Duda protección contra alimentación con polaridad invertida

Hola: Necesito proteger una plaqueta contra una alimentación con polaridad invertida, como la plaqueta es alimentada por una fuente uqe entrega la misma tensión que la placa necesita, no puedo usar diodos (ni siquiera schottky) por la caída de tensión que producirían, entonces pensé en usar MOSFETs (con una baja RDSon de entre 40 a 80 mohm) de canal P en la rama positiva de la alimentación, o canal N en la rama negativa.
Dado que los mosfet P son más difíciles de conseguir que los de canal N, pensé en utilizar un MOSFET N en la rama negativa; ahora la pregunta es ¿Existe alguna contraindicación para esta configuración de colocar un MOSFET N en la rama negativa de la alimentación para proteger al circuito contra alimentación con polaridad invertida?
 
Hola yo recomendaria usar un fusible y un diodo polarizado inversamente y en paralelo con la fuente de poder asi cuando se invierta la alimentacion conduce el diodo y quema el fusible...
 
Al poner el FET en el retorno, la masa de tu equipo ya no está al mismo potencial que la de la fuente. Fijate que incluso para un bajo consumo de 1A ya tenés una diferencia entre las tierras de 80mV.
Esa es la desventaja del circuito que vos proponés, y es por esa razón que algunos prefieren agregar un driver con elevador de tensión (high side mosfet driver) para poner el MOSFET N del lado del positivo.

Por otra parte. No te olvides que el MOSFET tiene un diodo parásito, es muy importante conectarlo en la orientación correcta, de manera que el diodo quede en inversa si conectan la fuente al revés-
 
Última edición:
Pon un conector que solo tenga una posición. Si no encuentras pon uno simétrico con tres pines, en los dos extremos por ejemplo positivo y en el centro negativo. Si se le da la vuelta va igual.
 
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