En un medio puente hecho con mosfets N, el mosfet del lado de arriba tiene su gate manejado por un transistor npn con emisor a gnd y un circuito de bootstrap con diodo y capacitor para elevar la tension de gate y una resistencia "pull up" de 510 ohms.
La tension dei circuito va a variar entre 12.75 y 9 Volts.
Esto funciona perfecto, pero el prototipo lo estoy haciendo con mosfets IRFZ48 donde su VGS max es de +-20 V
En el diseño final, voy a usar mosfets de nivel logico, cuyo VGS max es de +-10 V (porque el lado bajo se maneja de un micro directo). La idea es no poner drivers porque los que tengo son los IR2101 y necesitan al menos 10v para funcionar y yo quiero hacerlo funcionar desde 3.7 V hacia arriba. (Y no tengo la posibilidad de comprar otro driver)
Esto me trae un problema grande, ya que la tension de bootstrap sera de unos 23.3 Volts, quiza hasta 25 teniendo en cuenta picos regenerativos, superando por mucho el VGS max del mosfet. Sin embargo, este problema es salvable facilmente poniendo un Zener de 10V entre gate y source del mosfet high side. (O quitando el bootstrap y poniendo una fuentecita flotante regulada).
Mi mayor duda es en relacion al transistor driver. Ya que este tiene su emisor a gnd,lo que implica que el voltaje de gate va a ser de 23.3 vpp y que encima representaran un alto voltaje negativo en el gate del mosfet cuando el source del mismo este al mismo potencial que gnd.
Probe colocar una resistencia entre el emisor del transistor driver y gnd, formando un divisor de tension con la pull-up que enciende el mosfet. Esto en simulacion funciona pero en la practica el circuito consume mucho mas lo que me indica un posible corto entre el mosfet superior y el inferior por problemas de tiempo de encendido / apagado.
He visto muchos diseños donde no se hacen problema y dejan el transistor driver con emisor a gnd directamente.
Mis consultas:
a- Esto no termina reventando el mosfet por exceder VGS max?
b- El parametro VGS max dice +-10 V, esto implica que puedo darle hasta 10 volts negativos con respecto a source sin dañarlo?
Muchas gracias!
PD: Siiiii ya se que deberia usar un driver pero me gustan los desafios
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La tension dei circuito va a variar entre 12.75 y 9 Volts.
Esto funciona perfecto, pero el prototipo lo estoy haciendo con mosfets IRFZ48 donde su VGS max es de +-20 V
En el diseño final, voy a usar mosfets de nivel logico, cuyo VGS max es de +-10 V (porque el lado bajo se maneja de un micro directo). La idea es no poner drivers porque los que tengo son los IR2101 y necesitan al menos 10v para funcionar y yo quiero hacerlo funcionar desde 3.7 V hacia arriba. (Y no tengo la posibilidad de comprar otro driver)
Esto me trae un problema grande, ya que la tension de bootstrap sera de unos 23.3 Volts, quiza hasta 25 teniendo en cuenta picos regenerativos, superando por mucho el VGS max del mosfet. Sin embargo, este problema es salvable facilmente poniendo un Zener de 10V entre gate y source del mosfet high side. (O quitando el bootstrap y poniendo una fuentecita flotante regulada).
Mi mayor duda es en relacion al transistor driver. Ya que este tiene su emisor a gnd,lo que implica que el voltaje de gate va a ser de 23.3 vpp y que encima representaran un alto voltaje negativo en el gate del mosfet cuando el source del mismo este al mismo potencial que gnd.
Probe colocar una resistencia entre el emisor del transistor driver y gnd, formando un divisor de tension con la pull-up que enciende el mosfet. Esto en simulacion funciona pero en la practica el circuito consume mucho mas lo que me indica un posible corto entre el mosfet superior y el inferior por problemas de tiempo de encendido / apagado.
He visto muchos diseños donde no se hacen problema y dejan el transistor driver con emisor a gnd directamente.
Mis consultas:
a- Esto no termina reventando el mosfet por exceder VGS max?
b- El parametro VGS max dice +-10 V, esto implica que puedo darle hasta 10 volts negativos con respecto a source sin dañarlo?
Muchas gracias!
PD: Siiiii ya se que deberia usar un driver pero me gustan los desafios
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