Llave electrónica de alta tensión

[dragondgold]

Hola comunidad recurro a ustedes porque ya se me quemaron los libros Estoy haciendo un voltímetro con PIC, hasta ahora todo bien funcionando perfecto pero solo tiene una entrada con divisor resistivo de hasta 100V y quería aumentarlo hasta 1000V pero esto conlleva una pérdida de resolución entonces quería hacerlo por rangos como el tester.
Mi pregunta es si hay alguna clase de llave rotativa en la que pueda ir cambiando una de las resistencias del divisor resistivo para cambiar el rango pero que pueda comandar desde el PIC. Quería evitarme el uso de relés porque voy a hacer 5 rangos pero si no hay otra forma no me quedará opción es por eso que recurro a ustedes haber si tienen alguna idea.

Desde ya gracias !!!

 

[Fogonazo]

No solo existen las llaves rotativas, sino que también existen las redes resistivas al 0.01% para hacer lo que quieres.

Ver el archivo adjunto 57858​

En un pack vienen resistencias en serie de 9MΩ, 0,9MΩ, 99KΩ, 9KΩ, 900Ω y 100Ω, especiales para hacer voltímetros encapsuladas en cerámica.
Ahora que conseguirlas no es fácil

 

[dragondgold]

Jajaja no por acá tomalo como que no se consigue eso no existe otro método ?

Saludos

 

[Fogonazo]

Jajaja no por acá tomalo como que no se consigue eso no existe otro método ?

Saludos

Armarte tu propio divisor con resistencias al 1%

 

[AVILA]

saludos, si existen llaves rotativas de 12 posiciones controladas con un dispositivo electromecanico, pero no te la recomiendo ya que no hay versatilidad de selección y el consumo de este dispositivo es elevado, considero a mi punto de vista que es mejor utilizar los reles que mencionas, hay configuraciones muy practicas que puedes aplicar y con pocos reles puedes controlar muchas posiciones (entradas o salidas a partir de un común) te anexo un selector que se me ocurrio para algo parecido, esta en cirmarker pero lo puse en un documento de word, espero te sirva

 

[cosmefulanito04]

Si usas transistores/mosfet para modificar el divisor resistivo:

- Opción 1:



- Opción2:



Los valores y el modelo de transistor es a modo de ejemplo para darte una idea de como sería el circuito (el 2n7000 solo se banca 60v Vds). Tené en cuenta que para que en este caso el mosfet no te meta mucho error su rds(on) debería ser despreciable frente a la resistencia/s que tiene en serie, en el caso del 2n7000 con 5v de gate suele ser de 1 a 5 ohms (nada).

Otra cosa, la opción 1 tiene la desventaja que todos los transistores se tienen que bancar la máxima Vds que será:

[LATEX]V_{ds-max}=V_{medir-max}.\frac{R2}{R2+R1}[/LATEX]

Otra desventaja es que el divisor quedará en función de un paralelo.

En cambio en la opción 2, el M2 es el que se va a tener que bancar la mayor tensión y el resto de los transistores no necesariamente lo tengan que hacer. Además el divisor quedará en función de resistencias en serie.

Por último podrías agregar una protección como los diodos:

 

[dragondgold]

Cosmefulanito me pareció muy interesante tu propuesta lo había analizado con MOSFET pero nó de esa manera. Asumiendo que mi R1 es de 10M y mi R2 es de 680K la máxima tensión que debería soportar el MOSFET sería de 70V aproximadamente ? Eso lo haría bastante interesante...

Saludos y gracias !!

 

[cosmefulanito04]

Cosmefulanito me pareció muy interesante tu propuesta lo había analizado con MOSFET pero nó de esa manera. Asumiendo que mi R1 es de 10M y mi R2 es de 680K la máxima tensión que debería soportar el MOSFET sería de 70V aproximadamente ? Eso lo haría bastante interesante...

Saludos y gracias !!

Si, eso se daría con la opción 1, en cambio con la opción 2 se daría esto:



Para facilitar el cálculo suponemos esto:

[LATEX]R_{1}=R_{2}=R_{3}=R_{N}[/LATEX]

[LATEX]V_{1-max}=V_{medir-max}.\frac{R_{2}+R_{3}+R_{N}}{R_{1}+R_{2}+R_{3}+R_{N}}=V_{medir-max}.\frac{3}{4}[/LATEX]

[LATEX]V_{2-max}=V_{medir-max}.\frac{R_{3}+R_{N}}{R_{1}+R_{2}+R_{3}+R_{N}}=V_{medir-max}.\frac{1}{2}[/LATEX]

[LATEX]V_{3-max}=V_{medir-max}.\frac{R_{N}}{R_{1}+R_{2}+R_{3}+R_{N}}=V_{medir-max}.\frac{1}{4}[/LATEX]

La tensión que se va a tener que bancar M2 será V2, en cambio M1 se tiene que bancar V3.

 

[dragondgold]

Muchas gracias cosmefulanito me fue de gran ayuda, estuve simulando y usé los 2N7000 por su pequeño encapsulado y coloqué los diodos para evitar que la tensión supere los 5V en la salida del divisor resistivo por lo que los MOSFET también están protegidos dejo el esquema si notas algún error o por si a alguien le lleva a servir...