Fabricar un super transistor con diodos

Seguramente se podrá a fin de cuentas el primer transistor se hizo bastante artesanalmente.
Ahora que el funcionamiento será una calamidad
 
el transistor de mis sueños es el siguiente: VCE,; 1000 V PODER DE DISIPACIÓN : 1500W, HFE 100, IC.:80 AMP CON ESO ME CONFORMO.
 
¿1500W de disipación? Eso tendrá el tamaño de una caja de zapatos
Serán 1500W de control, no de disipación en el dispositivo, digo yo.
 
potencia es igual al V.I que es igual a: 1000 por 80 que es igual a :8000w en teoria.
Antes de que tiren la cadena, creo que el tema merece una muerte digna.
Lo que estás diciendo es prácticamente una aberración! Los parámetros V e I, no se dan simultáneamente, es decir cuándo exista 1000V(estado de corte) entre colector-emisor, pues la corriente será prácticamente cero.
Cuándo el transistor esté saturado, la corriente podría ser máxima, supongamos 80A, pero la tensión colector-emisor, será de algunas décimas de volts, y ahí se encuentran las dos magnitudes, que darán lugar a la potencia disipada por el dispositivo.
 
Última edición:
Si se usa en la zona lineal, entonces P= Uce*Ic y si quieres ser exquisito añades la potencia de polarización de la base + Vbe* Ib

Pero si se usa en conmutación es "cero".

Si conduce Uce≈0 por lo que P=Ic*Uce(sat)≈0 osea "poca potencia"
Si no conduce
Ic=0 por lo que Uce=Ucc y P =Ic*Ucc =0

Esto es un poco mentira porque cuando se satura Uce no es 0 pero bueno.

Quiere decir que un transistor controlando una carga de 1000W disipará, por decir algo, 5W. Pero nunca 1000 ni un valor próximo.
 
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