potencia de mosfets sobrepasada en fuente atx

#1
Hola, abro este tema por algo que note varias veces, pero en este caso especifico es muy extraño. antes había notado que las fuentes atx tienen una potencia máxima superior a la máxima de los transistores de switcheo pero siempre supuse que era una estafa simplemente.

Ahora encuentro esta fuente " NZXT HALE90 V2 850 W " de la cual se hizo una revisión en "hardware secrets" resulta que tal fuente tiene según una potencia total incluso mayor a la especificada. pero en su etapa de potencia tiene dos SPA11N80C3 y un FQPF3N80C. que en total tienen una potencia total de 107w

Así que simplemente no entiendo por que sucede esto. siempre tuve en consideración que estos valores deberían estar como mucho al 80% pero aquí se sobre pasa muchas veces. incluso si sumáramos esta potencia con las del pfc ni siquiera llegaría a los 600w.

¿como es esto posible?
 

Adjuntos

Fogonazo

Exorcista & Moderador eventual
#2
¿ Entiendes que los MOSFET trabajan en conmutación ?
 
#3
si, comprendo que los mosfets no trabajan en la región lineal. pero... ¿al trabajar el mosfet en saturacion se pude superar la potencia maxima descrita en el datasheet? de ser asi. como uno puede saber la potencia maxima real?
 

Fogonazo

Exorcista & Moderador eventual
#4
La potencia indicada en el datasheet es la de disipación total del dispositivo.
La potencia disipada en modo conmutado es muy, muy baja. Simplificando mucho será la caída de tensión en el estado On multiplicada por la intensidad y dividido por el tiempo que se encuentre activado.
 
#5
no soy demasiado entendido en electrónica pero déjame ver si entiendo. la potencia indicada en el datasheet es la disipación total del dispositivo y no la la potencia que es capaz de manejar.

y la disipación esta dada por la caída de tensión por la corriente.
entonces suponiendo que la fuente en cuestión maneja un voltaje de 320v tendríamos que:

I=W/V → 2.65A

entonces suponiendo para fines prácticos que el transformador no es una carga inductiva y que topologia no es "active clamp reset forward"
tendríamos que:

R=V/I → 120.75

entonces como el mosfet se comporta como una resistencia supongo que la caida de voltaje se calcula como si de un divisor resistivo se tratara osea:

siendo Rds(on)=.45
(R2/R1+R2)xVin →(.45/121.2)x320=1.19V

entonces siendo la corriente que circula 2.65 y la caída 1.19v

W=3.15

¿osea que la potencia disipada seria solo eso? ¿estoy bien con las cuentas?
 
#8
Para que te hagas una idea, supon que el mosfet conduce a 2 A (al conducir tiene una tensión de conduccion pequeña). De repente ponemos el mosfet en corto, cuando esto pasa el mosfet pasa de tener muy poca tensión y alta corriente a exactamente lo contrario. Pues en este transitorio hay el producto VI es mayor.
Estas pérdidas dependen mucho de la frecuencia de conmutación de la fuente.

Espero que sirva esta aclaración.
 

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