Paralelizado de IGBT

Hola a todos!

Tengo ciertas dudas de cómo se pueden colocar en paralelo dos o más IGBT para que se repartan la corriente. Debido a que comparten características con los BJT (coeficiente de temperatura negativo) y los MOSFET (coeficiente de temperatura positivo), ¿cuál de los dos predomina cuando la temperatura sube?

Los MOSFET pueden operar en paralelo ya que si Tª sube, Ids sube, Rds(ON) sube y en consecuencia Id baja autorregulandose. En BJT se pueden usar unas resistencias ecualizadoras de bajo valor para impedir que la corriente Ice a su través aumente indefinidamente al aumentar la temperatura. Como dos IGBT nunca son exactamente iguales físicamente alguno de ellos va a conducir mayor cantidad de corriente que el otro, y en consecuencia aumentar su temperatura. ¿Qué elementos hay que emplear para la autorregulación?

Gracias a todos los que contestéis y si existe algún esquemilla o alguna web que trate el tema mejor que mejor. Es que no encuentro nada.

Un saludo.
 
Hola.

Tengo la misma consulta...

¿Cómo se puede operar dos IGBT en paralelo?
¿o no es recomendable?

Gracias.
 
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estimado metalmetropolis, fijate que hoy dia hay IGBTs de coeficiente termico positivo, como los MOSFET con lo cual, bajo ciertas condiciones pueden operar en paralelo. fijate este datasheet por ejemplo
 
Hola a todos:

Muy agradecido por su respuesta.
Estuve leyendo la información que han subido al foro y conseguí sacar la duda :apreton:

Además, quería agregar que presencié una aplicación en un inversor monofásico con salida de 400A, a 220Vca, en el cual han conectado en configuración de puente H, la cantidad de 8 IGBT (agrupados de a 2 en paralelo).

Por último, agregar que existen en el mercado muchos driver que ya vienen listos y que permiten la operación en paralelo de IGBT. (Aprovecho de subir una hoja de datos de un SEMIKRON). El problema de lo que viene listo, como siempre, es el costo.

Hasta luego !
 

Adjuntos

  • SKHI_23_17_R_L5002373.pdf
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Siendo los IGBT dispositivos netamente de potencia, no así los transistores, donde la reparación o implementación de un circuito implica un" supuesto o sobreentendido" mayor costo , ..personalmente prefiero colocar los originales o equivalentes sobredimensionados, no recurro al paralelaje de IGBT.
 
Amigo metalmetropolis, el problema que conlleva toda coneccion "paralelo", en dispositivos semiconductores, radica en los tiempos de conmutacion entre otros, aun siendo de la misma marca, modelo, lote, etc. existen diferencias traducidas como "ns" nanosegundos quizas, pero esa insignificante diferencia hara que un dispositivo conduzca antes que el otro o viceversa, provocando un sobreesfuerzo adicional(valga la redundancia) por alguno de ellos, al quedar solo a la deriva con toda la corriente que antes en un breve tiempo, ambos manejaban juntos, tarde o temprano traera dolores de cabeza, fogonazo lo menciono en el post #3, y estoy muy de acuerdo con ello.
 
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