hola morris888. el tema es que como la curva del transistor es la misma para todos los de un mismo tipo nos manejamos directamente con parametros especificos que nos indican valores admisibles y limites. es decir, el bipolar tiene un tipo de curva, el fet otra, el mosfet otra, el tip otra, el tiristor otra, etc. etc. etc
entonces desde mi punto de vista te conviene ver un poco de teoria de transistores: bipolares, FET, y MOSFET y con eso ver tambien de paso algunos parametros importantes de los transistores.
por ejemplo en los bipolares es importante la ganancia de corriente B y la Ic maxima.
en los de potencia, la corriente de colector maxima y la maxima potencia a disipar.
el punto Q del transistor se calcula para un determinado funcionamiento es decir, podes ubicarlo en el medio, en un extremo u otro. por ejemplo para maxima excursión de señal el punto Q se ubica de tal forma que a la maxima señal de entrada no tengo recortes a la salida, para conmutación se coloca en un extremo para un valor de entrada y este pasa de un lado al otro cuando la señal conmuta, pero necesitamos que se sature para ese punto. y buenno.... todo asi.
para empezar mirate esto:
http://www.nanohub.org/resource_files/tools/bjt/6_BJT_Ic_Vbe.gif
