Pérdidas en el disparo de transistor mosfet

Hola. Tengo varios problemas y dudas a la hora de disparar un transistor mosfet:

Por una parte tengo demasiado calor en el encapsulado, y he intentado reducirlo. Para reducirlo he probado varias cosas entre la que está intentar reducir la corriente en la puerta dejando la mínima necesaria. Para ello he usado una resistencia en la puerta pero me deforma la señal de disparo bastante. Otra cosa que he probado es poner una resistencia entre puerta y fuente y algo me ha ayudado aunque realmente no sé por qué.

¿Alguien sabé por qué esta resistencia me reduce las pérdidas?
¿Hay alguna otra forma de redicir pérdidas en el transistor?

Según lo que cuentas el problema se debe a que estas utilizando un transistor con un tiempo de recuperación muy alto, al utilizar la resistencia entre la puerta y la fuente se aumenta la eficiencia es decir su velocidad de recuperación. Pero la solución definitiva es utilizar un transistor con tiempos de recuperación mas bajos.

Entiéndase “tiempos de recuperación” como velocidad de suicheo.

Muchas gracias por la respuesta, pero me temo que no voy a poder cambiar el transistor, ya que lo tengo montado en una PCB y ya tengo el radiador montado. Además la frecuencia de trabajo es de 200KHz y el ciclo de trabajo del 33.3%, por lo que no tengo mucho margen para que el transistor sea más lento.
Si existiera otra solución a lo mejor podría aplicarse pero ésta no.
De todas formas muchas gracias.

Un saludo.

Prueba con esta improvisada red de recuperación:

Coloca entre la puerta y la fuente un capacitor de 0.01uf en serie con una resistencia de 1000 ohmios.

El calor depende de la RDon que generalmente si conseguis uno de mas baja resistencia se calentara menos, pero debes tener en cuenta que en la hoja de datos de los mosfets esta RDon se mide con 10v generalmente en el gate, revisa esa parte ahi puedes tener el problema, chauuuuuuuuuuuu

A 200 Khz se nota el efecto del capacitor parásito en la puerta del MOSFET, lo que se hace en estos casos, es cargar y descargar este capacitor parásito con otro capacitor y así podes llegar a los 500 KHz.
Lo mejor es un "MOSFET driver" específico para esa frecuencia (IC)
El calor se genera porque al estar cargado el capacitor de la puerta y no alcanzar la tensión de disparo, el RdsON es mucho mayor.