

No se que simulaste, la potencia es la misma para cualquier ciclo de trabajo que no sea 0 o 100
porciento porque el transistor solo conduce durante la conmutación del Fet
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