fisica de semiconductores

#1
Hola, tengo un problema, es que el profe me dejo un problema en que consiste. en una barra de silicio el cual tiene diferentes concentracion de electrones, tengo que utilizar el concepto de difusion en diez tiempo y dibujar como se abra difundido los electrones hasta ese instante en el tiempo x.x

lo que vi es que se pasan electrones entre 2 no le entendi x.x
 
#2
Hola, no entiendo muy bien tu pregunta..

No se si lo que pides es la curva de conduccion de un diodo o que...

Pero el ancho de la difusion está dado por:

Vt (voltaje termal) = k * T / q (carga electronica)
Vb = Vt*log (Na*Nd/n^2)
Ancho_Difusion = Raiz((2e/q)*(1/Na + 1/Nd)*Vb)


Para una union P-N a 27ºC,

e = 1.04^-12 F/cm permitividad electrica del silicio
q = 1.6*10^-19 coulomb
Na = 10^16 cm^3 en la region P
Nd = 10^17 cm^3 en la region N
n = 1.5^10 cm^3 para el silicio a 27ºC
k = 1.38066*10^-26 (constante de boltzman)
T = temperatura ambiente en grados Kelvin (300º)

Reemplazando se tiene:

Vt = 0.026V
Vb = 0.757V (voltaje al que se empieza a conducir)
Y el ancho de la difusion es igual a = 0.329um...

No se si te sirve.. puedes postear el problema exacto que te dieron?.
Ahora que lo pienso mejor... me tinca mas la curva de un diodo.
 
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