Duda transistor arreglo Darlington

Sucede que se me está quemando el primer transistor en un arreglo Darlington
Mi duda es: ¿La corriente de colector del primer transistor Ic debe ser mayor o igual a la corriente de base Ib del segundo transistor?
¿En mi caso la corriente de Ic del primer transistor es menor a la corriente de base del segundo transistor esta pudiera ser la causa de que se me queme el primer transistor?
 
Sucede que se me está quemando el primer transistor en un arreglo Darlington
Mi duda es: ¿La corriente de colector del primer transistor Ic debe ser mayor o igual a la corriente de base Ib del segundo transistor?
¿En mi caso la corriente de Ic del primer transistor es menor a la corriente de base del segundo transistor esta pudiera ser la causa de que se me queme el primer transistor?
Si , el primer transistor ha de soportar una corriente mayor de la que consume la base del segundo.
 
Última edición por un moderador:
Sucede que se me está quemando el primer transistor en un arreglo Darlington
Mi duda es: ¿La corriente de colector del primer transistor Ic debe ser mayor o igual a la corriente de base Ib del segundo transistor?
¿En mi caso la corriente de Ic del primer transistor es menor a la corriente de base del segundo transistor esta pudiera ser la causa de que se me queme el primer transistor?
Hola a todos , caro Don djyoan se no for de muchas molestias , ? podrias subir un diagrama esquemactico con detalles de que armaste?
? Cual son los transistores enpleyados , cual es la carga que ese transistor Darlingto debe manejar ?.
Te pregunto todo eso para puder ayudarte mejor con mas propriedad y sin recorrer en adiviñaciones.
Att,
Daniel Lopes.
 
Estuve estudiando los Darlington y tienen algunos inconvenientes:
  • La tensión de polarización para que conduzca ha de ser 2 veces mayor, ya que las uniones B-E de los dos transistores están en serie.
  • La tensión C-E del Darlington no es baja en saturación…. ya que la tensión de la unión B-C del primer transistor juega en su contra; El Darlington se "queda" con una VCE entre 0'7 y 2 volt.
  • Al tener que activar las dos uniones B-E, el transistor Darlington es más lento que uno normal, y también es más lento al dejar de conducir. Por lo que se usan las resistencias en paralelo con las uniones B-E de los dos transistores; y esto también hace que baje la βeta .
¿¿¿Y pensé bueno …la tecnología existe por algo y si uso un Mosfet antes del BJT???

Así pudiera controlar el BJT por voltaje y olvidarme de la corriente además me quito el arreglo de transistores Darlington y sus inconvenientes.

He visto los IGBT, pero… sucede que los IGBT usan un BJT canal P y no N

¿Creo que para usar un BJT de canal N con un mosfet de driver tendría que usar una R de potencia para la base…

¿Sería esto de la imagen adjunta mejor que un Darlington?
 

Adjuntos

  • prueba-mosfet&bjt.jpg
    prueba-mosfet&bjt.jpg
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Es que esa configuración también la puedes hacer con dos bipolares y ya tienes VCE SAT de 0,2V.
Ya no es un darlington

Por cierto, BJT = Bipolar Junction Transistor y por lo tanto no tiene canal ni p ni n
 
Es que esa configuración también la puedes hacer con dos bipolares y ya tienes VCE SAT de 0,2V.
Ya no es un darlington

Por cierto, BJT = Bipolar Junction Transistor y por lo tanto no tiene canal ni p ni n

Cierto la palabra no es "canal X" ya que el transistor consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: PNP y NPN. Lo que quise decir es que en los IGBT se emplean transistores PNP y no NPN. Gracias por la aclaracion.
 
Hola a todos , en realidad un IGBT es la unión de un transistor tipo Mosfet con otro tipo bipolar , o sea la entrada es un Gate de elevadisima inpedancia ( casi un abierto ) y la salida es un transistor Bipolar comun.
Att,
Daniel Lopes.
 
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