Hola
debo calcular una cosa del circuito que os muestro. Se trata de un amplificador de puerta común.
Los parámetros del MOSFET son: VT=1.0V y K=0.019A/V^2. RL=180.0Ω.
Vin realiza excursiones entre -2v y +1v
Trabajamos en saturación
a) b) Suponemos que VG=3 y VIN (parte DC)=0
Calcular la resistencia incremental de entrada
Trabajando en pequeña señal y aplicando una tensión de test Vtest para ver que corriente Itest circula, la resistencia de entrada sería:
Rin = Vtest/Itest
El modelo de pequeña señal que he usado para este circuito es:
RL=180 Ω, no 1 como pone en el dibujo.
Id=K*(VGS-VT)*vgs. Como VG=vgs+Vtest --> Id=K*(VGS-VT)*(VG-vtest), y VG=0 en pequeña señal y según enunciado.
Por tanto Id = -K*(VGS-VT) = -gm*vtest, siendo gm la transconductancia.
Me sale entonces Ri = -1/gm
Parece que tampoco es correcto, y no se por qué
¿Alguien puede estudiar esto y darme una respuesta?
gracias
debo calcular una cosa del circuito que os muestro. Se trata de un amplificador de puerta común.
Los parámetros del MOSFET son: VT=1.0V y K=0.019A/V^2. RL=180.0Ω.
Vin realiza excursiones entre -2v y +1v
Trabajamos en saturación
a) b) Suponemos que VG=3 y VIN (parte DC)=0
Calcular la resistencia incremental de entrada
Trabajando en pequeña señal y aplicando una tensión de test Vtest para ver que corriente Itest circula, la resistencia de entrada sería:
Rin = Vtest/Itest
El modelo de pequeña señal que he usado para este circuito es:
RL=180 Ω, no 1 como pone en el dibujo.
Id=K*(VGS-VT)*vgs. Como VG=vgs+Vtest --> Id=K*(VGS-VT)*(VG-vtest), y VG=0 en pequeña señal y según enunciado.
Por tanto Id = -K*(VGS-VT) = -gm*vtest, siendo gm la transconductancia.
Me sale entonces Ri = -1/gm
Parece que tampoco es correcto, y no se por qué
¿Alguien puede estudiar esto y darme una respuesta?
gracias
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