Como terminaria el problema?

[tuxero]

Hola, estoy estudiando teoria pero hay cosas que si intento hacerme mis ejemplos para aclararme me pierdo un poco. En este ejercicio que intento resolver, como sacaria la I que recorre el circuito y al diodo obiviamente, y saco la resistencia que tiene el diodo en el ejemplo que puse. Se que el diodo no debe de conducir porque no llega a 0.7v y es de silicio.

Pero deberia de haber una corriente muy pequeña que este pasando, y una resistencia en el diodo para que de 0.4v como yo me invente. Y la ley de ohm no puedo usarla porque el diodo no es un componente lineal.

Si necesitamos una grafica para resolverlo, podemos poner de ejemplo la que sea, porque esto es solo un ejemplo que yo me invente para aclararme con la teoria, pero que me atranque y no se resolverlo y supuestamente debe de ser poco lo que me falta. Gracias.

 

[elaficionado]

Hola.

¿Porqué asumes Vd= 0.7v?
El problema dice que el diodo es de silicio, hay Schottky Diodes, trabajan con 0.4V.

Chao.
elaficionado.

 

[tuxero]

El ejemplo problema es inventado por mi. He imaginado que coloco un diodo normal de silicio que deja pasar la corriente desde los 0.7v. Me imagino un tipico 1n4007.

En el ejemplo, he intentado calcular cuando tengo una fuente con ese voltaje y si en el diodo midiendo con un polimetro saliese 0,4v como calcularia el resto de datos.

 

[juanma2468]

Pues la If la calculas como If = Vrs/ Rs. La resistencia del diodo la podrias estimar a partir de la hoja de datos del diodo con alguna grafica que brinde el fabricante.

 

[tuxero]

If = Vrs/ Rs, de esa formula solo tengo de dato que Vrs=1 . Desconozco If y Rs. Hay alguna forma de resolverlo el problema con el enunciado que di y esos datos?

 

[Troglodita]

El error principal es suponer que en la resistencia hay un voltio, que lo puede haber si en el diodo hay 0.4 V. Pero con esos datos no puedes hacer mucho más. Lo mejor es que busques ejercicios reales en cualquier libro de electrónica, donde vienen los datos necesarios para poder resolverlos.

 

[elaficionado]

Hola.

El problema está mal planteado. Sí el diodo es de silicio Vr no puede ser 1V, y si es así el diodo está defectuoso.

Chao.
elaficionado.

 

[Nuyel]

No es que este defectuoso o sea imposible, el problema es que ya hay que meterse con el modelo del diodo donde la temperatura comienza a jugar un papel muy importante con su conductividad, sobre todo por que para Vd 400mV en un diodo de silicio hablamos de corrientes muy pequeñas. Por ejemplo, en un MMSD4148 de On Semi, tendíamos 400mV a 85ºC en la hoja de datos, para 25ºC que es lo normal esa corriente sale de la escala, si la extendemos un poco siguiendo la curva en una aproximación llegamos a 10nA
Ver el archivo adjunto 155110
La formula la tiene la ecuación de Shockley
[LATEX]I=Is*(\exp(\frac{V_D}{n*V_T})-1)[/LATEX]
Uno de los problemas seria Is que es la corriente de saturación en inversa y la otra el coeficiente de idealidad n, probando valores en la calculadora lo mas cercano lo tengo en n=2.077 con Is=13.1nA pero no cumple todos los cruces, es complicado determinar los valores I-V desde ese grafico. Si usamos la formula con esos valores indica 23nA a 400mV.

 

[tuxero]

Gracias a todos por vuestra ayuda