Amplificador HighEnd Clase D de 25W a 1250Wrms sólo con 2 MosFets N

El problema no es conseguirlo... El problema es el costo. Porque la gente de DigiKey (de USA) te lo puede vender y mandártelo a tu casa ... El problema es el costo de envio, que la única forma de que convenga, es encargar muchas cosas...

Saludos !

Para luisgrillo, la verdad, yo pareciera que hago sencillo lo dificil... :) ... En realidad, soy ingeniero electrónico, y no siquiera con lo que vi en la uni fué suficiente para diseñar estas placas... (n) ... En parte, las ideas salieron de información publicados por los mismos fabricantes de los componentes, por discusiones en este mismo foro (hay un thread larguisimo que seguramente conocés), por experiencia personal en diseño de otros circuitos parecidos y por varias semanas de simulación seguidas, y cálculos básicos iniciales...
El tema de cambiar las cosas, la única forma posible es 1ro entender porqué están los componentes ahí, luego se puede pensar en modificar

Saludos! :LOL:
 
Última edición:
Otra preguntita, el consumo que esta en el PDF, es por un amplificador o por un conjunto estereo? porque segun las cuentas que hice, dos placas de 100W consumirian 5A...

Saludos :LOL:
 
Para tener una estimación del grosor de las pistas necesario para una corriente dada, pueden usar:

http://circuitcalculator.com/wordpress/2006/01/31/pcb-trace-width-calculator/

Lo que les interesa es "external layer" , ya que la placa sólo tiene 1 lado, y está en el exterior de la placa (en contraposición a "internal layer", que sería para pistas en layers internos en placas de más de 2 lados)
Saludos :)
 
Última edición por un moderador:
Cordial saludo,

Acudo en busca del consejo de los miembros de este foro ya que tengo un par de dudas.

Resulta que pretendo embarcarme en el siguiente proyecto con este amplificador: un sistema triamplificado teniendo como crossover el circuito publicado en otro de los foros (más exactamente el circuito de 3 vías de silicon chip) pero las dudas surgen a la hora de evaluar los transformadores con que cuento para este proyecto.

Se trata de transformadores con las siguientes características:

- Vía de agudos: 35-0-35 VAC-700VA
- Vía de medios: 40-0-40 VAC-1600VA

Hasta este punto no hay problema, la duda sería, si eventualmente puedo bajar la carga hasta 2 Ohms. Si no se puede o no se debe, no hay drama.

El verdadero meollo del asunto está con la vía de graves ya que dispongo para esto de un transformador que me da 50-0-50 VAC aunque es de 3KVA. Como mi presupuesto no da para un transformador de mayor voltaje en secundario y rebobinar el que poseo no está dentro de mis planes, tendré que acomodarme a la fuente con este transformador (aprox 70-0-70 VDC). Las dos grandes dudas son éstas:
1- Con este voltaje se puede bajar la impedancia de carga a 2 Ohms?
2- Si la respuesta es SI, dejo la siguiente duda: es posible puentear dos módulos con el voltaje de esta fuente (70-0-70 VDC) y trabajar a 4 Ohms (de esta manera cada placa del amplificador así armado "vería" 2 Ohms)

Lo anterior, repito, debido a mis limitaciones con el voltaje de los transformadores para las fuentes, especialmente en el caso de la vía de graves. De no ser por esta limitante, entraría de lleno a armar un módulo de 1250 Watts para los bajos y sería fenomenal escucharlo.

Agradezco inmensamente cualquier luz que me puedan brindar al respecto.

De mi parte documentaré esta aventura detalladamente y subiré las imagenes para atender sus comentarios.
 
1) Con el IRFP250, es posible cargar el amplificador con 2 ohms, PERO, tendrás que colocar un disipador muy grande, porque la disipación media por mosfet será de 50W... Talvez, si pudieras conseguir los IRFP3415PBF o IRFP260, sería preferible su uso en vez de los IRFP250, porque con esos mosfets, la disipación baja casi a la mitad (25W) por mosfet , haciendo bastante mas eficiente el amplificador
2) Hay que reforzar las pistas que comunican los mosfets con la fuente de potencia... Estamos hablando de 35Amper!! - Minimamente querrás reforzar con estaño las pistas.
3) Por supuesto, los cables que conecten los parlantes al amplificador, y el amplificador a la fuente de alimentación deberán ser de al menos 10mm², posiblemente mucho más si son largos...
4) El inductor de salida tendrá que manejar 35A (y posiblemente un 10 a 20% más, porque los parlantes no son una carga totalmente resistiva, sino inductiva también) ... Eso implica un alambre de 10mm² de sección (es más, mejor usar varios alambres en paralelo, para mejorar el desempeño en alta frecuencia)... Te dejo como deber ver cómo hacer un inductor de esa corriente (de hecho, yo, en tu lugar, pensaría en hacer un inductor con núcleo de ferrite, ya que al menos, sería menos largo el alambre (muchísimo menos, lo que implica menos pérdidas en el inductor)... Pero, de cómo hacer un inductor con núcleo de ferrite para esta corriente, vas a tener que ver vos, porque todo depende de lo que puedas conseguir donde vivas)
5) Poner los módulos en puente no es aconsejable... Tendrían que tener la frecuencia de oscilación sincronizada para que funcionase adecuadamente (de ésto se habló muchísimo en el thread anterior)... Porque las frecuencias tienden a batirse entre sí, generando horribles ruidos sobre el parlante... Pero estos módulos son autooscilantes , por lo que sincronizarlos, aunque es posible, no es aconsejable (pierden fidelidad). Sí, sería posible rediseñar el módulo para salida en puente, y en ese caso andaría... Pero, el diseño de un módulo con salida en puente no es igual a conectar 2 módulos en puente, porque si es un único módulo con salida en puente, tiene un sólo comparador, y por lo tanto, ambas mitades estárán sincronizadas implicitamente.

Si tienes más de un altavoz, ¿ No sería preferible armar un módulo para cada uno de ellos, y alimentar todos esos módulos del mismo transformador ?

Saludos(y)
 
Última edición:
Hay una cosa que se me pasó, para aquellos que quieran intentar lo del amplificador a 2 ohms: Si quieren utilizar el amplificador con carga de 2 ohms, hay que cambiar el valor del inductor de salida, y del capacitor de salida, es decir, SOLO para 2 ohms, el inductor pasa a ser de 6uH, y el capacitor de 1.5uF/poliester/100v -- Recuerden que esos valores de filtro de salida son SOLO para 2 ohms... No es recomendable usarlos con parlantes de mas ohms, porque puede que no filtren adecuadamente las frecuencias de conmutacion para parlantes de mas ohms, y ademas, con los mosfets IRFP250, generarían mas calentamiento inútil en los mismos.
El otro detalle, es que psoiblemente, para usar los IRFP260, haya que ajustar las resistencias de gate .. No les puedo decir el valor exacto, porque yo no lo he intentado ...

Saludos (y)
 
ls2k dijo:
compadre te voy a decir una sola cosa: !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!es sorprendente..un amplificador asi es una joyita digna de premio ..te pasate compadre es uno de los pocos clase d que si rinden y piden poco money...

una preguntita si:¿puedo usar irf630 para uno chico?? cuanto tiraria a +/- 20 v??

Puedes usar esos transistores pero hay unos mucho mas baratos, como el irf44n, con +-20V te daria 25Wrms en 8 omhs y 50Wrms en 4 ohms.
 
Última edición por un moderador:
Lusigrillo tiene toda la razón con sus respuestas.
Para A.V., tendrías que blindar de alguna forma el preamplificador de micrófono, para que no capte la frecuencia de switching del amplificador. Recomendaría que está en otro gabinete metálico, pero puede estar en el mismo, a condición de blindarlo en una cajita de metal
Saludos!
 
Una consulta Ejtagle:

Como sé hasta donde bajar la R-gate de los mosfets en base a estos. Hay algún calculo en base al mosfest o es a puro "ojo". Supongo que con una señal de prueba fija debe de habar cierto voltaje/corriente pasando por la linea de control.

¿Que opinas?

Saludos!!!
 
Hola muchachos tengo una pequeña duda.

Que influencias nocivas tendria sobre el funcionamiento del amplificador colocarle por ejemplo 2 mosfet en paralelo por rama con sus respectivas resistencias de gate, sé que al colocar en paralelo mosfet aumentaria la carga del circuito de gate (capacitancia GS), pero podria llegar a reducirse la disipacion al usar por ejemplo cargas de 2Ohm.



Saludos.
 
Puede ser que sirva, al tener los mosfets en paralelo disminuye la resistencia interna. Pero siento que al hacer esto, sobrecargamos el IC, aparte estamos propensos a que los mosfets no se enciendan todos ala vez...

... Un mosfet con RDSon de 0.03 Ohm en paralelo con otro sería 0.0125 Ohm, mas rendimiento y por ende menos disipasion.

Saludos!!!
 
La Corriente que necesitarian los 2 mosfet irfp260 para encenderlos va a ser grande, estamos hablando de 5nF por transistor, el calentamiento del circuito va a ser exesivo
Yo creo que no es necesario poner los mosfet en paralelo, con un buen sistema refrigerado no deberias de tener problemas en los 800W a 2 ohms.
Ya acavo de mandar pedir los intedrados y mosfet en cuanto me lleguen me pongo a soldar y les enseo fotos =)

Suerte a cada uno de los que haremos este circuito.
 
La Corriente que necesitarian los 2 mosfet irfp260 para encenderlos va a ser grande, estamos hablando de 5nF por transistor, el calentamiento del circuito va a ser exesivo
Yo creo que no es necesario poner los mosfet en paralelo, con un buen sistema refrigerado no deberias de tener problemas en los 800W a 2 ohms.
Ya acavo de mandar pedir los intedrados y mosfet en cuanto me lleguen me pongo a soldar y les enseo fotos =)

Suerte a cada uno de los que haremos este circuito.

En 2 Ohms aún se mantene el rendimiento?. Mas bien en 2 Ohms lo que se aumenta es la disipacion de calor.... Pero el aumento de calor implica menor rendimiento:confused::confused::confused:

Por cierto Luisgrillo, donde pedistes/comprastes Tu IR2110 y los mosfets de salida???
 
Última edición:
tacatomon: Sobre el tema de las resistencias de gate, Si, hay una forma de calcularlas aproximadamente, pero no he obtenido buenos resultados de ese metodo. El problema que se da es que la capacidad gate-source de los mosfets es constante, pero la capacidad gate-drain no lo es. Cuando hay que conmutar el mosfet, la principal capacidad de "derrotar" no es la capacidad gate-source, sino la gate-drain, por el efecto miller, que hace parecer esa ultima capacidad mucho mas grande de lo que es.
Imaginate lo siguiente... El mosfet esta apagado... La tension drain-source es de 200v. La tension gate-source es 0 volts. Ahora vamos a intentar prenderlo.. El IR empieza a mandar corriente al gate del mosfet... Eso empieza a cargar la capacidad gate-source. Al empezar a cargarse dicha capacidad, empieza a subir la tension gate-source. Llega un punto en que esa tension empieza a llegar a la tension en que el mosfet comienza a conducir (es decir, area lineal del mosfet, no esta saturado, sino que opera como si fuere una resistencia controlada por tension). Bueno, cuando llega a esa area, la tension drain-source empieza a caer... Se empieza a hacer mas chica, pero, como estamos en area lineal, no es 0. Al estar en area lineal , el mosfet disipa potencia. Pero existe esa capacidad drain-gate... Como la tension de drain cae en relacion a la de source, la tension drain-gate tambien deberia caer... Pero no pasa, al menos no instantaneamente, porque esta esa capacidad parasita drain-gate que fuerza a que la tension drain-gate se mantenga constante...
Entonces, si vos tenes que subir la tension de gate de 0 a 10 volts para prender totalmente el mosfet y que sature, y el mosfet conmuta una tension de 200v, Si lo quisieras hacer en forma instantanea, esos 200v quedarian aplicados en el gate, pero con signo opuesto.
La realidad, es que el circuito llega a un estado de equilibrio, por el cual, el IR provee una corriente de X amper para cargar la capacidad gate-source, y una corriente muy mucho mas grande para descargar la capacidad drain-gate. Y hay otra cosita mas, y es que la capacidad drain-gate es variable... Disminuye a medida que la tension de drain-gate disminuye.
Todo lo explicado arriba tambien se puede aplicar a cuando hay que apagar el mosfet.
Por eso es que es tan dificil calcular la resistencia de gate. Idealmente, lo mejor seria que no estuviera, pero suele ser necesaria, para demorar el encendido de uno de los mosfets, asi el otro tiene tiene tiempo de apagarse antes.
Como la resistencia demora el encendido, no a base de demorarlo en si, sino en hacer que tarde m´as tiempo desde que comienza a encenderse, hasta que se termina de saturar, la resistencia en el fondo hace que el mosfet disipe un poquito mas de potencia
Por eso la idea de reducirla.
La calibracion es sencilla. Con el amplificador sin carga (sin el parlante conectado), y sin señal de entrada de audio (a veces, hay que poner el dedo en la entrada de audio un ratito para que arranque, porque si no hay señal de audio, puede que no oscile inicialmente), y alimentado el amplificador a traves de un limitador de corriente (una lampara incandescente va bien, porque sin el parlante, el amplificador no consume casi nada,100mA o talvez mucho menos), hay que ir probando bajar las resistencias. Puedes poner un amperimetro para ver el consumo del amplificador... Lo que tendrias que ver es que de cierto valor para abajo de resistencia de gate, la corriente sube en forma muy notable. Si la corriente sube, te pasaste. Eso es todo. Usando el metodo de "divide y venceras" , solo son 2 o 3 pruebas a lo maximo (divide y venceras: Si con una resistencia no consume, bajala a la mitad, si no consume, bajala a la mitad, si no consume, bajala a la mitad. Si en un moneto empieza a consumir, el valor buscado esta entre la anterior y la actual. Prueba un valor intermedio... Enfin, de esa forma, puedes estimar con 3 o 4 pruebas el valor optimo)

Con mosfets chicos, no me sorprenderia para nada ver que la resistencia te de en el orden de 4.7 ohms. Con los IRFP250, capaz se pueda bajar un poco

Saludos (y)

PD: Si aumenta la disipacion en los mosfets, disminuye el rendimiento, porque el calor "quemado" es energia que la fuente de alimentacion entrega, pero que no va al parlante... En consecuencia,
el rendimiento , que es potencia entregada al parlante dividido potencia entregada por la fuente, empeora
 
Última edición:
En 2 Ohms aún se mantene el rendimiento?. Mas bien en 2 Ohms lo que se aumenta es la disipacion de calor.... Pero el aumento de calor implica menor rendimiento:confused::confused::confused:

Por cierto Luisgrillo, donde pedistes/comprastes Tu IR2110 y los mosfets de salida???


Que tal amigo, pues lo del rendimiento ya lo explio Ejtagle.

Mande a pedir los circuitos a AGElectronia.com

el ir2110 me sale omo en 16 pesos, bastante baratos y los mosfet irfp260 me salen en 32 pesos. tambien mande pedir 4 capaitores de 4700uF a 80V para la fuente pero por descuidado se me olvido pedir los diodos rectificadores de la fuente conmutada , unos de 30Amp 250V.
 
He notado que muchos de uds tratan de conseguir el lm311h, o LM311n ... Lo vamos a dejar bien clarito... CUALQUIER LM311 va a andar en el circuito. Mientras sea de 8 patitas, y sea un LM311 (no importa la letra que le siga), va a andar adecuadamente en el circuito. :LOL:

Saludos (y)
 
Atrás
Arriba