Hola a todos.
Este circuito es un sensor de corriente de salida que según mis cálculos disparará con corrientes de salida de unos 10 A. A ver si pueden ayudarme a disipar algunas dudas a la hora de analizar la función de cada componente del circuito ya que mis conocimientos de optoelectrónica son algo limitados .
1.- ¿Cuál es la función de R76 y R77? No provocan que el nivel bajo del sensor de Iout esté más alejado de los 0 V (si no estuvieran tendríamos que el nivel bajo sería igual a la Vce de saturación del transistor asociado al fotodiodo, que tiene un valor típico de 0.1 V. Con R76 y R77 tendremos unos 0.5 V)
¿Tal vez sea para aumentar la velocidad de reacción del optoacoplador?
2.- ¿El condensador C42 es un condensador de supresión de transitorios para derivar a masa ruidos provenientes de la tensión de alimentación de +5 V?
¿Por qué ese valor tan bajo de capacidad y no el típico valor de 100 nF?
3.- ¿Debemos suponer que con la Vf proporcionada en el datasheet para el emisor (Vf=1.33 V @ If=16 mA), el IRED emitirá suficiente radiación infrarroja como para que el fotodiodo conduzca una corriente suficiente para saturar a su transistor asociado?
¿O dicho transistor saturará para Vf inferirores a esos 1.33 V?
Un saludo y gracias de antemano.
Este circuito es un sensor de corriente de salida que según mis cálculos disparará con corrientes de salida de unos 10 A. A ver si pueden ayudarme a disipar algunas dudas a la hora de analizar la función de cada componente del circuito ya que mis conocimientos de optoelectrónica son algo limitados .
1.- ¿Cuál es la función de R76 y R77? No provocan que el nivel bajo del sensor de Iout esté más alejado de los 0 V (si no estuvieran tendríamos que el nivel bajo sería igual a la Vce de saturación del transistor asociado al fotodiodo, que tiene un valor típico de 0.1 V. Con R76 y R77 tendremos unos 0.5 V)
¿Tal vez sea para aumentar la velocidad de reacción del optoacoplador?
2.- ¿El condensador C42 es un condensador de supresión de transitorios para derivar a masa ruidos provenientes de la tensión de alimentación de +5 V?
¿Por qué ese valor tan bajo de capacidad y no el típico valor de 100 nF?
3.- ¿Debemos suponer que con la Vf proporcionada en el datasheet para el emisor (Vf=1.33 V @ If=16 mA), el IRED emitirá suficiente radiación infrarroja como para que el fotodiodo conduzca una corriente suficiente para saturar a su transistor asociado?
¿O dicho transistor saturará para Vf inferirores a esos 1.33 V?
Un saludo y gracias de antemano.