Dudas con la especificacion de la RDS on de un MOSFET

Hola a todos.

A ver si alguien me desasna un poco. No logro entender en las especificaciones de los Mosfet, el parámetro de la resistencia R DS.
Normalmente, en el título marketinero, aparece la tensión máxima, la corriente máxima, el canal y la R DS ON, que suele tener un valor digamos bajo según el caso, pero al mirar las curvas de R DS ON en el datasheet, esto no es así, o por lo menos no me queda claro. Subo una parte de una hoja de datos de un transistor no importa cual. Hay un gráfico arriba a la izquierda en la que se muestra la RDS (on) con un valor determinado de VGS y diferentes valores de corriente de drenaje, supongo que a 25 grados.
Pero, en el gráfico de abajo a la derecha, con un valor similar de VGS y una corriente específica, el valor de la RDS (on) en todo el rango de temperatura no arroja un valor igual que pueda reflejarse en la curva anterior. Esto sucede en todos los datasheet de todos los dispositivos que vi.
Mi, no comprender.

Gracias
 

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  • Graficos R-DS on.pdf
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Hola, en el gráfico superior izq. el valor RDS(on) lo especifica en ohms, porque se trata de un parámetro específico de ese componente.
En cambio en el gráfico inf. derecho el valor RDS(on) lo menciona cómo normalizado, dando a entender cómo aumenta la RDS en función de la temperatura de juntura.
 
Por ejem., veo que en el gráfico RDS vs. temperatura en un rango de temperatura de 25C a 50C la variación de RDS va de 1 a 1.2 aprox. equivale a un 20% de variación.
Entonces ese valor lo aplico al valor de RDS(on) específico del componente, en el ejem., entonces para una RDS de 0.036ohms a 5A en el rango de temperatura de 25C a 50C la RDS subiría a .0432 aprox.
 
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