Como interpretar voltaje maximo base emisor

Hola chicos, estoy leyendo el datasheet del transistor BC337 y me surge una duda sobre "Emitter - Base Voltaje" máximo 5v.

Cómo se interpreta esto?

Quiere decir que entre la base y emisor no puede haber más de 5 voltios? Sería que no puedo poner en la base una señal de 12v y que el emisor vaya a GND?

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Fogonazo

"Qualified exorcist approved by the Vatican"
Hola chicos, estoy leyendo el datasheet del transistor BC337 y me surge una duda sobre "Emitter - Base Voltaje" máximo 5v.

Cómo se interpreta esto?

Quiere decir que entre la base y emisor no puede haber más de 5 voltios? Sería que no puedo poner en la base una señal de 12v y que el emisor vaya a GND?

Ver el archivo adjunto 190849
La juntura B-E a los fines prácticos es un diodo que según lo que dices estaría conectada a GND, así que NO permite tensiones > a unos 700mV

Estás leyendo en la tabla de "Máximos" que NO son parámetros de funcionamiento. si le aplicas 5V directamente destruyes el dispositivo
 
Mi proyecto es el siguiente:

Puse una tira led a la parte trasera de mi televisor. La misma funciona con 12v. Mi tv tiene salida USB que se activa cuando lo enciendo por lo que se me ocurrió poner un transistor que encienda la tira led cuando la salida USB està activa. (adjunto el diagrama - la carga la represento por una resistencia de 40 ohms para lograr los 300mAh que consumen los leds).

Deberìa incorporar un divisor resistivo en la base del transistor a fin de no superar los valores máximos Vbe?


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Fogonazo

"Qualified exorcist approved by the Vatican"
Mi proyecto es el siguiente:

Puse una tira led a la parte trasera de mi televisor. La misma funciona con 12v. Mi tv tiene salida USB que se activa cuando lo enciendo por lo que se me ocurrió poner un transistor que encienda la tira led cuando la salida USB està activa. (adjunto el diagrama - la carga la represento por una resistencia de 40 ohms para lograr los 300mAh que consumen los leds).

Deberìa incorporar un divisor resistivo en la base del transistor a fin de no superar los valores máximos Vbe?


Ver el archivo adjunto 190855
Seep

Para ese caso debes saturar el transistor y eso se hace por corriente, debes calcular la corriente necesaria para lograr saturar el transistor con los 5V del USB y a la corriente de colector, NO es lo mismo saturar el transitor para 2mA que para 200mA mira las curvas de ganancia/corriente colector
 
Seep

Para ese caso debes saturar el transistor y eso se hace por corriente, debes calcular la corriente necesaria para lograr saturar el transistor con los 5V del USB y a la corriente de colector, NO es lo mismo saturar el transitor para 2mA que para 200mA mira las curvas de ganancia/corriente colector
Estuve leyendo un poco e intentando leer las curvas pero básicamente no debería dividir la corriente deseada sobre la ganancia del transistor?

Ejemplo del caso, necesito 320mA.

Si la ganancia es de 500, en la base necesito 320/500=0,64mA.
 

Dr. Zoidberg

Well-known-Papá Pitufo
Estuve leyendo un poco e intentando leer las curvas pero básicamente no debería dividir la corriente deseada sobre la ganancia del transistor?

Ejemplo del caso, necesito 320mA.

Si la ganancia es de 500, en la base necesito 320/500=0,64mA.
Por ahí va el ruido, pero la ganacia no es absoluta y cambia de transistor a transistor. Si vos queres saturar el transistor tenes que usar la ganancia mínima del datasheet y elegir una corriente de base que sea igual o superior a la que te resulte de Icarga/hfe-min
 
La tensión emisor-base yo entiendo que es la tensión inversa de ese diodo.
Si le pones 5V en directa saldrán 1000A.
Si fuera en directa entiendo que sería tensión base - emisor y no emisor-base como dice.

Por cierto que tu en el título dices una cosa y en la pregunta la contraria.
 

Daniel Lopes

Miembro Geconocido
La tensión emisor-base yo entiendo que es la tensión inversa de ese diodo.
Si le pones 5V en directa saldrán 1000A.
Si fuera en directa entiendo que sería tensión base - emisor y no emisor-base como dice.

Por cierto que tu en el título dices una cosa y en la pregunta la contraria.
Hola a todos , me sumo a Don Scooter la tensión maxima de Vebo ( y no Vbe , veer tabla aportada en lo premero post) aclarada en la hoja tecnica de cualquer transistor bipolar es en realidad la tensión reversa y nunca la directa .
La directa es sienpre de aproximadamente 0,7V para tipos basados en Silicio o 0,2 para Germanium.
Saludos cordeales desde Brasil!.
Att,
Daniel Lopes.
 
Creo que tienen razón! No me di cuenta que dice emisor-base (pequeña gran diferencia).

En este caso, si el emisor va a GND entiendo que no tengo límite para la tensión en la base (podría ser perfectamente 12v, 19v, etc siempre que no supere los 50v de colector-base)
 

Daniel Lopes

Miembro Geconocido
Creo que tienen razón! No me di cuenta que dice emisor-base (pequeña gran diferencia).

En este caso, si el emisor va a GND entiendo que no tengo límite para la tensión en la base (podría ser perfectamente 12v, 19v, etc siempre que no supere los 50v de colector-base)
NOOOO honbre , si lo Emisor va directamente a la tierra o masa , la Base pode subir en lo maximo 0,7 V.
Hay un Diodo intrinseco entre Base y Emisor y su tensión de junctura ( tanbien conocida como tensión de unbral) es de aproximadamente de 0,7 Voltios.
Esa tensión es granpeada en aproximadamente 0,7 y despues de eso la curriente de Base sube a los cielos hasta lo transistor estropiarse si no es debidamente limitada , dai la necesidad de lo resistor de Base para hacer esa limitación de curriente.
Att,
Daniel Lopes.
 
...
En este caso, si el emisor va a GND entiendo que no tengo límite para la tensión en la base (podría ser perfectamente 12v, 19v, etc siempre que no supere los 50v de colector-base)
La juntura BE se comporta como un diodo, y como tal, alrededor de los 0.6V se considera que empieza a conducir y a corrientes altas puede llegar a valores como 1.2V y si seguís dando maza se destruye.

Pero el valor del datasheet VEBO = 5V no se refiere al diodo polarizado en directa como estás pensando sino polarizado en inversa.
Es decir, si el colector está a +30V, el emisor a +10V y se te ocurre mandar a masa (0V) la base... se destruye. (transistor NPN)
 
En los simuladores, los modelos no suelen incluir este parámetro y asumen un Vebo=infinito

El problema es que si se nos antojó una polarización no convencional o implementar cosas como un enclavamiento con transistores (equivale a dos zeners rápidos enfrentados)

Para que simule bien tenés que editar el modelo y agregar el parámetro BVBE=5

Como ejemplo en LTSpice:
clamp.jpg
(se me fue la mano con esa R de 1K pues la corriente en inversa calculo reventaría el BC548, pero es un ejemplo :) )

Sin este retoque, simula cualquier verdura.
 
A veces he visto usar los transistores como una puerta lógica con dos diodos y en esos casos se polarizan al derecho o al revés.
Otro uso es que necesites un diodo y pongas un transistor, y no es absurdo; haciendo eso tienes una referencia menos, solo pones transistores si de todos modos los necesitabas. Menos referencias, menos problemas de suministro.
 

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