¿Cómo calculo los parámetros de un transistor en continua/alterna?

[aliteroid]

Gracias nuevamente por tu ayuda, ha sido muy valiosa. me queda una ultima duda para avanzar en el tema:
En el mismo circuito que muestro la maxima excursion del voltaje de salida debieran ser 2.5V con una ganancia de 100 el maximo aplicable a la entrada seria 25mV pero al simularlo la señal de salida se distorsiona, solo el pico negativo alcanza este valor pero el positivo solo alcanza los 2V¿ sera error de simulacion o algun error en el diseño del circuito? si es asi c¿como solucionarlo?

 

[cosmefulanito04]

Estás justo ahí en límite... no calculé el Icq exacto que tenés, pero más o menos será de 11mA, con lo cual la recta de carga dinámica te da un margen:

[LATEX]vce=-11mA.(330ohm//1kohm) \approx -2,72v[/LATEX]

No debrías tener recorte porque tenes 220mV de margen. Y por el otro lado (el otro semiciclo) como tu punto Q está en 5,6V tampoco tenés algo que te limite.

Proba aumentando de a poco la ICQ, dandole un menor valor a la RE, esto te va a correr el punto Q más a la izq. pero a la vez hace que la recta de carga dinámica tenga una pendiente menor y tu delta Vce sea mayor. Con esa modificiación la ganancia no debe cambiar.

Proba con Re=180/150 ohm.

 

[aliteroid]

Voy a simularlo con componentes de verdad para comprobarlo.

ahora este tipo de circuito es solo para pequeña señal ¿cierto? pero puedo utilizarlo para amplificar señales mas grandes? hablemos por ejemplo de 1 a 10v pk porque lo que se me dice es que la falta de linealidad del diodo base-emisor impide aplicar grndes señales a la base porque se distorsiona. entonces encontre esto: ie(pp) debe ser menor al 10 por ciento de IEq. existe alguna formula que me indique hasta donde puedo llegar con el voltaje de señal a la base?

 

[cosmefulanito04]

El problema de usar esta configuración viene por el lado de la potencia, un clase A es poco eficiente.

Respecto a lo que decís sobre la linealidad, ya no te sirven más los modelos teóricos de alterna del transistor (seguramente usas el modelo híbrido) y no te queda otra que usar las curvas de Ebers-Moll.

 

[retrofit]

Está facil... el transistor esta trabajando como diodo... si te fijas, toda la corriente se la esta llevando la base...

El voltaje de base a emisor es de 0.7V
El voltaje Vcc es de 5V
entonces... 5V -0.7V = 4.3V en el emisor.
asi que el voltaje de la resistencia del emisor son 4.3V y por ley de ohm tenemos que...
Ie = 4.3V/1000ohms
Ie = 4.3mA

Así que tu problema esta en que todavia no tienes bien claros los conceptos de operación del transistor y esa es la explicación.
Aguas que te puede costar mal un reactivo de examen. A hacer mas ejercicios es la solución.
Salu2!

Totalmente de acuerdo en el planteamiento, pero sería más "ortodoxo" decir Ibe = 4.3mA.
Nos falta un dato que es la ganancia del Transistor por lo tanto desconocemos la Corriente de Colector, pero al ser la tensión de alimentación de 5VCC y la resistencia de Colector de 10K por la misma circularía, como mucho, .07mA.

Saludos

 

[aliteroid]

Cosmefulanito gracias nuevamente, he estado buscando informacion acerca del modelo de Ebers-Moll pero lo que encuentro me parece muy complicado de entender, podrias recomendarme algun libro o sitio donde pueda informarme al respecto y aprender a diseñar para gran señal.