Diodo y resistencia paralelos en serie con gate de Mosfets conmutando ?

Perdonen mi intromisión y permitan dar mi opinión según yo R2 tiene como función la descarga de la capacitancia de el gate y a si hacer que el apagado del mosfet sea más rápido e también evitar que por error se encienda debido a su alta impedancia en el gate e R1 limita la corriente que entrá en el gate en estado alto mientras que el diodo Es para que cuando lo mandamos astado bajó la corriente fluya por el camino más corto osea el diodo corrijanme si me equivoco.
 
Me han ayudado demasiado. Gracias a todos.
No
Perdonen mi intromisión y permitan dar mi opinión según yo R2 tiene como función la descarga de la capacitancia de el gate y a si hacer que el apagado del mosfet sea más rápido e también evitar que por error se encienda debido a su alta impedancia en el gate e R1 limita la corriente que entrá en el gate en estado alto mientras que el diodo Es para que cuando lo mandamos astado bajó la corriente fluya por el camino más corto osea el diodo corrijanme si me equivoco.

Hola kuro. . . Después de mucho estudio y mucha ayuda me di cuenta que R1 No es precisamente para limitar la corriente del gate. Su función principal es evitar que cuando pasa de un Estado alto a un Estado bajo (en la señal PWM ) la transición sea demasiado rápida.

Por que ? Pues porque si la transicion es "casi" instantanea eso crea un rebote por debajo del voltage de tierra.

Aqui esta explicado por una de las mejores compañías de electrónica (mira los graficos 4 y 5 ):

http://www.ti.com/lit/an/slla385/slla385.pdf
 
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Fogonazo

"Qualified exorcist approved by the Vatican"
Un caso mas "Extremo" se emplea un transistor PnP para cortocircuitar la carga eléctrica de GATE y llevar el MOSFET a corte mas rápidamente.
 

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También habrás visto, en el otro esquema que pusiste que en lugar de un diodo tiene un capacitor, este debería ser igual al interno de esa forma el valor total queda reducido a ala mitad.
Cada quién que diseña utiliza uno u otro método según conveniencia.
No en todos los diseños están, de igual modo, que el driver se realiza con esa salida push pull, pueden ser mosfet o pueden bipolares.
Hay opto acopladores para conducir Mosfet que ya tienen esa configuración interna.
Ese valor de 47k es un compromiso, entre que no moleste para el encendido, también ayuda a que la tensión no se exceda y evita que el mosfet vuele.
Todo esto no esta en internet en forma directa o clara, pero si esta en muy buenos manuales que hay que leer, como por ejemplos los de electrónica de potencia, diseño de fuentes conmutadas y otros, los mejores obvio en inglés, pero hoy por hoy no debería ser un problema.
Para traducciones técnicas olvídate del traductor de google busca el "babylon fish"
También esta en apuntes de cátedra de distintas universidades
Lo que comentas tiene sentido. Yo había leído que ese capacitor era una forma de evacuar las cargas presentes en la juntura gate/source en exceso, la forma de hacerlo es sencilla, cuando la salida del driver está en alto, el capacitor se carga con una polaridad +/-, luego cuando la salida pasa al estado bajo, ese capacitor queda puesto a masa con el potencial positivo hacia abajo, lo cual hace que en el gate quede con un potencial negativo, haciendo que la velocidad de evacuacion de esas cargas sea mas rápida. Perdón que lo haya explicado con palabras pero no tengo la compu a mano, si no se entendió luego subo un esquema de lo que dije. Saludos
 
Y cuál es la función de una R en serie a Gate???
Se suele utilizar más que nada cuando hay más de un mosfet puesto en paralelo, aunque también lo he visto cuando hay uno solo. La idea de esa resistencia cuando hay más de un mosfet y que están todo en paralelo para poder manejar más corriente, es la de establecer una constante de carga RC más o menos igual para todos los mosfet, y así evitar el stress por corriente que puede producir la activación de desincronizada de los mosfet.
 
Yo encuentro recurrente esta configuración en diver de MOSFET/IGBT en soldadores inverter a 60khz-100khz, me causa curiosidad que C1 no se suma a la carga de gate del MOSFET/IGBT? :unsure: o que función cumple allí, cabe destacar que la forma de onda es perfecta.
 

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Fogonazo

"Qualified exorcist approved by the Vatican"
Yo encuentro recurrente esta configuración en diver de MOSFET/IGBT en soldadores inverter a 60khz-100khz, me causa curiosidad que C1 no se suma a la carga de gate del MOSFET/IGBT? :unsure: o que función cumple allí, cabe destacar que la forma de onda es perfecta.
¿ Estas seguro de haber mirado correctamente el circuito ? :unsure:
 
Se suele utilizar más que nada cuando hay más de un mosfet, aunque también lo he visto cuando hay uno solo....

Además de establecer una constante de carga igual para todos los mosfet o ser una posible protección por si hay algún corte gate fuente tendría algúna otra función esa resistencia cuando es el caso de un solo MOSFET?

Es que lo he visto en varios casos con un solo MOSFET y no quisiera quedarme con la duda.
 

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Dr. Zoidberg

Well-known-Papá Pitufo
Ese circuito hace la carga de la capacidad compuerta-fuente con la resistencia de 15 ohms y la descarga con la de 1.5 ohm mas el diodo.
Habria que analizar el comportamiento del cap de 10 nF, pero probablemente sea para controlar la velocidad de crecimiento de la tension a traves de la R de 15 ohms.
 
¿ Estas seguro de haber mirado correctamente el circuito ? :unsure:

Si Sr acabo de confirmar otro par de veces, el circuito es muy simple de seguir pues tiene una pequeña tarjeta desmontable donde esta el transformador driver. Tiene 4 salidas con el mismo circuito driver, que en este caso maneja 4 IGBT MBQ60T65PES a 60khz, en la parte de rectificación tien 4 diodos rápidos dobles FFA60UP30DN seria interesante COPIAR esta parte del circuito e implementarla en una pequeña SMPS para audio.
Ese circuito hace la carga de la capacidad compuerta-fuente con la resistencia de 15 ohms y la descarga con la de 1.5 ohm mas el diodo.
Habria que analizar el comportamiento del cap de 10 nF, pero probablemente sea para controlar la velocidad de crecimiento de la tension a traves de la R de 15 ohms.

Pero ese capacitor allí aumenta la carga de gate haciendo mas "difícil" manejar el MOSFET/IGBT ? claro esta que el trafo diver es manejado por un SG3525 con 2 mosfet canal N y 2 mosfet canal P en push-pull. (IRFZ24N/IRF9Z24N) con eso se puede controlar cualquier mosfet o igbt! no ?
 
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Un caso mas "Extremo" se emplea un transistor PnP para cortocircuitar la carga eléctrica de GATE y llevar el MOSFET a corte mas rápidamente.

O un par NPN y PNP en push pull:
Yo creería que el NPN polariza el IGBT (también lo he visto en MOSFETs) y el PNP "cortocircuita" para apagarlo.

 

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Bien parece que encontré algo de info sobre ese capacitor, pero no logro entender muy bien pues uso google para traducir, alguien podría explicar algo del funcionamiento del capacitor en palabras mas sencillas.
 

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DOSMETROS

High 2m Modereitor
Hay circuitos que usan un único transformador driver para manejar o dos (half-bridge) o 4 (full-bridge) Mosfets o IGBT's

Además de tener en cuenta los parámetros propios de semiconductor en el diseño , se agrega el famoso resistor limitador para carga "lenta" y el díodo inverso para la descarga rápida. Ese capacitor , además de evitar el "autodisparo" también retrasa el encendido para evitar que encienda antes que el otro haya apagado , lo cual sería un cortocircuito con el volado de toda la etapa :mad:.

El retraso es de milisegundos y si bien queda trabajando en la etapa lineal , el corto tiempo hace que no disipe tanto calor y pueda ser controlado con un pequeño disipador + aire forzado.
 

Daniel Lopes

Miembro Geconocido
Y R-gate para que es... ???
Hola a todos , hasta onde se ese resistor de bajo valor Ohmico en serie con lo Gate del MosFet es para diminuir o eliminar casi que lo possible for los "rings" o mejor oscilaciones amortezidas de altisima frequenzia que ocorre justamente cuando hay troca de polaridad en lo sinal cuadrado (o sea en las bordas dese sinal).
Att,
Daniel Lopes.
 
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