Cálculo básico de disipadores de calor

Es un lm317, pero ya cheque bien el datasheet, por top se refiere si se coloca en la parte plastica del encapsulado y bottom si se coloca en la parte metalica del encapsulado. Muchas gracias, solo que no identificaba que significaba top y bottom :LOL: lo malo de no saber ingles
 
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Ruben90

En los reguladores suelen expresar ambas Resistencias Térmicas debido a diversas posibilidades de montajes según los proyectos.


En cuanto al aprendizaje del idioma ingles te sugiero que te "amigues" con el para que resulte mas sencilla para ti la parte técnica y lo digo con la experiencia de haberlo sufrido ese tema hace casi 40 años atrás !!!!.



Saludos, JuanKa.-
 
Aqui molestando otra vez, ahora por un transistor BD135 trabajando como excitador para MOSFET. La potencia disipada (según el libro) es:

Código:
PD = Vce * Ic * tr * f = (2V)(0.3A)(72ns)(1kHz) = 43.2uW             

(Rja = 100 °C/W) y (Ta = 40 °C)
dando una Tj = 40 °C.

Mi duda es si la señal (Duty_Cycle) es del 100%, entonces sería

Código:
PD = Vce * Ic = (2V)(0.3A) = 0.6W
dando una Tj = 100 °C, estoy en lo correcto?

Los Vce = 2V son porque el transistor trabaja en la zona activa (Vin - Vbe < Vcc)
 

Adjuntos

Aqui molestando otra vez, ahora por un transistor BD135 trabajando como excitador para MOSFET. La potencia disipada (según el libro) es:

Código:
PD = Vce * Ic * tr * f = (2V)(0.3A)(72ns)(1kHz) = 43.2uW             

(Rja = 100 °C/W) y (Ta = 40 °C)
dando una Tj = 40 °C.

Mi duda es si la señal (Duty_Cycle) es del 100%, entonces sería

Código:
PD = Vce * Ic = (2V)(0.3A) = 0.6W
dando una Tj = 100 °C, estoy en lo correcto?

Los Vce = 2V son porque el transistor trabaja en la zona activa (Vin - Vbe < Vcc)
Yo diria que no, porque si el Mosfet esta todo el tiempo encendido jamas consumira semejante corriente de gate
 
Eso mismo pensé yo, ya que sería prácticamente una corriente constante, así que Ig = 100 uA, y la resistencia consumiría la mayor corriente (aprox. 1.07 mA).
Ahora, si elijo un ciclo de trabajo del 50%? Lo simule y me tira la siguiente gráfica (figura 1).

Se me hace raro que salga ese valor de potencia (Pd = 3W aprox.).
Tal vez no utilizó la fórmula correcta, porque la verdad ningún valor se acerca.
 

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Última edición:
No se que simulaste, la potencia es la misma para cualquier ciclo de trabajo que no sea 0 o 100
porciento porque el transistor solo conduce durante la conmutación del Fet
 
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