Buen día amigos del foro. Mi pregunta es si al aplicar un voltaje de trabajo en un transistor Mosfet desconectado de los circuitos, y aplicar dicho voltaje entre el terminal "Gate" y el terminal "Drenaje" ya sea de canal P o de canal N se produce la carga de la capacitancia que hay entre el terminal Gate y el substrato del Mosfet, y si de esta manera se produce el "canal" de conducción entre "Drenaje" y "Fuente" (Source) y de ser esto cierto cuanto dura esa carga y si queda cargado mucho tiempo habría que cortocircuitar los terminales de "Drenaje" y "Fuente" para descargar esa capacitancia y así poder eliminar el "Canal" de conducción entre "Drenaje" y "Fuente" formado al cargar esa supuesta capacitancia. Es esto cierto o el funcionamiento no es así amigos. Les agradecería mucho si me aclaran esta duda. Saludos amigos.
hola, como estas ?
mira, yo no suelo usar los MOSFET pero si hice pruebas y una vez consulte aca y si, efectivamente hay una capacitancia entre la puerta y uno de los terminales.
vos preguntas algo que me parece especifico, si le metes tension "estando desconectado de el circuito " ?¿?¿?¿
no es usual.
por lo que recuerdo, esa capacitancia es la que juega en contra >>>
1 -- no te permite velocidades altas de control
2 -- a pesar de que el gate NO consume nada de corriente tenes que ponerle una cierta resistencia baja , para que en off se descargue rapido esa capacitancia ( o ver otro modo ) .
asi que , si vos haces un circuito electronico, en una placa , se supone tenes que tener en cuenta eso y hacer que la parte de disparo de el gate tenga la manera de descargar esa capacidad parasita.
asi que , en el momento que conectes el MOSFET al circuito, pues se descargara.
y si, esa capacidad esta, y cuanto tarda en descargarse ?? , lo mismo que un capacitor cualquiera : eso depende de la resistencia de descarga.
alguna vez un colega incluso coloco aca un circuito para hacer un temporizador con un mosfet, sin necesidad de u capacitor, ya que usaba la misma capacidad de la entrada de el mosfet.
