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29/07/2016 #21


Matching transistors -- pareado de transistores
He preparado un documento sobre como matchear, emparejar, parear, o como queramos llamarlo, un par de transistores.

El método que yo utilizo está basado en el criterio más extendido, y que es igualar una tensión vbe o vgs para una corriente fija dada. Esta corriente fija conviene elegirla que sea próxima a la que luego vaya a tener el transistor en reposo.

Por ejemplo, para el amplificador Epsilon-Lavardin elegiremos 150mA de corriente, que es la que tienen cada uno de los mosfets en reposo. Elegiremos nuestra corriente de reposo de acuerdo a nuestras necesidades en cada caso.

Este procedimiento lo aplico después de muchas horas de consultar libros, blogs, artículos varios y después de aplicarlo a la práctica de distintas formas, he llegado a elaborar mi propio método práctico y que a mí me resulta la más cómoda sin perder por ello la precisión necesaria.

Los principios básicos son los mismos en cada uno de los innumerables métodos prácticos de medida que podamos encontrar por ahí, solo cambia la forma en que aplicamos esos principios para obtener al final los valores que buscamos.

Yo he preparado el modo de hacerlo más cómodo, aunque también se puede hacer casi lo mismo con muy poco equipamiento tal como describo en el documento.

Debo señalar que estos métodos son los empleados para parear transistores para audio.
02/08/2016 #22


Hola Luismc,muchas gracias por este aporte.Yo estoy por montar el epsilon lavardin me viene muy bien el post ..Yo usaba el metodo de la fuente con 15v la resistencia de 150 ohm ,como se ve en el sgte esquema
http://www.forosdeelectronica.com/at...1&d=1470182323
Para los fet 2SK170 de entrada del Epsilon, que metodos es conveniente usar??el de la fuente regulada a 150ma?? .saludos

PD.:El circuito con el lm317 y la R8.2 como seria las conexiones con el IRFP9240?? en el pdf ta el ejemplo del IRFP240. solamente .El voltimetro no esta en el esquema ,pero para medir el vgs ,iria entre la pata G,S segun sea canal N o Canal P la polaridad??
11/09/2016 #23


cantoni11 dijo: Ver Mensaje
Hola Luismc,muchas gracias por este aporte.Yo estoy por montar el epsilon lavardin me viene muy bien el post ..Yo usaba el metodo de la fuente con 15v la resistencia de 150 ohm ,como se ve en el sgte esquema
http://www.forosdeelectronica.com/at...1&d=1470182323
Para los fet 2SK170 de entrada del Epsilon, que metodos es conveniente usar??el de la fuente regulada a 150ma?? .saludos

PD.:El circuito con el lm317 y la R8.2 como seria las conexiones con el IRFP9240?? en el pdf ta el ejemplo del IRFP240. solamente .El voltimetro no esta en el esquema ,pero para medir el vgs ,iria entre la pata G,S segun sea canal N o Canal P la polaridad??
Perdón por el retraso, ignoro el motivo por el que no me llegó notificación de tu post.
Como ves, podemos utilizar muchos métodos para llegar al mismo fin. Propuse el método de corriente fija porque creo que es más sencillo de implementar.
Efectivamente hay que medir Vgs con el voltímetro. Donde ponemos la punta positiva o negativa del voltímetro carece de importancia, nos interesa la cantidad y no el signo.
Espero haber respondido a tu pregunta.
11/09/2016 #24

Avatar de diegomj1973

Cabe aclarar que en el esquema que muestro a continuación, que es parte del documento .pdf antes subido, el voltaje V1 debe elegirse de modo tal que garantice la correcta regulación del LM317 ó LM337 (según qué se utilice). Para el apareado de mosfets conviene sea de más de 7,75 V muy aprox. y de un valor máximo que no provoque un calentamiento excesivo del regulador mismo.



Como está en el esquema, el LM317 podría llegar a disipar un poco más de 1,452 W (dependiendo de las tolerancias propias de los elementos involucrados, a excepción del voltaje de V1, que para esa estimación de disipación se consideró fijo en 12 V).

No es necesario emplear dos reguladores de distinta polaridad para probar mosfets de canales N y P, respectivamente. Con astucia se pueden probar ambos canales simultáneamente, empleando un solo regulador (para lo cual hay que cuidar un adecuado valor para V1 en el esquema mostrado).

Hay quienes replican las mismas condiciones de funcionamiento real: corriente, disipación (contemplan no solo la corriente de drain, sino el voltaje distribuido entre D y S) y la temperatura de operación (montando el transistor en la aleta, gabinete y ambiente, de ser eso último posible, que deba quedar finalmente).
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: jpg Sin título2.jpg (79,7 KB (Kilobytes), 303 visitas)
11/09/2016 #25


Matching transistors V2.0
Buena observación.
No sé de donde saqué 3V entre la entrada-salida del LM317.
Corrijo el PDF y subo la versión V2.0
Para los mosfets canal P podemos "darles la vuelta" y listo.
Archivos Adjuntos
Tipo de Archivo: pdf Matching transistors V2.pdf (493,2 KB (Kilobytes), 70 visitas)
11/09/2016 #26


luismc dijo: Ver Mensaje
Buena observación.
No sé de donde saqué 3V entre la entrada-salida del LM317.
Corrijo el PDF y subo la versión V2.0
Para los mosfets canal P podemos "darles la vuelta" y listo.
3Voltios entre entrada y salida es la minima tensión adimissible para que lo regulador funcione a contento (regule como debe)
Att,

Daniel Lopes.
12/09/2016 #27


Esta info la saque de otra pagina ,metodo sencillo de aparear los BJT,Lo que no entiendo de donde saca el valor de 0.65V.Este valor sirve para todos los Transistores o se lo saca del datashett?Lo dejo a criterios de los que saben del tema

Matcheado de los BJT

BJT se corresponden en función de su HFE (DC ganancia de corriente). La disposición de prueba para BJT emparejan se muestra en el diagrama mas abajo.

Ajuste el tester a modo DC mA. Tenga en cuenta que la mayoría de los tester tienen una conexión de entrada diferente para medir corriente. La caída de la unión BE de un BJT es típicamente 0.65V. Esta disposición, con una resistencia de base 1MΩ, establece la corriente de base de aproximadamente (12 V - 0.65V) / 1.000.000 = 11.35μA. La lectura de la corriente en el tester da la HFE de acuerdo con la fórmula: HFE = (I mm / 11.35μA). Por ejemplo, si la lectura del medidor de 3 mA, entonces el HFE es (3 mA / 11.35μA) = 264.

El valor 1MΩ fue elegido para adaptarse a la gama HFE para el 2SC2705 / 2SA1145. Tenga en cuenta que estos dispositivos son arreglos de patillas del BCE. Por favor, vea la 2SC2705 y 2SA1145 y MJE243 / 253 hojas de datos de los acuerdos de patillas y otra información.
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: gif BJTMatching_large.gif (2,9 KB (Kilobytes), 36 visitas)
12/09/2016 #28
Moderador general

Avatar de DOSMETROS

cantoni11 dijo: Ver Mensaje
Lo que no entiendo de donde saca el valor de 0.65V.Este valor sirve para todos los Transistores o se lo saca del datashett?
Es la tensión base emisor para que el transistor comience a conducir , es mas o menos universal para los transistores BJT pnp o npn.

Para los Darlington sería exactamente el doble

Saludos !
13/09/2016 #29


Es la tensión base emisor para que el transistor comience a conducir
Este valor si bien es parecido en todos los BJT ,varia segun el Transistor y de sus defecto de fabricacion de los mismo?'.Lo que me indicaria este metodo no es muy preciso entonces?? ,saludos
13/09/2016 #30
Moderador general

Avatar de DOSMETROS

Exacto , de ahí el problema de poner transistores en paralelo
13/09/2016 #31

Avatar de diegomj1973

cantoni11 dijo: Ver Mensaje
Este valor si bien es parecido en todos los BJT ,varia segun el Transistor y de sus defecto de fabricacion de los mismo?'.Lo que me indicaria este metodo no es muy preciso entonces?? ,saludos
Ese método, aunque aproximado y muy simple para implementar, es bastante preciso para definir el hFE de un BJT a baja corriente. Solo hay que contemplar que el voltaje de alimentación sea lo suficientemente estable, así como el valor de la resistencia que limita la corriente de base. Con una alta relación entre el voltaje de alimentación y un Vbe nominal de en torno a los 650 mV, la corriente por la base no se modifica importantemente, aún con variaciones amplias de temperatura (que implican cambios en el Vbe a razón de 2 mV / ºC).

Como ejemplo y asociado al esquema que has subido: Ib nominal = 12 V - 0,65 V / ( 1000000 ohmios ) = 11,35 uA. Si la temperatura ambiente que rodea al transistor bajo prueba aumenta en 5 ºC, la Ib podría aumentar a solo 11,36 uA (que representa solo un 0,0881 % de variación respecto del nominal esperado), lo cual, evidentemente, no es mucha variación. Con una variación en la temperatura ambiente de hasta 56,75 ºC arroja una variación en la Ib respecto del valor nominal de en torno al 1 % solamente.

Si se define con suficiente precisión Ib, no veo que sea un método impreciso de por sí. Lo que hay que garantizar es la estabilidad del voltaje de alimentación, que sí influye importantemente en Ib (mucho más si la relación de éste a Vbe nominal no es tan alta como 10 a 1 ó más).

Saludos
29/09/2016 #32

Avatar de moonwalker

retomando chicos este tema del apareado de transistores, queria preguntarles algo: cuan fiable es la medicion de ganancia para BJTs de los multimetros digitales chinos de esos baratos??
29/09/2016 #33
Moderador general

Avatar de Fogonazo

moonwalker dijo: Ver Mensaje
retomando chicos este tema del apareado de transistores, queria preguntarles algo: cuan fiable es la medicion de ganancia para BJTs de los multimetros digitales chinos de esos baratos??
En transistores de baja potencia la medición me resultó suficientemente precisa.

Para transistores de potencia prefiero efectuar el apareado con una carga próxima a los valores de trabajo.
30/09/2016 #34

Avatar de moonwalker

gracias fogo; entonces podemos aparear con los medidores de ganancia de los testers chinos transistores de baja potencia por ejemplo los del amplificador diferencial; pero tambien podrian aparearse los MJE340 y complemento?? ya sabiendo que A1943 c5200 c3858 entre otros transistores de potencia ya no es conveniente. Gracias de antemano por la respuesta
01/10/2016 #35
Moderador general

Avatar de Fogonazo

moonwalker dijo: Ver Mensaje
gracias fogo; entonces podemos aparear con los medidores de ganancia de los testers chinos transistores de baja potencia por ejemplo los del amplificador diferencial; pero tambien podrian aparearse los MJE340 y complemento?? ya sabiendo que A1943 c5200 c3858 entre otros transistores de potencia ya no es conveniente. Gracias de antemano por la respuesta
Sip, con intensidades bajas-medias ls precisión del multímetro suele ser suficiente.

Edit:
Agrego: No es necesaria "Gran Precisión" en la medida ya que lo que se hace es buscar igualdad de ganancia, y no un valor específico.

En los transistores finales se los deben aparear con un valor relativamente importante de corriente ya que la ganancia es función de esta (Corriente).

Siendo un poco "Fundamentalista" también habría que considerar la temperatura de los transistores finales.
01/10/2016 #36

Avatar de moonwalker

muchas gracias fogo.. no confiaba mucho en las medidas que arrojaban los medidores de HFE de los testers chinos pero ahora se que ayudan aparear los transistores de baja y mediana tension. Fogo y comunidad tendria entonces que buscar las manera de adaptar un zocket o zocalo al multimetro para medir los transistores que pines gruesos.. respecto a los transistores finales de potencia se buscaria un circuito "activo" para conseguir aparear estos. gracias fogo DTB
02/10/2016 #37
Moderador general

Avatar de Fogonazo

moonwalker dijo: Ver Mensaje
muchas gracias fogo.. no confiaba mucho en las medidas que arrojaban los medidores de HFE de los testers chinos pero ahora se que ayudan aparear los transistores de baja y mediana tension. Fogo y comunidad tendria entonces que buscar las manera de adaptar un zocket o zocalo al multimetro para medir los transistores que pines gruesos.. respecto a los transistores finales de potencia se buscaria un circuito "activo" para conseguir aparear estos. gracias fogo DTB
Puedes armar 3 cables con "Cocodrilos" en un extremo y el otro al conector del multímetro. Yo lo tengo así.
Como la medición es estática, solo CC, el agregado del cable no afecta.
04/10/2016 #38

Avatar de moonwalker

Gracias Fogo, justo lo que queria saber; tomare tu consejo, muchas gracias por tu sugerencia colega.
08/01/2017 #39


Hola a todos.

Estoy emparejando transistores con este circuito:

forosdeelectronica.com/showthread.php?p=1146050


El problema es que mi multimetro no es muy preciso midiendo mV, y los que he estado mirando no bajan de 200€ una exageración para solo medir mV.

¿No se podría diseñar un multiplicador de voltaje? es decir, si hay una diferencia de voltaje de 0,0035 mV que se multiplique por 100 pudiéndolo medir con un multimetro normal en 0,35mV.

Y si no se puede ¿me recomiendan algún cacharro para medir mV ?
Gudino Roberto me propuso utilizar un op-amp en modo no inversor, con ganancia 100.
He encontrado esto, ¿es lo que estoy buscando? ¿un multiplicador? es extraño pero no lo aclara en ningún sitio.
midisizer.files.wordpress.com/2013/01/vbe_matching1.pdf

Decir que me parece muy mal que cerraran el tema que abrí con esta duda, sabía perfectamente que existía este post, no soy tonto pero como podemos comprobar se habla de cosas diferentes. Hubiese sido más amable consultar con el creador del post y si procede cambiar el título y si no cerrarlo.

Muchas gracias.
08/01/2017 #40

Avatar de pandacba

Querido amigo lo malo es que sabiendo que estaba este tema habriste otro, cuando las reglas dicen que no debes hacerlo, es como estacionar donde esta prohibido, o ir por la mano contraria. Si haces estas cosas tienes como castigo multas.
Aqui hay reglas y todos las respetamos, no es nada contra ti, simplemente que si no se cuida el orden, esto terminaria siendo un caos, y si cada uno quiere hacer lo que le viniere en gana o mejor le pareciera, esto foro hace rato que hubiera dejado de funcionar, solo se trata de un orden lógico.
Si cada tema se trata en su lugar, cuando otro forista con tu mismo problema busque esa información le será fácil encontrarla de tal manera que todos se benefician
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