Diodo y resistencia paralelos en serie con gate de Mosfets conmutando ?

Buenas Noches. Revisando los diagramas de varias fuentes LCD me di cuenta que el pin del IC controler que da el pulso PWM al mosfet de potencia en la etapa primaria de la SMPS , tiene normalmente un diodo y resistencia en paralelo. En algunos diagramas no los tiene y en muchos otros si. Yo especulo que deben servir para algun tipo de proteccion del drive del IC controler.

Sin embargo, no me cuadra porque (que yo sepa, aunque no estoy seguro) el gate del MOSFET no devuelve corriente. Ademas Hay otros diagramas que no lo tienen.

Les dejo algunos diagramas: en el primero tiene diodo en paralelo con resistor y en el segundo no.


smps1.png


smps2.png

Saludos A todos.
 
Es para mejorar la velocidad de descarga del capacitor interno del MOSFET, al mejorar esa velocidad, mejora el el tiempo de apagado.
 
Es para mejorar la velocidad de descarga del capacitor interno del MOSFET, al mejorar esa velocidad, mejora el el tiempo de apagado.

Muchisimas gracias fogonazo.

Cuando te refieres al capacitor interno supongo que te refieres a la capacitancia de entrada gate-source ya que es mas grande que la capacitancia de salida drain-souce.

Disculpa mi ignoracia pero no veo de que manera el diodo y resistor en paralelo logran mejorar esa velocidad. He buscado mucho sobre el circuito de resistor y diodo en paralelo pero no he encontrado nada. Si me podrias ayudar aunque sea muy brevemente cuales son las caracteristicas basicas de un circuito resistencia y diodo en paralelo te lo agradeceria demasiado.

Saludos.
 
. . . Cuando te refieres al capacitor interno supongo que te refieres a la capacitancia de entrada gate-source ya que es mas grande que la capacitancia de salida drain-souce. . . .

Exacto

Muchisimas gracias. Eso quiere decir que en general se puede poner casi siempre un circuito diodo resistencia en paralelo en el gate de un MOSFET para mejorar su tiempo de apagado ?

Y eso ¿ No es lo que escribí ? ;)

Es para mejorar la velocidad de descarga del capacitor interno del MOSFET, al mejorar esa velocidad, mejora el el tiempo de apagado.[/QUOTE]
 
muchas gracias. Pero una pregunta y prometo que ya no molesto con esto.

Para la descarga de la capacitancia del MOSFET yo hubiera creido que se tenia que descargar a tierra. No entiendo como la capacitancia del MOSFET se descarga en el propio PIN del driver del IC
 
muchas gracias. Pero una pregunta y prometo que ya no molesto con esto.

Para la descarga de la capacitancia del MOSFET yo hubiera creido que se tenia que descargar a tierra. No entiendo como la capacitancia del MOSFET se descarga en el propio PIN del driver del IC


El driver cuándo apaga la señal de GATE lo que hace es cortocircuitar a través del diodo/resistencia mediante un transistor(driver) el GATE con SURTIDOR.
 
El driver cuándo apaga la señal de GATE lo que hace es cortocircuitar a través del diodo/resistencia mediante un transistor(driver) el GATE con SURTIDOR.

Muchas gracias gudino. Cuando dices que el gate lo que hace es cortocircuitar mediante un transistor driver (cuando se apaga) te refieres a un transistor driver interno que tiene el IC ?? Mas cocretamente te refieres a este transistor driver ?? (ver diagrama )

smpsss.png
 
Bueno gudino. En realidad no tengo muy claro de que forma descarga la capacitancia interna del MOSFET ya que segun veo no la descarga (la capoacitancia) hacia tierra sino hacia el pinout driver del IC. Ahorita no le voy a dar largas a este tema . Pero al menos ya se para que sirve el circuito resistencia-diodo en paralelo en el pinout driver de las fuentes conmutadas.

Muchas Gracias
 
Bueno gudino. En realidad no tengo muy claro de que forma descarga la capacitancia interna del MOSFET ya que segun veo no la descarga (la capoacitancia) hacia tierra sino hacia el pinout driver del IC. Ahorita no le voy a dar largas a este tema . Pero al menos ya se para que sirve el circuito resistencia-diodo en paralelo en el pinout driver de las fuentes conmutadas.

Muchas Gracias
Hola a todos , caro Don dayo lo CI Driver del transistor MosFet de potenzia es conposto por dos transistores MosFet en configuración "Toten- Pole" , un tipo "N" para VCC y otro tipo "P" para tierra o masa.
Eses dos transistores funcionam como una llave , lo de arriba tipo "N" cuando tiene su canal cerriado carga la capacitancia de Gate del transistor MosFet de potenzia con VCC , ya lo de bajo tipo "P" cuando cerriado descarga para la tierra o masa la capacitancia de gate del transistor MosFet de potenzia.
Att,
Daniel Lopes.
 
Hola a todos , caro Don dayo lo CI Driver del transistor MosFet de potenzia es conposto por dos transistores MosFet en configuración "Toten- Pole" , un tipo "N" para VCC y otro tipo "P" para tierra o masa.
Eses dos transistores funcionam como una llave , lo de arriba tipo "N" cuando tiene su canal cerriado carga la capacitancia de Gate del transistor MosFet de potenzia con VCC , ya lo de bajo tipo "P" cuando cerriado descarga para la tierra o masa la capacitancia de gate del transistor MosFet de potenzia.
Att,
Daniel Lopes.

Muchas gracias dani. Ahora si lo veo mas claro. Aunque segun el datashet los dos transistores son tipo N
 
Los mosfet internos funcionan como llaves, no importa que sean de la misma polaridad, su control se encarga de que bascule entre masa y la alimentación, es decir cuando uno conduce el otro esta apagado y viceversa
 
No tengo palabras para describir lo que me han ayudado. Sobre todo porque este punto tan especifico es imposible encontarlo en Internet. Gracias a todos por si colaboración

Tal vez asi te das cuenta más fácil.
Ver el archivo adjunto 176165

Saludos.

Ric.

Ricveri . No hay como agradecerte hermano. Resumiste toda la arquitectura a su función más básica y pude entenderlo . Ahora tengo que estudiar el diseño toten pole y push pull. . .

Otra pregunta. En tu ejemplo pusiste la resistencia de 47 k igual que en el diagrama. . Cuál es la función de esa resistencia tan alta allí ?
 
. . . Otra pregunta. En tu ejemplo pusiste la resistencia de 47 k igual que en el diagrama. . Cuál es la función de esa resistencia tan alta allí ?

Podría NO estar, y seguramente NO pasaría nada, pero es sano que este.

No es bueno que la compuerta (GATE) del MOSFET quede sin conexión en ninguna circunstancia, esa resistencia garantiza esa conexión.

Un caso sería que se retire el IC driver de un supuesto zócalo, el MOSFET quedaría con GATE sin conexión alguna.
 
En tu ejemplo pusiste la resistencia de 47 k igual que en el diagrama. . Cuál es la función de esa resistencia tan alta allí ?
Hola a todos , caro Don dayo esa resistencia (resistor) de 47K que pensas tan gran asi es para garantizar que lo Gate del MosFet NO "vole al azar" una ves que su inpedancia es casi un abierto para DC (curriente continua).
Si un Gate de un transistor MosFet si queda "volando" eso es muy periculoso porque puede desenvolver una tensión estactica suficiente para cerriar lo canal Dreno y Sourse (Rds On)
Att,
Daniel Lopes.
 
También habrás visto, en el otro esquema que pusiste que en lugar de un diodo tiene un capacitor, este debería ser igual al interno de esa forma el valor total queda reducido a ala mitad.
Cada quién que diseña utiliza uno u otro método según conveniencia.
No en todos los diseños están, de igual modo, que el driver se realiza con esa salida push pull, pueden ser mosfet o pueden bipolares.
Hay opto acopladores para conducir Mosfet que ya tienen esa configuración interna.
Ese valor de 47k es un compromiso, entre que no moleste para el encendido, también ayuda a que la tensión no se exceda y evita que el mosfet vuele.
Todo esto no esta en internet en forma directa o clara, pero si esta en muy buenos manuales que hay que leer, como por ejemplos los de electrónica de potencia, diseño de fuentes conmutadas y otros, los mejores obvio en inglés, pero hoy por hoy no debería ser un problema.
Para traducciones técnicas olvídate del traductor de google busca el "babylon fish"
También esta en apuntes de cátedra de distintas universidades
 
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