Estoy inmerso en el diseño de un driver para IGBT, pero me asalta un problema. Una de las características de debe tener esta fuente es que en conmutación debe ser capaz de inyectar grandes cantidades de corriente pico (40 A) a la puerta del IGBT- para cargar lo más rápido posible las capacidades parásitas de puerta, pero en conducción o bloqueo apenas debe aportar corriente. Pues bien, la etapa final utilizado para ello es un push-pull convencional mediante MOSFET-s. Aquí viene el problema, no se que MOSFET-s elegir, ya que me interesa que sean de la menor potencia posible pero con una gran capacidad de corriente pico.
Os agradecería si me remitierais información sobre MOSFET-s de baja potencia con gran capacidad de corriente de pico. O alguna otra configuración que soporte las características mencionadas.
Un saludo.
Os agradecería si me remitierais información sobre MOSFET-s de baja potencia con gran capacidad de corriente de pico. O alguna otra configuración que soporte las características mencionadas.
Un saludo.