Hola comunidad espero que hallan pasado unas felices fiestas antes que nada . Acudo a ustedes con una duda como de costumbre (estoy trabajando en algo grande cuando lo termine será mi aporte como agradecimiento a que tanto los molesto jaja ).
Estoy diseñando una etapa de entrada de tensión para un PIC, la misma convierte cualquier tensión negativa a positiva ademas de rebajar tensiones de hasta 1000V con un divisor resistivo que varío en función de la tensión que mido para así obtener la mayor resolución posible.
El asunto es que todo funciona con una batería de Li-Ion de 3.3v a la cual elevo su tensión luego a unos 10V para otros circuitos, preferiría no tener que convertir esta tensión en negativa (-10V) entonces hice la simulación de mi etapa de entrada con operacionales usando 10V y GND.
En la simulación parece funcionar, utilizo el operacional LF353 de bajo offset y un ancho de banda de unos 3MHz al parecer alimentándolo con 10V y GND parece funcionar (en la simulación)... No tengo los componentes aún por eso pregunto... Funcionarán en verdad de esta manera tengo entendido que si pero no estoy seguro. Trae algún perjuicio que trabaje así ? La señal más rapida que pasara por ellos no será de mas de 1MHz.
Les adjunto el esquema, simulación en Multisim 11 y el link al datasheet del LF353.
Desde ya muchas gracias...
LF353: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS005649.PDF
Estoy diseñando una etapa de entrada de tensión para un PIC, la misma convierte cualquier tensión negativa a positiva ademas de rebajar tensiones de hasta 1000V con un divisor resistivo que varío en función de la tensión que mido para así obtener la mayor resolución posible.
El asunto es que todo funciona con una batería de Li-Ion de 3.3v a la cual elevo su tensión luego a unos 10V para otros circuitos, preferiría no tener que convertir esta tensión en negativa (-10V) entonces hice la simulación de mi etapa de entrada con operacionales usando 10V y GND.
En la simulación parece funcionar, utilizo el operacional LF353 de bajo offset y un ancho de banda de unos 3MHz al parecer alimentándolo con 10V y GND parece funcionar (en la simulación)... No tengo los componentes aún por eso pregunto... Funcionarán en verdad de esta manera tengo entendido que si pero no estoy seguro. Trae algún perjuicio que trabaje así ? La señal más rapida que pasara por ellos no será de mas de 1MHz.
Les adjunto el esquema, simulación en Multisim 11 y el link al datasheet del LF353.
Desde ya muchas gracias...
LF353: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS005649.PDF
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