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21/01/2009 #41


Recien estaba haciendo unas pruebas con el amplificador y note q se calentaban los capacitores de 1uf/63v de la fuene, lo cual me parece muy muy extraño!
Note que el autor habia colocado capacitores no polares sin embargo deberian funcionar igual.
La verdad estoy perdido con este amplificador, los capacitores estan colocados con la polaridad correcta y me extraña mucho!
21/01/2009 #42

Avatar de FELIBAR12

seba7_sin dijo:
seba7_sin dijo:
Hola! hace poco termine de armar este amplificador, pero la version original de ejtagle, tal cual la armo ricardodeni. Pero he tenido unos problemas, ya que la potencia anda de 10 pero los mosfet calientan muuuchooo.

Donde yo compro los componentes, no tenian el mosfet irf 9530 y me dieron un irf 9540, el cual busque en internet y resulta ser ovbiamente un buen reemplazo. Sin embargo estoy en duda si habra alguna diferencia en alta frecuencia.

Si alguien que conozca suficiente me puede sacar de la duda se lo agradesco.

PD: tambien le cambie:
- los MPSA92/42 por KSP42/92
- la fuente es de +/- 12 y le tuve que cambiar dos resistencias reguladoras del voltaje de 2200 ohm por unas de 200 ohm
Sigo con los problemas de calentamiento :( . Esta vez lo alimente con 2 fuentes de pc para obtener +/- 24v (24v de cada fuente)

Los componentes q no pude conseguir son:
- MPSA92/42 (en su lugar KSP42/92)
- irf9530 (en su lugar irf9540)
- las resistencias de la foto (las tuve q armar con resistencias en serie o paralelo para conseguir valores similares)

Espero q me puedan ayudar aunque sea algun comentario. Gracias



Yo consequi todo menos el condensador mica-plata,por eso le puse uno ceramico comun y corriente y funciona bien,aunque estoy teniendo un problema, no se si se deba a una soldadura falsa o algo pero a veces se pasan como 2v a la salida pero despues de un rato ese valor se baja a 250mv y de todas formas el circuito sigue andando sin problemas.Eso lo note porque cuando lo encendia sentia un ruido como cuando uno le conecta una bateria AA a un parlante y ademas veia que el cono del mismo bajaba un poco.Por un momento pense que era la fuente del pc que afectaba al circuito por siu frecuencia de conmutacion pero lo encendi en otro lugar y tambien le paso lo mismo.La fuente que use esta un poco desequilibrada pero con otros circuitos no pasa voltaje a la salida,ademas la cambie y todavia sigue pasando.Con respecto a los discipadores, creo que hay que enviarlos a tierra(obviamente aislar los transistores) porque cuando toco uno para saber que tan caliente esta, el amplificador emite un ruido como cuando la fuente esta mal filtrada pero no es muy fuerte.De todas maneras pienso armarme otro para ver si le sigue pasando lo mismo.El calentamiento a esos voltajes es raro porque yo lo he probado con +/-20 vdc y ni siquiera hay que usar discipadores(el sonido sigue siendo bueno), debe haber algo mal o de pronto son los valores alterados,por cierto por que no probar a buscar resistencias de precision? tal vez se consigan esos valores pero con esa condicion. Los transistores ksp42/92 son los mismos (al menos para ecg o nte) como reemplazo son el nte287/288 o ecg287/288(2n5400 o 2n5401 es el mismo),los otros son ecg/nte123ap y 159 por ejemplo el 2n2222a.Veo que las resistencias que bajan el voltaje para el operacional estan muy pequeñas,podrian quemarse o recalentarse mucho,yo le puse unas de 2w y calientan demasiado,queria ponerle unas de 3w que tenia por ahi pero son de alambre y no quiero que de pronto me jueguen una mala pasada con la frecuencia de conmutacion.
Queria hacer una pregunta: como fabrico ese inductor que aparece en la foto? veo que tiene nucleo, que calibre de alambre ,dimensiones del nucleo y cuantas vueltas uso? me gustaria usar un inductor con nucleo para minimizar las interferencias.
21/01/2009 #43


Gracias por responder FELIBAR12!

El inductor q esta en mi foto no lo fabrique sino q lo saque de una fuente ATX de la linea de 3.3v (hay dos inductores, es el mas chico y la fuente sigue funcionando aunque con voltajes mas altos).
El autor del proyecto recomienda la pag http://www.pronine.ca/multind.htm y de acuerdo al parlante en 4ohm: 47uH/10A, en 8ohm: 100uH/5A, en un subwoofer: se puede omitir el inductor
21/01/2009 #44

Avatar de FELIBAR12

seba7_sin dijo:
Gracias por responder FELIBAR12!

El inductor q esta en mi foto no lo fabrique sino q lo saque de una fuente ATX de la linea de 3.3v (hay dos inductores, es el mas chico y la fuente sigue funcionando aunque con voltajes mas altos).
El autor del proyecto recomienda la pag http://www.pronine.ca/multind.htm y de acuerdo al parlante en 4ohm: 47uH/10A, en 8ohm: 100uH/5A, en un subwoofer: se puede omitir el inductor
si, es correcto pero he notado que cuando se trabaja con el inductor en nucleo de aire interfiere bastante a los receptores de radio cuando estan en am,y por cierto, que marca de fuente y modelo era?
22/01/2009 #45


Te digo q el inductor q le puse, lo puse porque me parecio adecuado para el proyecto no porque lo haya medido con un inductometro.
Igual te pongo la marca de la fuente: DATAVISION, modelo CL 450W
22/01/2009 #46
Moderador

Avatar de Tacatomon

un transformador de 10Amper solo da para una placa, un punto en contra, para 2 placas necesitas 2 transformadores de 10amper pico cada uno o un gigante de 20Amper para 2 placas.

Aqui es donde entran las Switching power supply.
29/01/2009 #47


hola soy nuevo en este foro aunque llevo tiempo siguiendolo y aprendiendo de el, y me interesa mucho los amp particularmente los clase d.Hace un tiempito monte el plano del siguiente link [urlhttp://www.psicofxp.com/forums/electronica.149/744743-potencias-digitales.html] y me funciono bien.En lo unico que tuve problema fue en conseguir los transistores complementarios para la version de 100w.Por esto me di la tarea de modificar este plano para que su salida de potencia fuera solamente con transistores de un solo tipo(transistores npn).Advierto que esta es una version de prueba, solo que la subi porque a mi me funciono bien y para que me ayuden a corregirle algun error del que no me halla dado cuenta en su diseño.Aqui les muestro el circuito:
Archivos Adjuntos
Tipo de Archivo: zip amp_clase_d_modificado_150.zip (18,0 KB (Kilobytes), 1480 visitas)
02/02/2009 #48

Avatar de djmyky

el circuito modificado que pones ya no seria en clase de sepierde esas caracteristicas Scull lo que se podria mejorar seria en la fuente delos exitadores para evitar recalentamientos
03/02/2009 #49


No entiendo lo que dices,lo unico que hice a mi entender fue poner dos transistores de potencia en darligton respecto a los transistores tipo bd que ya estaban en el plano para aumentar la potencia que daba el amp .Si los transistores bd trabajan en conmutacion ¿porque el darligton que formo con ellos y los buv47a no trabajan en esta zona? .Tampoco entiendo por que la mayoria de los amp clase d que he visto hasta ahora usan como salida transistores complementarios (de polaridad N y P) en vez de usar de un solo tipo de polaridad.¿Algien sabe si esto es por alguna razon?Creo que son muchas preguntas a la misma vez, si los atormento mucho ops:
03/02/2009 #50

Avatar de FELIBAR12

Scull dijo:
No entiendo lo que dices,lo unico que hice a mi entender fue poner dos transistores de potencia en darligton respecto a los transistores tipo bd que ya estaban en el plano para aumentar la potencia que daba el amp .Si los transistores bd trabajan en conmutacion ¿porque el darligton que formo con ellos y los buv47a no trabajan en esta zona? .Tampoco entiendo por que la mayoria de los amp clase d que he visto hasta ahora usan como salida transistores complementarios (de polaridad N y P) en vez de usar de un solo tipo de polaridad.¿Algien sabe si esto es por alguna razon?Creo que son muchas preguntas a la misma vez, si los atormento mucho ops:
Quien dijo que los amplificador en clase d solo se podian usar con transistores de salida opuestos? eso es falso,por el contrario, es muchisimo mejor armar un amplificador con transistores iguales (n) ya que es mucho mas facil de sacarles mucha mas potencia porque en comparacion a los p(hablo de transistores mosfet) estos pueden tener caracteristicas mejores como la rds on(entre menor sea, menor la discipacion) aunque no digo que solo los de este tipo tienen esa ventaja,lo que pasa es que es mas complejo de conseguir un transistor (p) por ejemplo de unos 300v 20amp y todas esas caracteristicas de los (p) porque son mucho mas caros y escasos,pero el detalle es que para hacer andar un amplificador con transistores solo canal n si es un poquito mas dificil porque ya es necesario implementar piezas ultrarapidas como esos diodos shottsky(igualmente dificiles de conseguir pero se pueden tener). Si se quiere alta potencia,calor minimo y eficiencia lo mejor es asi de esa forma.Eso no quiere decir que no se puedan construir aparatos asi,si se puede pero es mas complicado el diseño,de todas formas hay que hacer el intento de armar uno de solo canal n y ponerlo 1a,ahi esta el ingenio para lidiar con cualquier desperfecto(por ejemplo un pcb bien diseñado para evitar oscilaciones parasitas combinado con componentes smd).Creo que la mayorlia de amplificador de alta potencia vienen de ese modo .Aqui en el foro ejtagle tambien posteo un amplificador que funciona con un par de irfp240 ,seria interesante armarlo aunque debido a su configuracion no es de alta calidad pero podria se muy potente y de pronto hasta nos sorprenda.
03/02/2009 #51


Gracias por la explicacion que me has dado felibar12,no tenia idea de que era por eso.¿Entonces si quiero implementar un amp clase d con salida n a bipolares por ejemplo como lo pudiera hacer?¿Alguien tiene un plano disponible con este tipo de piezas?
03/02/2009 #52

Avatar de FELIBAR12

Scull dijo:
Gracias por la explicacion que me has dado felibar12,no tenia idea de que era por eso.¿Entonces si quiero implementar un amp clase d con salida n a bipolares por ejemplo como lo pudiera hacer?¿Alguien tiene un plano disponible con este tipo de piezas?
aqui Amplificador hi-fi 200W rms con dos mosfet
aca http://home20.inet.tele.dk/audio/Mic...nstruction.htm
y adjunto otros
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: gif ucd_js3a_130.gif (19,2 KB (Kilobytes), 1364 visitas)
Tipo de Archivo: gif d_triangle_165.gif (37,3 KB (Kilobytes), 1194 visitas)
Tipo de Archivo: png finalfornow_436.png (11,4 KB (Kilobytes), 1101 visitas)
Tipo de Archivo: gif 63_1218104404_175.gif (55,4 KB (Kilobytes), 1100 visitas)
Tipo de Archivo: gif miniucd_170.gif (18,0 KB (Kilobytes), 1149 visitas)
05/02/2009 #53


Gracias por tu respuesta felibar12 aunque debo confesarte que algunos de los planos que me mandaste estan bastante conplicados para mi nivel y voy a hacer un esfuerzo para lograr hechar a andar uno.Muchas gracias.
12/02/2009 #54


Lo que no entiendo es por que en la mayoria de los planos que me diste hay muchas piezas que actuan sobre las polarizaciones de los mosfets,no se mucho acerca de como polarizarlos y mantenerlos en una zona de trabajo especifica ni se que nivel de señal es el optimo para su funcionamiento correcto.Tal vez por la duda de las polarizaciones y las zonas de trabajo me salio mal el amp clase d que modifique.Por favor expliquenme esto.




15/02/2009 #55


Les voy a ayudar un poquito... si sabré yo de esos diagramas... ¿ Se acuerdan de porqué hice tanto énfasis en no pasar un diagrama discreto ucd con mosfet solamente de canal-n ? - Bueno, esos diagramas son la prueba. Y les aseguro que sé exactamente cómo operan, y porqué estan esos componentes ahí, y hay una cosa que les puedo asegurar: Los diodos que figuran en los diagramas con críticos, tanto el modelo, como el lugar donde está puesto.
Ahora voy a tratar de explicarles para qué están cada uno de los componentes. Tomemos como referencia el último diagrama posteado por felibar12, el ucd?is3a.gif, porque la gran mayoría son muy parecidos a éste.
Tenemos que recordar que para "encender" un mosfet canal-n, hay que aplicarle una tensión positiva entre la compuerta y el surtidor (gate-source). Esa tensión tendría que estar en el orden de 10v, y puede llegar a 20v. Como valor razonable, tomemos 12v.
El mosfet N que está conectado a -VCC (tensión de alimentación negativa), tiene el surtidor a -VCC, por lo que para apagar el mosfet, basta con conectar la compuerta con el surtidor. Fijémos en Q26. Si hay tensión entre compuerta y surtidor, eso hace que el transistor Q26 se encienda (porque circula corriente por la unión emisor base de ese transistor, y luego por la resistencia R43. Eso hace que el transistor se sature, y como el colector está unido al surtidor del mosfet, el transistor "cortocircuita" la compuerta con el surtidor, apagando el mosfet. Todo ésto asume que Q25 está cortado, porque sino, Q25, a través de R42, pone a -VCC + 12 volts la base de Q26, y a través de D13, la compuerta del mosfet también a -VCC + 12 volts, encendiendo el mosfet efectivamente. Es decir, el conjunto Q25/R42/R43/Q26/D13 es un driver de mosfet discreto y ese driver de mosfet se controla tomando corriente de la base de Q25, con el transistor Q15. La resistencia R41 está para asegurarse que Q25 deja de conducir cuando Q15 deja de tomar corriente, pues si Q15 no toma corriente, entonces R41 conecta la base con el emisor de Q25, haciendo que éste deje de conducir.
Ahora, el problema es el otro mosfet N, porque tiene conectado el surtidor a la salida de tensión , es decir. la tensión a la que está conectado es variable. Por eso, C11/C9 y D20 forman una fuente de tensión "flotante" de 12 volts. Cuando el mosfet inferior se satura, justamente, el punto "v" se pone a -VCC, y luego, los capacitores C11/C9 se cargan a 12 volts via el diodo D20. Si el mosfet de abajo deja de estár encendido, ahora, la tensión entre el surtidor del mosfet de canal N superior y el emisor Q23 será de 12v gracias a esos capacitores C11/C9. Por eso es una fuente de tensión flotante... Porque la "masa" de esa fuente se mueve con la tensión de surtidor del mosfet N superior. Salvando esa diferencia de la fuente de tensión flotante, los componentes Q16/R38/Q23/R39/R40/D11/Q24/M1 se comportan exactamente igual que los componentes Q15/R41/Q25/R42/R43/D13/Q26/M2.
Ahora a la etapa de entrada: Q1/R9/D17/D18 y R11 son una fuente de corriente constante. D17/D18 junto con R11 forman una fuente de tensión constante de 1.4 volts, medidos entre VCC y la base de Q1. Luego, el emisor de Q1 está a 0.7 volts por arriba de su base. Eso significa que la tensión sobre R9 es constante, por lo tanto, la corriente por la misma es constante, por lo que la corriente por el emisor de Q1 es constante, por lo que la corriente por el colector de Q1 es constante (porque, aproximadamente, la corriente de emisor es igual a la de colector, excepto la pequeña parte que se va por la base, que está en el orden de 300 veces menos que la de emisor)
Q3 y Q4 son un par diferencial de transistores, es decir, esos transistores operan de comparador de tensión. Es el diagrama clásico de entrada de todos los operacionales a transistores.
Q7 y Q6 actúan de espejo de corriente, es decir, la corriente que entra por el colector de Q7 es la misma que entra por el colector de Q6. En la realidad, mientras las entradas del "comparador de tensión" formado por las bases de Q7 y Q6 estén exactamente a la misma tensión , que ambas corrientes de colector son iguales; apenas empieza a haber una diferencia de tensión, se produce que Q7 O Q6 se saturan, y siempre en forma complementaria. NUNCA se puede dar que ambos saturen a la vez. Si satura Q7, se abre Q15, esosignifica que no habrá corriente por el colector de Q15, por lo que eso termina implicando que el mosfet M2 estará abierto. Al contrario, si Q7 no satura, luego Q15 se cierra, tomando corriente por su colector, por lo que M2 termina cerrándose (saturándose)
Lo mismo se puede explicar con Q6/Q16 y M1. Noten que este circuito asegura que NUNCA se enciendan ambos mosfets a la vez... al menos, en teoría...
Pero, una cosa es la teoría, y otra MUY distinta es la práctica... resulta ser que los transistores, son mucho más rápidos para encenderse (cuando se saturan) que para apagarse. Sin entrar en muchos detalles, tiene que ver con un fenómeno de acumulación de cargas en la base... El resultado es que si para saturar un transistor tardamos 20nS (nanosegundos), para desaturarlos es normal tardar 20uS (microsegundos), es decir 1000 veces más. Eso es un problemón, porque eso implica que cuando Q23 se satura, Q25 debiera desaturarse y cortarse a la vez, pero NO PASA. Q25 está saturado, se le quita la exitación de base, y a la vez se exita la base de Q23, pero como al exitar, el transistor prende muy rápido, pero el otro va a tardar un rato bastante grande en apagarse, esto termina haciendo que AMBOS mosfets conduzcan a la vez, produciendo un cortocircuito entre VCC y -VCC, con resultados desastrosos para los mosfets (recalentamiento de los mosfet y posterior destrucción de los mismos)
Por eso existe D10 y D12. Son diodos antisaturación, que evitan que los transistores Q23 y Q25 lleguen a saturarse totalmente. El truco es muy sencillo, esos diodos son diodos ESPECIALES (normalmente schottky), con caída de tensión en el orden de los 0.3v. Cuando un transistor se satura, la tensión colector emisor se hace casi 0. Pero la tensión base-emisor debe ser 0.7 volts, porque para que se sature el transistor, hayque tomar corriente de la base, y si tomamos corriente de la base, el diodo base-emisor del transistor estará polarizado en forma directa, por lo que hay 0.7 v entre base y emisor. Pero eso ya no puede darse gracias al diodo antisaturación, porque apenas la tensión colector emisor del transistor baja de 0.4v, el diodo antisaturación conduce y hace que deje de pasar tanta corriente por la base del transistor (porque ahora pasa por el diodo y entre por el colector del mismo transistor, saliendo por el emisor, pero NO pasa por la base. El resultado es que el transistor queda "clavado" en una tensión de 0.4 v entre colector y emisor, pero no se satura, y si no se satura, entonces su apagado es muchísimo más rápido (del orden de los 20nS) ... Por eso, ese diodo , que parece tan inocente, es CRITICO, no puede ser sustituido por ningún otro modelo... O sea, ese es el tema... Hay diodos schottky de alta corriente, pero NO SIRVEN acá, porque esos diodos son de alta capacidad (de capacitancia), equivalen a un diodo con un capacitor en paralelo, y eso arruina el funcionamiento antisaturación, ya que el diodo tiene que ser tan rápido o más que el transistor a proteger, y estos transistorcitos de baja señal son realmente MUY rápidos. Enfin... Hay muchísimo más que explicar, pero los únicos transistores con problemas de saturación en este diagrama son Q23 y Q25 (porque Q24 y Q26 no pueden saturarse, porque , justamente, cuando los mosfets se han apagado, ya no hay tensión base-emisor en esos transistores, por lo que no se mantendrán saturados. Recuerden: Si la tensión emisor-colector de un transistor es mayor que 0.3 volts, un transistor NO estára saturado... Si analizan el circuito, se darán cuenta que ninguno de los otros transistores puede saturar.
El problema de la saturación de los transistores se agrava a medida que el transistor es de más potencia, y como la frecuencia de oscilación de un amplificador de audio tiene que ser alta (para que no se oiga), los transistores de potencia no resultan adecuados para este uso.
Un detalle importante es que los mosfets NO tienen este problema de tiempo de saturación (se saturan y desaturan en el mismo tiempo, lo único que hay que tener en cuenta es que el mosfet tiene una capacidad parásita (no deseada, pero inevitable) entre la compuerta y el surtidor, por lo que el driver de mosfet tiene que ser capaz de dar un pico de corriente en el orden de 1A para poder encender o apagar el mosfet en 20nS aproximadamente... Otra vez, estamos "raspando" apenas por arriba el tema de manejo de mosfets, pero todo lo que hemos hablado termina quedando en lo siguiente:
>Para elementos de potencia, si la frecuencia de conmutación es alta, sólo los mosfets nos darán la performance adecuada (tiempos de saturación/desaturación extremadamente rápidos, por lo que hay muchas menos pérdidas de calor, porque el mosfet pasa de "saturado" a "abierto" en forma casi instantánea, y todos sabemos que el momento en que un componente disipa más potencia es cuando está conmutando (justamente, cuando está en área lineal)
>Para conmutar un mosfet rápido, hay que darle un pico de corriente de 1A o más, por lo que debemos tener cuidado al elegir los transistores que componen el driver de compuerta de mosfet. Es un PICO de 1A, porque una vez que el mosfet conmutó, ya la compuerta no consumirá mas corriente (pen'semoslo como que la compuerta es un capacitor, y debemos cargarlo y descargarlo muy rápido, porque cuando la tensión en ese "capacitor" es 0, el mosfet está abierto, y cuando la tensión en ese "capacitor" es 12v, o más, el mosfet está saturado.
>Transistores de potencia no funcionan, porque son demasiado lentos , lentos para encenderse (1uS) y MUY lentos para apagarse (por ser transistores, en el orden de 1uS), y si dejamos que se saturen, en el orden de 20uS o más)
>Los drivers tienen que ser rápidos, y no necesitar mucha corriente para activarse... Para ésto, los transistores de naja señal son ideales, SIEMPRE y CUANDO evitemos que se saturen, considerando el uso en el circuito, y si es posible que un transistor se sature, DEBEMOS usar diodos antisaturación SI o SI, y TIENEN que ser los correctos para los transistores usados... Mientras no se saturen, podemos esperar de un transistor de baja señal, frecuencias de conmutación de 10nS. Además de eso, no necesitan mucha corriente de base para activarse , y son capaces de dar picos (sólo PICOS) de corriente de 1 A (típico para el par BC327/BC337). Noten que la velocidad de un transistor DISMINUYE a medida que tiene que manejar mas potencia (es decir , un transistor de más potencia es siempre más lento que uno de menos potencia... Eso es porque para que maneje más corriente, tiene que ser más grande , y eso implica menor velocidad de conmutación
> Hacer un amplificador con sólo canal-n es más complejo, porque SI o SI hace falta una fuente de tensión flotante para poder controlar el mosfet superior. Eso , sin duda, complica el diagrama...
> DEbemos tener cuidado con las capacidades parásitas de los componentes... Porqueestamos hablando de frecuencias de conmutación altas, del orden de 200khz a 2Mhz, y cualquier componente que demore la conmutación hace que las cosas empeoren...
Enfin, hay muchas más cosas que tener en cuenta, pero ésto debiera servirles incialmente

Saludos!
16/02/2009 #56

Avatar de FELIBAR12

Preguntas para ejtagle:

que mision cumple el circuito en paralelo formado por el diodo 1n914 y la resistencia de 56ohm? (uno de sus extremos va a uno de los mosfet de potencia)porque veo que en muchos circuitos que funcionan con driver ir2110 anteponen dichos paralelos o a veces una sola resistencia.Ademas veo que en el circuito que posteaste que fuciona con irfp240(*2) no las usaste.En que puede mejorar esto al circuito o al funcionamiento en especial de los mosfet de potencia? por que las omitiste?
Es que me puse a experimentar con tu circuito y quisiera saber si es necesario emplearlas para mejorar algo o se puede dejar asi.Si no sobran esos componentes, cuales serian sus valores apropiados en ese caso?
Imágenes Adjuntas
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Tipo de Archivo: gif adig_935.gif (16,7 KB (Kilobytes), 817 visitas)
17/02/2009 #57


esa resistencia de 56ohms en paralelo con el diodo 1n914 son para el control de tiempos muertos de los mosfets. Cuando el mosfet debe encenderse, el circuito del driver del mosfet carga la capacidad parásita compuerta-surtidor a través de la resistencia de 56 ohms, porque el diodo está cortado (cuando el mosfet está apagado, la capacidad compuerta-surtidor está descargada, por lo que la tensión a sus bornes vale 0). Ésto genera una demora en el encendido del mosfet (pero también hace que el encendido sea más lento, aumentando las pérdidas de potencia en los mosfet). Ahora, cuando hay que apagar el mosfet, ahí sí, el diodo 1n914 actúa, por lo que "cortocircuita" la resistencia, haciendo que el apagado sea mucho más rápido.
Las resistencias de 3.3 ohms son resistencias también limitadoras de velocidad de encendido y apagado (porque nunca dejan de actuar), pero pueden ayudar a que los mosfets sean más estables, y no autooscilen...
No uso esos componentes (en la versión ucd hay una resistencia de 1 ohm por el tema de la autooscilación, y también he sugerido un circuito snubber extra para cada mosfet por el mismo motivo), bueno, no están esos componentes porque el IR2110 ya tiene internamente fijado y regulado un tiempo muerto de 20nS (entre el apagado del primer mosfet y el encendido del otro), por lo que agregar más tiempo muerto disminuye inútilmente la fidelidad del amplificador UcD (eso es porque a mayor tiempo muerto, mayor distorsión, porque cuando ambos mosfets están apagados, el circuito no tiene control de la tensión de salida, y la misma está fijada exclusivamente por componentesa parásitos (capacidades parásitas de los mosfets, el inductor de salida, etc,etc). En cualquier otro circuito de potencia, suelen estar porque es un método sencillo de controlar la velocidad de encendido y apagado de los mosfets, y mientras más lento es el encendido, menos interferencia (EMI) genera la conmutación de los mosfets. (una onda cuadrada tiene muy muchas armónicas, si los mosfets prenden y apagan más lento, hay menos armónicas .. Para una fuente de alimentación que conmuta relativamente LENTO (33khz) , o aplicaciones donde la frecuencia de conmutación es aún más lenta, realmente , en porcentaje del período de la frecuencia de conmutación, un tiempo de conmutación grande (o sea, conmutación lenta) de 1us o más no es tan significativo, y el incremento de la potencia disipada tampoco, pero en un amplificador a switching FULL -RANGE, donde la frecuencia, como mínimo debiera andar en los 200khz, y puede llegar a los 1.5Mhz, pasa a ser algo muy importante el tema de la disipación por velocidades lentas de conmutación, por lo que hay que tratar de disminuir tanto el tiempo de conmutación (por el tema de disipación), como los tiempos muertos (por el tema de la fidelidad) lo más posible. Es implica PISTAS gruesas y cortas para el manejo de las compuertas de los mosfets, y ese criterio de las pistas se aplica también para los componentes que manejan los mosfets.
Saludos
17/02/2009 #58


Un detalle extra, es que el circuito a transistores que usé para el manejo de los mosfets en la versión con el TL074 o en la versión UcD (son casi el mismo), ese circuito tiene tiempo muerto ya incorporado al mismo, gracias a que la salida del opamp que los maneja a los transistores de entrada tiene una velocidad de cambio de 5v/us, Para que el transistor que manjea el mosfet negativo lo encienda (me refiero a esos 2 transistores cuyas bases están unidas y que van a la salida del opamp), la tensión debe ser menor a -0.7v. Y para que se encienda el mosfet superior, la tensión debe ser mayor a +0.7v. Es decir, hay un rango de tensiones de salida del opamp que hace que ninguno de los dos mosfets encienda ( -0.7v a 0.7v, o sea un rando de 1.4v). Si el opamp tiene una velocidad de cambio de 5v/us (debe andar en los 10v/us, pero depende un poquito de la marca exacta, los 5v/us son para el peor caso), eso nos da 1.4v / (5v/1us) = 280nS. Si vamos al caso típico de un opamp con 10v/us, da un tiempo muerto de 140nS. Probablemente sea aún mejor.

17/02/2009 #59


Y en el caso de la versión UcD, la salida del comparador tiene una velocidad de subida del orden de 50v/us, por lo que el tiempo muerto se hace aún menor, 28nS... Por eso es que yo insistí tanto, la versión ucD tendría que ser la de más alta fidelidad!
08/04/2009 #60


Hola amigos soy nuevo en el foro.
Estoy diseñando un amplificador digital, alguien me puede ayudar con la explicación de como calcular el lazo de reliamentación?
He investigado y se puede hacer de dso formas:
1- Una tomando una feracción de señal de conmutación mediante una red RC, y enviandola antes de la comparación de la señal que genera el PWM, como la calculo?
2- La otra forma estomar una señal directamente de la salida a parlantes y enviarla a una entada donde se sume con la señal de entrada del amplificador (señal de audio). Como claculo esta red?

Yo estoy trabajando con una frecuencia en el PWM de 250 kHz.

Espero alguien me pueda ayudar.
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