Amplificador HighEnd Clase D de 25W a 1250Wrms sólo con 2 MosFets N

Fijate que el Ing. Tagle esta hablando de capacidades de 1pf pero a la frecuencia de operacion de este ampli (mas las armonicas) las pistas del PCB tienen inductancias del orden de los 10nHy por cm (o mas) y capacidades casi del mismo orden que las que estas teniendo en cuenta en los semiconductores.
En esas condiciones es seguro que vas a tener diferencias significativas con el simulador, pero el analisis es completamente valido, y lo podes acercar a la realidad si consideras estos valores que estan distribuidos en el PCB.
Es muy obvio que existen todos esos parámetros distribuidos por todo el circuito (y, muy posiblemente, algunos más que ni imaginemos). Lo verdaderamente complicado es integrar todos esos parámetros en la simulación para que denote una respuesta lo más similar a una situación real. Vamos... que en la práctica muy pocos lo hacemos (por la complicación y limitación técnica que eso nos representa, que muy pocos admitimos no saberlo y que muy pocos conocemos) y tampoco es muy necesario hacerlo en determinadas circunstancias (por tiempo invertido => dinero; practicidad, etc.). El camino más fácil y concreto es la medición real de la situación.

Y no le resto validez a la simulación planteada (la veo perfecta), solo que sostengo y, el Ing. lo reconoce también, que hay cosas que superan a una necesidad práctica de la implementación en cuestión. Al fin de cuentas, ¿quién se va a complicar con todas esas especulaciones técnicas de lo que podría estar sucediendo internamente en las junturas de un transistor (de la que seguro nunca vamos a estar completamente convencidos si realmente sucede así), si con una simple medición lo puedo estar validando o refutando?
 
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Es muy obvio que existen todos esos parámetros distribuidos por todo el circuito (y, muy posiblemente, algunos más que ni imaginemos). Lo verdaderamente complicado es integrar todos esos parámetros en la simulación para que denote una respuesta lo más similar a una situación real. Vamos... que en la práctica muy pocos lo hacemos (por la complicación y limitación técnica que eso nos representa, que muy pocos admitimos no saberlo y que muy pocos conocemos) y tampoco es muy necesario hacerlo en determinadas circunstancias (por tiempo invertido => dinero; practicidad, etc.). El camino más fácil y concreto es la medición real de la situación.

Y no le resto validez a la simulación planteada (la veo perfecta), solo que sostengo y, el Ing. lo reconoce también, que hay cosas que superan a una necesidad práctica de la implementación en cuestión. Al fin de cuentas, ¿quién se va a complicar con todas esas especulaciones técnicas de lo que podría estar sucediendo internamente en las junturas de un transistor (de la que seguro nunca vamos a estar completamente convencidos si realmente sucede así), si con una simple medición lo puedo estar validando o refutando?
Estoy de acuerdo, no es voluntad de medirlo ... De hecho, tengo el instrumental necesario para hacerlo, es sólo carencia de tiempo ... porque "parece" fácil, pero montarlo en un protoboard no es válido, por todas las capacidades distribuidas que le agregaría. Para hacerlos bien, realmente habría que hacer una plaqueta... O montar todo en el aire.

Tenés razón que la realidad usualmente es ligeramente distinta al simulador, pero, aunque no es garantía, que en el simulador ande, es un posible buen indicador de funcionamiento correcto en la realidad.

Ahora, si queremos hilar muy, muy fino (como es el caso de optimizar una fuente de corriente, u optimizar para PSRR), no hay nada que sustituya las pruebas de laboratorio reales...

Yo uso el simulador como una forma de "visualizar" lo que con cálculos manuales se pierde... No es exactamente la realidad, pero se acerca mucho más que los cálculos teóricos que se puedan hacer...

Mi experiencia con los modelos del simulador versus los componentes reales, es que si se compran componentes exactamente de la marca y tipo en los que se basó el modelo, da muy cerca... Ahora, comprando transistores chinos, es cualquier cosa (y en la realidad también, repetibilidad 0 en el caso de diseños analógicos!)
 
Tal cual ud. lo dice así sucede ;).

En mi caso, la comodidad y apoyo que ofrece un simulador es incalculable y, muchas veces, puede más contra la pereza de armar físicamente un circuito y corroborarlo.

Es más, me he llevado muchas veces sorpresas aún con el menor puñado de componentes, donde uno esperaría la mayor exactitud de predicción.

Saludos :apreton::apreton::apreton:
 
[....]

Para quitarme las dudas, le agregué una resistencia en la base (la otra entrada del par diferencial) que iguale las impedancias, y efectivamente,--sorpresa, sorpresa-- la inestabilidad se va... Las formas de onda se ven mucho mejores, pero la velocidad empeora (en el mismo orden que antes, me da 40nS, 51nS, 69nS y 42nS) .. ¿ Una mejora para la próxima versión, talvez ? ;)
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PD4: Un detalle más... En la versión con resistencias de 10k, hay un poco de sobrelapamiento en las tensiones de entrada al IR. No está completamente en 0 v cuando la tensión de la entrada opuesta comienza a subir. Para quitarme la duda, ese cruce se produce a los 3v , que para el IR ya es 0 lógico. En realidad, cualquier tensión inferior a 6v es 0 lógico para el IR, por lo que el "deadtime" introducido por este circuito con las R de 10k sería del orden de 20nS aproximadamente, realmente ideal...
Perdon pero me perdí en alguna parte de todas estas explicaciones, Ing Tagle ud recomienda la colocación de dichas resistencias de 10k + 470R para en vez de reducir la corriente del par diferencial?

Ese aumento de tiempo de dispersión en las entradas del IR no aumentará la distorsión?
Muchas Gracias!
Si es así lo implementare y comentaré resultados!
 
Perdon pero me perdí en alguna parte de todas estas explicaciones, Ing Tagle ud recomienda la colocación de dichas resistencias de 10k + 470R para en vez de reducir la corriente del par diferencial?

Ese aumento de tiempo de dispersión en las entradas del IR no aumentará la distorsión?
Muchas Gracias!
Si es así lo implementare y comentaré resultados!
Sólo para una alimentación de +/-90v, para menos no... y en realidad, es sólo para disminuir la disipación en los transistorcitos. El valor específico depende de la tensión de alimentación... para menos de 90v hay que reducir sí o sí el valor, porque el circuito dejaría de funcionar sino...

Si no tienes problemas de temperatura en los transistorcitos, simplemente no lo hagas...
 
Don Quercus, excelente lo que está armando, pero para esas potencias salvajes, yo usaría el FAN7392 en lugar del IR2110

Compré un lote de IR2110 y de FAN7392 que deben llegar en unos 15 días, quiero experimentar que tal me va si en lugar del LM311, uso el LT1016, así podría eliminar el dolor de cabeza de los BJT...

Saludos...
Muchas gracias Ratmayor, quedo pendiente de esos experimentos.
He investigado existencias del FAN7392 tendria que ser en Mouser a 1,57€ comprando 10 unidades.

Tambien lo he visto en RS para soldar SMD practicamente a mitad de precio. Segun comento Ejtagle es compatible con IR2110 pin a pin, pero he visto que trae 16 patas. :confused: http://es.rs-online.com/web/p/drivers-de-potencia-mosfet/7396103/
 
Muchas gracias Ratmayor, quedo pendiente de esos experimentos.
He investigado existencias del FAN7392 tendria que ser en Mouser a 1,57€ comprando 10 unidades.

Tambien lo he visto en RS para soldar SMD practicamente a mitad de precio. Segun comento Ejtagle es compatible con IR2110 pin a pin, pero he visto que trae 16 patas. :confused: http://es.rs-online.com/web/p/drivers-de-potencia-mosfet/7396103/
La versión en encapsulado SOP del FAN7392 tiene algunas patas sin conexión extras en relación a la versión DIP, y además soporta menos disipación (1.3W la versión SOP, versus 1.6W la versión DIP)

No encontré en la hoja de datos cómo calcular la disipación versus carga de gate/frecuencia de conmutación, tensión de operación del puente, por lo que me es complicado estimar si esos 0.3W de menos son relevantes o no...

Saludos
 
No encontré en la hoja de datos cómo calcular la disipación versus carga de gate/frecuencia de conmutación, tensión de operación del puente, por lo que me es complicado estimar si esos 0.3W de menos son relevantes o no...

Saludos
Una pregunta ing, que tan "aplicable" es el cálculo que proporciona IR para calcular la disipación drivers integrados y resistencias de gate(Application Note AN-978)? Estuve revisando los cálculos en el paper y con los MOSFET IRFB4227 10ohm de rg estaria más que sobrado para operarlos y que la disipación del driver sea aceptable. Que opina ud?
 
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Una pregunta ing, que tan "aplicable" es el cálculo que proporciona IR para calcular la disipación drivers integrados y resistencias de gate(Application Note AN-978)? Estuve revisando los cálculos en el paper y con los MOSFET IRFB4227 10ohm de rg estaria más que sobrado para operarlos y que la disipación del driver sea aceptable. Que opina ud?
Es una aproximación válida. La app note da una buena idea de lo que sucederá, y la podés usar tranquilamente.

La única cosa que se le ha criticado al diseño siempre (desde el punto de vista técnico) ha sido el tiempo de conmutación del diodo inverso que tienen los mosfets adentro (especialmente el IRFP250/260)

Yo siempre tuve la teoría que, dado el tiempo muerto tan pequeño que tiene el circuito, ese diodo no alcanza a conducir nunca, por lo que el tiempo de conmutación es irrelevante, pero, el IRFB4227 tiene un diodo interno 5 veces más rápido, y tiene un 30% menos capacidad de gate, por lo que es mucho mejor para esta aplicación
 
tengo unas preguntas, ¿en que afecta el valor de la inductancia del filtro paso bajo de la salida. puedo modificar el valor del filtro hasta que no quede rastro de oscilacion , o es mejor subir la frecuencia de oscilacion al amp para que me de una sinusoide limpia. yo quiero utilizar el amp para bajos, pero no me gusta que quede rastro de la oscilacion. ¿en esto influye el material del nucleo de la bobina? yo arme el de 900w y como unico se limpio la señal fue con una bobina de 288uH que trae el nxp750 yorkville. hay algun programa para calcular la frecuencia de corte de este filtro introduciendole los datos de la inductancia y la capacidad. graciassss desde cubita la bella.
 
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tengo unas preguntas, ¿en que afecta el valor de la inductancia del filtro paso bajo de la salida. puedo modificar el valor del filtro hasta que no quede rastro de oscilacion , o es mejor subir la frecuencia de oscilacion al amp para que me de una sinusoide limpia. yo quiero utilizar el amp para bajos, pero no me gusta que quede rastro de la oscilacion. ¿en esto influye el material del nucleo de la bobina? yo arme el de 900w y como unico se limpio la señal fue con una bobina de 288uH que trae el nxp750 yorkville. hay algun programa para calcular la frecuencia de corte de este filtro introduciendole los datos de la inductancia y la capacidad. graciassss desde cubita la bella.
La pregunta es ¿por que no te agrada que la "portadora" salga? Mira, la frecuencia de esa senoidal es superior a los 100khz donde un parlante de bajos posee una pedacia del orden de los kilo ohm. Y no obstante eso, posee una amplitud máxima (alimentado con 100v) de 5v aproximadamente. No se escucha, no produce calentamiento y no desperdicia potencia.
Si por capricho quieres reducirla, aumenta el orden del filtro pero realimenta desde el primero.
Aumentar la frecuencia de oscilación, para usarlo en bajos.. Mala idea, aumentarás la disipación en los MOSFET..
La única modificación que haría para utilizarla en bajos, sería bajar la frecuencia de corte de los dos filtros de entrada.
 
La pregunta es ¿por que no te agrada que la "portadora" salga? Mira, la frecuencia de esa senoidal es superior a los 100khz donde un parlante de bajos posee una pedacia del orden de los kilo ohm. Y no obstante eso, posee una amplitud máxima (alimentado con 100v) de 5v aproximadamente. No se escucha, no produce calentamiento y no desperdicia potencia.
Si por capricho quieres reducirla, aumenta el orden del filtro pero realimenta desde el primero.
Aumentar la frecuencia de oscilación, para usarlo en bajos.. Mala idea, aumentarás la disipación en los MOSFET..
La única modificación que haría para utilizarla en bajos, sería bajar la frecuencia de corte de los dos filtros de entrada.
Totalmente de acuerdo. Aumentar la inductancia a la salida generará más pérdida en el inductor (porque hay que aumentar el número de vueltas)... Es posible hacerlo, pero no sé si lo recomiende, porque varía la frecuencia de oscilación también, y habría que recalcular algunos otros componentes para poder compensar el cambio del valor del inductor
 
una duda tonta, en el esquema inicial ay diferentes potencias en 4 y 8 onmios, si construyo el de 8 podria usar altavoces de 4?,o si construyo el de 8 podria conectar cajas de 4? supongo que si pero como este tipo de amplis es nuevo para mi y no lo se, ya que siempre he construido del de transistores, ya que tengo cajas de de las dos impedancias me gustaria algo que me sirva para todo, saludos y gracias
 
si, vas a poder, la unica diferencia si la carga es 4 u 8 ohm es la corriente que debe entregar la fuente de alimentación. Cuando la carga es de 4 ohm, el amplificador va a pedir el doble de corriente que si la carga es de 8ohm
 
:apreton:(y)gracias por la respuesta, me lo han dicho todo en pocas palabras, siempre pregunto porque son dudas que me surgen y no sabia si la bobina estaba trabajando bien, porque la hice con un nucleo de ferrita de fuente de PC. Y cuando se comienza con algo que no conoces hay que estudiar para entenderlo. Aqui no se consiguen piezas pero ahi vamos avanzando. Entonces dejo la bobina como tal esta, total si le voy a meter dos sub de 18 pulg cuando consiga los mosfet y la ir2110 original.
 
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hola buenas dispongo varias unidades de estos transistores y me gustaria saber si me servirian para este proyecto o que me indiquen que tengo que mirar en el data para saberlo, saludos y gracias de antemano

88n30w segun leo 300v 48A tengo 4 unidaded
20n60c3 600v 45A tengo 2 unidades
rjk2009 200v 40A de estos tengo 8 unidades
 

shevchenko

Well-known-Ruso
Fíjate que en sus hojas de datos tengan una capacidad de gate baja es ideal, y lo otro importante es que su RS ON también sea baja! Si vas a usar una carga de 8 ohms importa un poquito menos.... A leer!
 

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