Transistores en paralelo

hola comunidad , mi pregunta es que pasa con la impedancia de entrada y salida de un amplificador de audio cuando se instalan transistores de salida en paralelo , si bien se que la impedancia de salida varía , aumentando la potencia cuanto mas se baja la impedancia , que pasa con la excitacion ? debe reforzarse? ya que el consumo también aumenta sobre la misma ,hago esta pregunta , porque dispongo de mucha cantidad de transistores de 8A 140v , mas de 100 unidades Motorola de excelente calidad que practicamente no puedo usar ya que las potencias hoy en día traen transistores de mas de 15A y los que se consiguen son de mala calidad ,si bien ya los he usado como excitadores se podrán usar los mismos en paralelo para la salida, 2 en lugar de 1 ?por supuesto con su correspondiente resistencia de emisor , que pasaría si hiciera esto , saludos y muchas gracias .
 
Hola caro Don Sergiotec la idea es valida , puedes poner en paralelo 2 , 3 o cuanto quieres , logico sin olvidar de los resistores de Emissor responsables por la ecualización de curriente entre els.
Si todos transistores paralelos fueren de mismo lote de fabricación mejor aun , eso facilita esa ecualización entre els.
Haora cuanto a la excitación nesesaria esa es la curriente final fornida por todo lo arreglo dibidido por lo factor Beta del transistor (ganancia del) , logico que si dobla la salida tienes que doblar la excitación y asi en adelante ,afortunadamente ese factor es lineal.
!Suerte!.
Att,
Daniel Lopes.
 
hola ,gracias por la respuesta , esto es solo para usar estos transistores que son originales y del mismo lote ,mi duda es que pasaría si supuestamente no se variara la impedancia de parlantes ,o sea , que se mantuviera p ej 8 ohms , con 4 transistores de salida en vez de 2 , igual habría que modificar la excitación ?,porque tengo entendido que al poner 4 transistores ,la impedancia de parlante podría ser de 4 ohms ,esto aumentaría la potencia final ,pero si dejo la carga en 8 , la potencia sería la misma que con 2 transistores? en ese caso no tendría que modificar la excitación? , la finalidad del supuesto uso de estos transistores no es aumentar la potencia ,ni la de cambiar la impedancia de los parlantes, aunque se pueda,por favor aclareme un poco esto ,muchas gracias .,
 
Buenas y bienvenido al foro
si dejas la impedancia igual y el voltaje de la fuente igual, la potencia seria practicamente la misma,
digo practicamentem pues no se nota mucho la diferencia en el sonido, mejoran otras cosas.

<algo que si va a aumentar notoriamente la potencia es si aumentas el voltaje de la alimentación,

el detalle muy importante es subir la alimentación y obvio la excitación dentro de los valores admisibles de los transistores de potencia.

sin olvidar que la fuente dbes hacerla mas robusta
pasate por aqui:
https://www.forosdeelectronica.com/f33/amplificador-transistores-paralelo-83506/#post710685


yo ya lo he hecho muchas veces, con amplificadores antiguos, algunos sin hacer muchos cambios, pero si lo que quieres es simplemente aumentar los transitores de salida sin variar mas que las resistencias del emisor, solo notaras el cambio si bajas la impedancia en los parlantes y eso dependiendo de la fuente, hay algunas holgadas y se nota, otras muy precisas y puede que suenen un poco mejor a bajas impedancias pero aumentará el calentamiento ya no tanto en los transistores pero si en la fuente.

Un abrazo
 
Última edición:
muchas gracias , entonces entiendo que para no aumentar consumos ni potencia ,debo manejarme con la impedancia original de la plaqueta , porque si variara la misma empezarían los problemas , la finalidad no es esa , como dije es solo aprovechar estos transistores, los cuales son todos NPN MJ15030 ahora ...., y abusando un poco de su generosidad, un transistor que vi en una placa salida cuasi complementaria , 2sc5200, segun mi manual ,es de 15A pero disipa 150W si yo pusiera 2 transistores de los mios en su lugar , encapsulado mas chico ,el cual dice 8A 50w 140v, el amperaje total del conjunto seria 16A pero llegaría a 100w nada mas , se podria hacer? o no es aconsejable? , perdonen mi ignorancia , un abrazo
 
Aprovecho el titulo del tema para preguntar algo que no me puedo sacar la duda:

Este mosfet: https://www.infineon.com/dgdl/irf7313.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f55a341b24

Es un mosfet canal N doble (dos independientes por encapsulado SO8) con un maximo absoluto de capacidad de corriente de 6.5 amperes.

Sin embargo, lo que no encuentro en el datasheet ni haciendo busqueda en internet con diversas palabras clave es: Esa capacidad de corriente se refiere a uno solo de los mosfets o ambos juntos?

Es razonable asumir que, bajo las condiciones adecuadas (resistor en cada gate, buen driver, minimo rise time para minima disipacion, etc) podria poner los dos incluidos en el encapsulado en paralelo y considerarlo que es 1 solo mosfet de 12 amperes maximo?

Edito: Puse este mosfet como ejemplo, pero mi pregunta es generica para cualquier mosfet doble por cada encapsulado.
 
Hola a todos , caro Don seaarg jo entiendo que las caracteristicas fornida en la hoja de datos técnicos son para cada transistor MosFet individualmente.
Tanbien creo que puedes considerar lo double de curriente admissible cuando los dos estan conectados en paralelo desde que logres sacar dese conponente lo recalientamento generado adecuadamente. ;) :cool:
!Ojo con lo resistor de Gate! , se que intentas lograr una mejor "ecualización entre los dos transistores MosFets , pero un valor resistivo equivocado mas obstaculiza que ayuda eso porque en realidad estas creado una red de atrazo "R" y "C" , donde "R" es lo resistor de "ecualización" y "C" es la capacitancia inerente del Gate , asi creando un tienpo de subida del VGS inadecuado (lento , despacio).
Resistores de Gate generalmente son de bajo valor ohmico y sirven para quitar oscilaciones amortecidas de altissima frequenzia que pueden sener creadas en las transiciones de la onda cuadrada de excitación dependendo de la frequenzia de operación , de las inductancias parasicticas inerentes en lo "Lay-Out" enpleyado , etc...
!Suerte!.
Att,
Daniel Lopes.
 
Última edición:
Estimado Daniel, si confirmo que me referia a resistores de gate de valor muy pequeño, del orden de 10 ohms maximo o quiza menos.

La sola idea seria hacer insignificante (comparados con esos 4.7 - 10 ohms de rgate) la posible variacion del valor RdsOn de los distintos mosfets.

Esto, considerando que la frecuencia de switching sea tal que no genere disipacion excesiva por rise time lento en los mosfets.

A fin de cuentas, gracias por tu respuesta! es como sospechaba que el datasheet especifica cada mosfet y no los dos juntos.
 
hola compañero tanbien tenia la misma inquietud sobre transistores en paralelo, tengo un amplificador de audio que los transistores de salida son de 25 amperio,y me usa 2 por canal , pero no consigo los originales ,pero tengo 8 de 15 amperio como ustedes saven, para poner transistores en paralelo hay que poner la resistencia de emisor a cada transitor, pero yo tenia pensado hacer lo sigiente agarrar 2 transistores de 15 amperio y lo pongo en paralelo y por cada 2 transistores usar una sola resistencia de emisor y me quedan de 30 amperio cada transistor, tengo entendido que la ganancia influye tienen que ser iguales, pero queria saver si no hay problema usarlo de esa forma
 
Añadiendo al comentario del compañero DJ T3.
Si tú bien sabes que debe colocarse una resistencia por emisor. Con el fin de ecualizar la correspondiente polarización de base individual, de lo contrario un transistor trabajará más que el otro, con la posible destrucción del mismo. Porqué hacerlo de la manera que quieres?
Sólo ahorras una resistencia, pero también así, arriesgas un transistor. No le veo el negocio.
 
Hola a todos , no debemos olvidar del gaño (Hfe) de los nuevos transistores para lo reenplazo , eses deben sener proximos de los originales.
Att,
Daniel Lopes.
 
Última edición:
Hola compañero taMbién tenia la misma inquietud sobre transistores en paralelo, tengo un amplificador de audio que los transistores de salida son de 25 amperES,y me usa 2 por canal , pero no consigo los originales ,pero tengo 8 de 15 amperio como ustedes saven, para poner transistores en paralelo hay que poner la resistencia de emisor a cada transitorES, pero yo tenia pensado hacer lo sigUiente agarrar 2 transistores de 15 amperES y loS pongo en paralelo y por cada 2 transistores usar una sola resistencia de emisor y me quedan de 30 amperES cada transistor, tengo entendido que la ganancia influye tienen que ser iguales, pero queria saBer si no hay problema usarlo de esa forma
Se necesita 1 resistencia de emisor por cada transistor y para saber si se puede realizar el reemplazo y/o cuantos transistores se requieren para el reemplazo, se requiere analizar las curvas SOA de cada dispositivo publicadas en los datasheet´s, NO sirve el valor de corriente máxima, de ese análisis se desprende la viabilidad y/o cantidad de transistores requeridos para el reemplazo.

Lee este tema para orientarte


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