La curva de salida de un transistor bjt npn tiene como variable independiente la tensión Vce. Necesariamente el colector tiene que ser mas positivo que el emisor. Desde un punto de vista constructivo el cristal semiconductor presenta dos junturas, la colectora y la emisora. La emisora se polariza directamente de modo de que el potencial de contacto disminuya una cantidad V1, de manera de que sea (Vcontacto - V1) por lo que los portadores mayoritarios puedan cruzarla por difusión. Y la juntura colectora se polariza inversamente de manera de que el potencial de contacto aumente una cantidad V2, por lo que su tensión pasa a ser (Vcontacto + V2), y los portadores mayoritarios no tengan la suficiente energía térmica para cruzarla pero si los minoritarios (que en este caso serían las cargas que inyecta el emisor).
Como tanto el colector y el emisor están dopados con impurezas donoras, el potencial de contacto está dado por iones fijos no neutralizados, que en sus zonas tienen carga positiva. ¿Es la diferencia en la concentración de iones la que crea el potencial Vce? Ya que el colector tiene una mayor cantidad de iones fijos positivos en la zona de agotamiento que el emisor.
Como tanto el colector y el emisor están dopados con impurezas donoras, el potencial de contacto está dado por iones fijos no neutralizados, que en sus zonas tienen carga positiva. ¿Es la diferencia en la concentración de iones la que crea el potencial Vce? Ya que el colector tiene una mayor cantidad de iones fijos positivos en la zona de agotamiento que el emisor.