Problema con MOSFET

Hola, tengo un problema (al menos eso creo) con un MOSFET IRFP250. El mismo tiene conectado el gate a un TL494 funcionando a 30 kHz, alimentado por 12V (probé también con 5V, de hecho, la imagen esta sacada cuando lo alimentaba con 5V, pero se ve lo mismo). El drain esta conectado a través de una resistencia de 5.2k a la fuente de 5V (la misma que alimenta al TL494). Y el source a tierra. La tensión del gate se puede observar en la imagen que adjunto. Ahora bien, cuando mido la tensión Vds, se ve una "rampa", siendo que debería verse una onda cuadrada o algo parecido. Probé cambiar el MOSFET y el TL494. Pero sigo viendo siempre lo mismo. El TL494 funcionanado en vacío entrega la onda cuadrada correspondiente...La verdad es que no se que es lo que puede estar fallando...Alguna sugerencia?

Las formas de señales son las siguientes:



Saludos

te sugiero que pongas el diagrama del circuito para tener una idea mas clara de los que sucede,
aunque por lo que menciona tanto el mosfet y el TL 494 están conectados a la misma fuente y el Mosfet queda en paralelo con la fuente a través de la R de 5.2K podría pasar que el mosfet entre en una zona de conducción y se produzca una caída solo en la R y el TL494 que sin alimetacion .

pero con el diagrama se puede dar una respuesa mas precisa
suerT

Hola, gracias por la respuesta, te envío el diagrama (la fuente que utilizo es una fuente de PC (probé tanto con 5V como con 12V).



Saludos

Hola, bueno, el problema no tiene nada que ver con los componentes, lo simulo y pasa exactamente lo mismo, aunque la verdad es que no se porque, le bajo la resistencia de carga del MOSFET y la onda triangular se mas cuadrada. Alguien me podría explicar porque pasa esto? Saludos

hola mira pongo una imagen para explicar un poco de como entiendo el problema que planteas y como creo que debes cambiar un poco tu diseño.



Tu estas midiendo directamente entre las terminales source y drain del mosfet si no me equivoco, bueno en que resulta esto, pues que cuando en VGS llega el pulso en alto (como se ve en el oscilograma que pusiste en el primer mensaje) el mosfet conduce y hay una caída de tensión de forma drástica, recuerda que en ese momento el mosfet se comporta como un "simple alambre" , ahora en un alambre no puedes medir un voltaje pues idealmente su resistencia es cero. por eso no hay voltaje cuando mides directamente en el mosfet.

trata de medir entre el punto A y C y haber que resultados obtienes; y si es lo mismo, pues mientras pienso que podría estar pasando en la simulación o en el circuito.

suerT.

soy nuevo en el foro y no se como preguntar formalmente algunas dudas que tengo de electronica especificamente del manejo los mosfets, alguin me podria decir como puedo abrir un tema de discusion o algo asi
gracias..

bueno, fchouza, es exactamente lo que tendria que pasar con ese circuito, hacete a la idea de que el mosfet es una llave activada por tension, cuya ref, de entrada es el source y la tension la debes aplicar entre gate y source ( no pongas la carga contra masa haciendo seguidor de source, porque te va a ser mas complicado el driveo), antes que nada, para salir de la zona de trasconductancia del fet, la tension de entrada de gate debe ser 0-15V, y la resist entre los 15v y gate/C1 debe ser lo mas baja posible, te recomiendo uses otro modulador que tenga salida simetrica, tipo sg3525...
y lo de la rampa es lo sig, imagina que en paralelo a la llave tenes un capacitor conectado (Cds) cuando la llave se cierra este capacitor se descarga abruptamente, cuando se abre el capacitor se carga a una corriente determinada por R (5,6K) cuanto mas bajo es el valor de esa R mas rapido subira la tension sobre drain, asemejandose a una cuadrada.

Es como te dice hazard_1998. El mosfet IRFP250 tiene una capacitancia de puerta de 2nF. Es bastante alta, si tienes una resistencia de puerta de 5K2 la rampa que ves es la carga del condensador de la puerta del MOSFET. Has de usar un circuito de excitación del mosfet de alta corriente para cargar/descargar rápidamente la puerta, bajar la resistencia de puerta o usar otras técnicas para acelerar el proceso de carga/descarga.
Este problema es muy común en todos los mosfet de potencia. Por eso existen circuitos driver especiales para ellos como el IR2110 o similares.

Bueno...mirando el esquema veo que la resistencia de polarización de puerta es 180 Hom. me parece muy baja, ese valor pone en saturación el transistor de canal N , yo probaría a subir el valor, la capacidad de puerta no es tan elevada como para producir esa forma de onda en una impedancia tan baja de entrada

chicos, miren bien el circuito, el trazo de arriba en la foto es la tension de compuerta, donde se ve claramente el tiempo de trepada de dicha tension, y el apagado abrupto (clasico de emisor comun.) por otro lado la tension drain source aparece cuando la excitacion de puerta desaparece, solo que la carga de la capacidad drain source se hace a traves de una R de 5k6, y desde 12V (2,6mA) por eso esa rampa.