¿ Con que me hago el llavero, con un MOSFET o un BJT ?

#61
Por eso digo que aquí en el foro se aprende de lo lindo :D.

Hazard ahora que lo recuerdo te iba a preguntar sobre ese esquema que publicaste por allá, la parte donde están esos mosfets, ya que en muchos otros diagramas habia visto BJT en esa parte, pero encontrar mosfet en tu esquema me parecio raro (interesante de una manera que no comprendia :LOL:), ahora con lo que se explicaba aquí mismo, en tu esquema están por lo que decías de que son fuentes de corriente controladas por tensión, en cuyo caso su performance como drivers de los BJT de salida no es tan variable como si fueran bipolares ¿cierto? y/o además ¿aportan otra ventaja extra?.

Ahora que lo veo bien creo que en mi caso tomaré tu esquema para relacionar parte de lo que se ha dicho en este post :D.

Saludos.
 
Última edición:
#62
...si queres gastar algo de tiempo y plata, y darte el gusto de usar mosfets y bipolares en el mismo ampli :rolleyes: mirate esto: https://www.forosdeelectronica.com/f31/opiniones-sobre-ampli-200w-60557/#post533201
Ese amplificador estuve tentado en probarlo, utiliza drivers mosfet como este que me encanta como suena, pero las resistencias metal film de 1/4w se consiguen perfectamente, las de 1W imposible, el resto de componentes sin problemas, asi que...

Saludos
 
#63
DOSMETROS dijo:
¿ Y el viejo truco de 4 en serie-paralelo ?
Vuelves a dar una solución, lo que ocurre en este caso, si te fijas en el espacio que hay para cada resistencia en este PCB , tendrían que ser de 1/4W a lo sumo de 1/2w, mas grandes no entran, por lo menos las que yo conozco, asi que para poner 4 resistencia verticales por cada una de las que hay ahora horizontales… habría que ponerlas muy bien alineadas para que ocupasen el mismo o algo menos del espacio que hay ahora, y al mismo tiempo quedasen bien estéticamente (seria algo visualmente curioso y puede que hasta atractivo) si no la placa quedaría como decimos por aquí: “…como una pelea de perros…”
A eso hay que sumar que aunque en metal film se consiguen muchos mas valores que en carbón, no se si conseguiría las adecuadas para que los valores no se desviasen mucho del valor original, tendría que verlo, aunque puede que un desvio pequeño no importe. Otra solución seria hacer un PCB nuevo y por ahora no es algo que me seduzca mucho la verdad.
Prefiero si no hay otra solución, montar uno de estos con los que estoy ahora, para los dos gustos: uno con salida a Mosfet y el otro con salida a BJT para que se decanten por uno u otro.
Saludos

StudioSE-schematic.jpg epsilon-schematic.jpg
 
#64
Quercus no puedo creer que si en argentina se consigan resistencias de metal film. De 1w en espana no.
Son las clasicas PR01 de 1w al 5%... en todo caso podes ponerle de 1/2w pero estarian mas justas
 
Última edición:

Cacho

Antiguo tableador
#65
Bueno, como nadie te contestaba :D

cuando se quiere tener un amplificador con el mejor amortiguamiento posible, lo ideal es usar BJTs, por el hecho de que presentan la menor impedancia a lazo abierto (los mosfet presentan mayor impedancia a lazo abierto)
Pero... ¿De qué valores de damping estamos hablando?.
Tengo la impresión de que discutimos sobre un auto que anda a 230km/h u otro que da 245km/h. Hoy por hoy ya no hay amplis que no cumplan sin problemas el tema del damping, salvo que estén muy mal diseñados.
En los valvulares es otro tema, porque ya entran otros asuntos a terciar (trafo de salida incluído) y podés irte al cuerno con el damping, pero ¿en estos diseños?.
¿Qué impedancia de salida podés tener en un caso u otro?
Sí, ya sé que eso del damping que pusiste tira agua para mi molino, pero me interesa más saber cómo viene la mano que ganar una discusión.

En otro orden de cosas, ¿cómo se articula esto con lo que ponías en febrero de 2011?
hace algun tiempo, no recuerdo donde, comente el hecho de que el factor de amortiguamiento debe ir de la mano del gabinete transductor, ni mucho damping ni poco damping...
Si no es una carrera loca por lograr dampings mejores y mejores, con que cualquier dispositivo pueda llegar a cierto valor ya estamos. ¿No?.
por otro lado, los bipolares tienen el gran inconveniente de que la ganancia del dispositivo depende de la corriente de colector de éste, cosa que no ocurre con los mosfet.
Bueno, eso es lo que decíamos de la compresión. Estamos de acuerdo en esto, sólo que hoy ya hay muchos bipolares que mantienen la ganancia mucho más estable que el venerable 3055.
...no hay sticking en el momento de saturacion.
Epa, que no los vamos a saturar (creo, aunque un poco de maldad siempre es posible :devilish:).
son menos sensibles a corrientes reactivas, ya que poseen diodo free weeling intrinseco (y es un diodo rapido de recuperacion suave).
Y ese mismo diodo se puede poner entre la salida y cada rama de alimentación, como se ve en muchísimos diseños.
Inclusive usan los 1N400x o sus hermanos mayores (igual de lentos, pero de más corriente). No digo que sean ideales ni mucho menos, pero si hasta esos andan...

Saludos
 
#66
Quercus no puedo creer que si en argentina se consigan resistencias de metal film. De 1w en españa no.
Son las clasicas PR01 de 1w al 5%... en todo caso podes ponerle de 1/2w pero estarian mas justas
Hazard, quiero decir en las tiedas de electrónica, metal film 1/4W todas 1/2W algunas 1W no hay, la opción de farnell o similares siempre esta ahí, solo que tienes que comprar en lotes de 25 y la mayoría para almacenarlas, seria la primera vez que las utilizara, aunque el precio no es ninguna ruina, son solo 10 valores, a 2 euros por valor, y siempre se pueden utilizar en otra cosa, cuando pida algo puede que las pida y lo monte pues me gusto el amplificador.

DOSMETROS dijo:
Lo de las resistencias verticales en serie paralelo lo decía como para armar un prototipo , aunque estéticamente ya lo hacían los japoneses hace mil

Te quedaría onda retro
Pues cuanto mas me lo estoy imaginando mas me gusta, tiene mucho trabajo pero quedaría retro retro… veremos.
Tavo dijo:
Las resistencias puestas verticalmente no quedan mal si están bien puestas. Yo me ayudo con un destornillador finito para hacer "la vueltita" de la pata que baja, entonces quedan todas iguales y no queda para nada desprolijo.
Tavo no es exactamente eso, es un poco mas elaborado. En el espacio donde tienes 1 resitencia hay que meter 4 en línea verticales, serie o paralelo para conseguir cuatro veces mas potencia 1/4W x 4 = 1W y el mismo valor de la recomendada.
Saludos
 

Cacho

Antiguo tableador
#68
¿Señores con diodo free weeling se refieren a esto?
A esos me refiero yo con lo de "reemplazarlos". Hazard habla de los diodos que vienen incorporados en los MOSFETs.
Si no los ubicás, mirá el datasheet de alguno de estos transistores (IRFP240, por ejemplo) y los vas a ver ahí dibujados.

Saludos
 
#69
bueno, por fin vuelvo a tener internet.... LPMQLP! en fin, cacho, como te decia, en la carrera por tener menor impedancia de salida en los amplis, se a llegado a hacer cualquier cosa, como por ejemplo tener 40-60dB de ganancia de lazo para bajar la impedancia de salida, con los bipolares se logra muuuy baja impedancia a lazo abierto, por ejemplo pensa lo siguiente, en un bipolar como por ejemplo el MJL21194, la tension base-emisor de éste varia de 650mV a 750mV en un rango desde 100mA hasta 1,5A (practicamente nada), y apartir de ahí la caida base-emisor sube desde 750mV a 2V desde 1,5A hasta 10A, en cambio los mosfet la relacion entre tension gate-source dependiendo de corriente de drain, es muuy variable, tanto que puede ir desde 3.5V con muy baja corriente hasta los 7V a plena corriente, aunque la curva es bastante recta a diferencia de los BJTs. ademas de esto, en los bipolares las resistencias de ecualizacion de emisor son de bajo valor, del orden de 0.33 o menor, cuando se usan mosfets, muchos en paralelo por ejemplo, hay que colocarles resistores de source de valor mas alto, puesto que la diferencia de transconductancia entre dispositivos es bastante alta, y ademas son de valores altos, del orden de los 15-20 mhos, con lo cual hay que colocar resistores de entre 1 y 2 ohms en serie con cada source cuando se usan varios dispositivos en paralelo, todo esto hace aumentar drasticamente la impedancia de salida a lazo abierto (ojo, tambien te podes comprar unos 100 transistores y tomarte un fin de semana apariandolos por transconductancia no?)...no me acuerdo en que whitepaper lei sobre el aumento de distorsion transitoria en transductores de media y alta frec (medios y agudos) dependiendo de la impedancia de salida del ampli... pero estaba muy interesante, por algo tambien, en medios y altos los valvulares suenan tan distinto a los amplis a BJTs, y por eso tambien los que son con salida mosfet se acercan bastante a los tubitos de vidrio, (ojo que la alta impedancia de salida de los valvulares no dependen en lo mas minimo de los trafos de salida, sino en la alta resistencia de placa de los pentodos de salida, los triodos presentan menor resistencia de placa, inclusive, hay una conexion exotica de primario del trafo de salida, llamada "carga repartida" para tener baja impedancia de salida con pentodos...)
 

Cacho

Antiguo tableador
#70
bueno, por fin vuelvo a tener internet.... LPMQLP! en fin, cacho, como te decia, en la carrera por tener menor impedancia de salida en los amplis, se a llegado a hacer cualquier cosa, como por ejemplo tener 40-60dB de ganancia de lazo para bajar la impedancia de salida, con los bipolares se logra muuuy baja impedancia a lazo abierto...
Pero la impedancia de salida no es algo tan preocupante una vez superados ciertos valores. Es como ir a 200 o 450km/h por la ruta. Es mucho cualquiera de los dos casos, suficiente como para hacerte paté contra la parte de atrás de un camión o llegar antes que todos los demás...
Y si esta impedancia es algo muy importante, entonces es una buena razón para usar bipolares y no MOSFETs, ¿no?.
...en un bipolar como por ejemplo el MJL21194, la tension base-emisor de éste varia de 650mV a 750mV en un rango desde 100mA hasta 1,5A (practicamente nada), y apartir de ahí la caida base-emisor sube desde 750mV a 2V desde 1,5A hasta 10A, en cambio los mosfet la relacion entre tension gate-source dependiendo de corriente de drain, es muuy variable, tanto que puede ir desde 3.5V con muy baja corriente hasta los 7V a plena corriente, aunque la curva es bastante recta a diferencia de los BJTs.
Pero eso va en contra de los MOS por el lado de la disipación. Y hace necesario usar algo a la hora de manejar sus gates si se quiere compensar esa variación.
...ademas de esto, en los bipolares las resistencias de ecualizacion de emisor son de bajo valor, del orden de 0.33 o menor, cuando se usan mosfets, muchos en paralelo por ejemplo, hay que colocarles resistores de source de valor mas alto, puesto que la diferencia de transconductancia entre dispositivos es bastante alta, y ademas son de valores altos, del orden de los 15-20 mhos, con lo cual hay que colocar resistores de entre 1 y 2 ohms en serie con cada source cuando se usan varios dispositivos en paralelo, todo esto hace aumentar drasticamente la impedancia de salida a lazo abierto...
¿Eso habla a favor del uso de los MOS?
...(ojo, tambien te podes comprar unos 100 transistores y tomarte un fin de semana apariandolos por transconductancia no?)...
Andar apareando transistores de la misma polaridad... Así nunca van a tener hijitos :D
...no me acuerdo en que whitepaper lei sobre el aumento de distorsion transitoria en transductores de media y alta frec (medios y agudos) dependiendo de la impedancia de salida del ampli... pero estaba muy interesante, por algo tambien, en medios y altos los valvulares suenan tan distinto a los amplis a BJTs, y por eso tambien los que son con salida mosfet se acercan bastante a los tubitos de vidrio...
El sonido característico de las válvulas se debe a su distorsión, y todos los defensores de los MOS hablan de lo preciso de su salida, no de que se asemejen al sonido valvular. El comportamiento de un MOS y el de uno de esos tubitos de ensayo con electrones vivos adentro es similar (convierten tensión en corriente), pero su sonidos no se parece más al de las válvulas que los de los BJT. La distorsión en un MOS o un BJT (casi inexistente en ambos) es distinta a la de una válvula (bastante más alta).
(ojo que la alta impedancia de salida de los valvulares no dependen en lo mas minimo de los trafos de salida, sino en la alta resistencia de placa de los pentodos de salida, los triodos presentan menor resistencia de placa, inclusive, hay una conexion exotica de primario del trafo de salida, llamada "carga repartida" para tener baja impedancia de salida con pentodos...)
Ooooooooiga... ¿Cómo junto esas dos ideas?

Saludos
 
#71
Pero la impedancia de salida no es algo tan preocupante una vez superados ciertos valores. Es como ir a 200 o 450km/h por la ruta. Es mucho cualquiera de los dos casos, suficiente como para hacerte paté contra la parte de atrás de un camión o llegar antes que todos los demás...
no se como llegaste a esa comparacion, los transistores no son autos, en rigor de verdad, se parecen mas a una canilla de agua que a un auto:rolleyes:
Y si esta impedancia es algo muy importante, entonces es una buena razón para usar bipolares y no MOSFETs, ¿no?.
no necesariamente, todo tiene un precio, si queres tener baja impedancia porque le vas a meter solo subwoofers, adelante con los bipolares, ahora, si queres tener excelente calidad de audio en medio y alta, los mosfet son una buena opción.
Pero eso va en contra de los MOS por el lado de la disipación. Y hace necesario usar algo a la hora de manejar sus gates si se quiere compensar esa variación.
por que razon crees que hace falta otra cosa mas alla de la realimentacion global? mas alla de la alta impedancia de salida del mosfet, éste es muchisimo mas lineal que cualquier BJT de la linea MJ/MJL (si, incluyendo los mosfet de compuerta vertical)
El sonido característico de las válvulas se debe a su distorsión, y todos los defensores de los MOS hablan de lo preciso de su salida, no de que se asemejen al sonido valvular. El comportamiento de un MOS y el de uno de esos tubitos de ensayo con electrones vivos adentro es similar (convierten tensión en corriente), pero su sonidos no se parece más al de las válvulas que los de los BJT. La distorsión en un MOS o un BJT (casi inexistente en ambos) es distinta a la de una válvula (bastante más alta).
no todo es por culpa de la distorsion, pensa que tanto las valvulas como los mosfet son dispositivos de "alta impedancia de salida y de entrada", de gran ancho de banda, y con una curva caracteristica de Gate (o grilla) parecidas, ambos dispositivos (mosfet y pentodos) son fuentes de corriente cte controladas por tension, pensa en esto y como controlan a la carga, y que diferencias de operacion le encontras entre estos y los BJTs, esto va mas alla de como responden uno y otro (mas alla de que en la zona cercana a la saturacion, los mosfet y los pentodos, salvando las diferencias mas que obvias, se comportan de manera similar, entrando en zona ohmica)
 
#72
Yo ya tengo mi llavero y collar con un par de estos que quedaron como cables del 8AWG.



Se equivocaron de aplicación... No eran para una salida Clase-D.

Saludos!
 
#74
Uhhh. esto se pone cada vez más interesantee! :D

Me da mucho gusto leer los mensajes entre Cacho y Hazard. :) Sigan, sigan, que seguramente van a llegar a una conclusión!

Saludos!
 
#77
Mucha carga para el IR2110 con +-90VDC :LOL:

:D

Está interesante el tema. Lástima que mis conocimientos teóricos son pobres :estudiando:. Pero aún así los leo.
Saludos!
por que decis que son "mucha carga para el IR2110 con +-90Vdc"? si el IR2110 es de 500V y entrega +-2A, con un par de esos mosfet, y 180V entre extremos, el IR2110 no deberia tener problemas, a menos que los hagas andar a mas de 500Khz....
 
#78
por que decis que son "mucha carga para el IR2110 con +-90Vdc"? si el IR2110 es de 500V y entrega +-2A, con un par de esos mosfet, y 180V entre extremos, el IR2110 no deberia tener problemas, a menos que los hagas andar a mas de 500Khz....
Me di cuenta de que remplazando el Par IRFP250 por los IRFP4232 tendría una salida más robusta... Pero solo logré que el UCD calentara demasiado en vacío. No duró más de 3 días. Se lo atribuyo a la carga que veía el IR2110 con estos mosfets que no son nada fáciles de manejar comparado con el par IRFP250 o los mas recientes que conseguí los IRFB4227.

Hay un 99% de que esté errado en mi teoría... Pero más no puedo dar :LOL:

Saludos!
 

Cacho

Antiguo tableador
#79
no se como llegaste a esa comparacion, los transistores no son autos, en rigor de verdad, se parecen mas a una canilla de agua que a un auto
No hablo de cómo funcionan, sino del resultado final. Abrimos y cerramos las canillas según sea el caso y terminamos con un sistema que es equivalente a un auto a 250 o a 400km/h según sea el caso. A eso iba, no al funcionamiento individual del transistor, che :D
...no necesariamente, todo tiene un precio, si queres tener baja impedancia porque le vas a meter solo subwoofers, adelante con los bipolares, ahora, si queres tener excelente calidad de audio en medio y alta, los mosfet son una buena opción.
Pero esa impedancia relativamente alta de salida te va a dejar con un damping que poco va a afectarte el resultado al final. Los números dan distinto, sí, eso es indiscutible, pero otra vez estamos en un caso en que la mejora no justifica el cambio ¿o sí?.
...por que razon crees que hace falta otra cosa mas alla de la realimentacion global? mas alla de la alta impedancia de salida del mosfet, éste es muchisimo mas lineal que cualquier BJT de la linea MJ/MJL (si, incluyendo los mosfet de compuerta vertical)..
Pero para que la GNF te de el resultado esperado vas a necesitar una ganancia a lazo abierto suficientemente grande como para que tenga "aire" y pueda corregir el error. Si tiene ese ancho extra como para manejar los MOS, tiene el ancho que necesita para manejar las alinealidaddes de los BJT.
Y lo más "divertido" del asunto es que con corrientes grandes los MOS se van a valores de Vgs de varios volts (6 o 7V no son raros de ver) de caída. La disipación se hace sentir fiero así (a menos que tengas una segunda fuente, de más tensión, que alimente el AV y los drivers si es que los hay).
...pensa en esto y como controlan a la carga, y que diferencias de operacion le encontras entre estos y los BJTs, esto va mas alla de como responden uno y otro (mas alla de que en la zona cercana a la saturacion, los mosfet y los pentodos, salvando las diferencias mas que obvias, se comportan de manera similar, entrando en zona ohmica)
Carga de las válvulas (trafo de salida):


Carga de los MOS (parlante):


Las cargas son parecidas y los comportamientos de los dispositivos también. Lo que nos deja con resultados que podrían ser parecidos, pero más probablemente van a ser muy distintos.
Si consideramos que según el caso la impedancia del primario del trafo de salida es de 2 a 6 veces la de placa en los triodos y de 0,X (X=poquito) en los pentodos (si mal no recuerdo, acá tenés más frescos los números vos), los resultados no van a ser muy similares al final.
De todas formas, de válvulas vs. MOSFETs no es el tema, va a aparecer la TIM, las opiniones de cuanto tipo haya estudiado el asunto, vamos a llegar a Bonello y temo que lleguemos a los temidos OTL... Ahí sí que se va todo este tema al diablo :devilish:


Saludos
 
#80
...Pero esa impedancia relativamente alta de salida te va a dejar con un damping que poco va a afectarte el resultado al final. Los números dan distinto, sí, eso es indiscutible, pero otra vez estamos en un caso en que la mejora no justifica el cambio ¿o sí?....
depende, todo depende de en que condiciones se use, por ejemplo, el factor de amortiguamiento puede ser muuy distinto uno de otro, ahora, es muy importante este "factor de amortiguamiento"?
Pero para que la GNF te de el resultado esperado vas a necesitar una ganancia a lazo abierto suficientemente grande como para que tenga "aire" y pueda corregir el error. Si tiene ese ancho extra como para manejar los MOS, tiene el ancho que necesita para manejar las alinealidaddes de los BJT.
no necesariamente, de hecho se puede tener un amplificador con menor tasa de distorsion armonica que con BJT y menor ganancia de lazo, con lo cual, en teoria bajaría la TIM... (habria que preguntarle mas a Juanma, que leyó mas que bastante a D.Self por este tema, a ver qué opina), con el consiguiente, esta mas que claro, de un aumento en la impedancia de salida.
Y lo más "divertido" del asunto es que con corrientes grandes los MOS se van a valores de Vgs de varios volts (6 o 7V no son raros de ver) de caída. La disipación se hace sentir fiero así (a menos que tengas una segunda fuente, de más tensión, que alimente el AV y los drivers si es que los hay).
todo depende, queres hacer un ampli de mayor eficiencia? hacelo con BJTs en clase B, o con mosfets en clase D, queres tener mayor calidad sonora, hacelos con MOS!....
Carga de las válvulas (trafo de salida):


Carga de los MOS (parlante):


Las cargas son parecidas y los comportamientos de los dispositivos también. Lo que nos deja con resultados que podrían ser parecidos, pero más probablemente van a ser muy distintos.
Si consideramos que según el caso la impedancia del primario del trafo de salida es de 2 a 6 veces la de placa en los triodos y de 0,X (X=poquito) en los pentodos (si mal no recuerdo, acá tenés más frescos los números vos), los resultados no van a ser muy similares al final.
De todas formas, de válvulas vs. MOSFETs no es el tema, va a aparecer la TIM, las opiniones de cuanto tipo haya estudiado el asunto, vamos a llegar a Bonello y temo que lleguemos a los temidos OTL... Ahí sí que se va todo este tema al diablo :devilish:
pero la cosa no era si las cargas eran parecidas o no, sino de como se comporta la impedancia DE SALIDA frente a la impedancia de carga, que siempre es la misma...

por favor, hace rato que no lo veo por aqui, no lo invoques :devilish::devilish::devilish:
 
Arriba