Fuente flotante para el IR2110

Perdoná zaratustrax, pero el problema anterior está totalmente solucionado!!

Ahora está todo funcionando barbaro!, estoy tratando de hacer un buen calculo del capacitor de bootstrap pero se me está complicando una cosa, el calculo que encontré se hace de la siguiente forma...

Cboot(min) = Qtot/Vbs

Donde ΔVbs≤ Vcc −VF −VGEmin−VCEon

y QTOT = QG +QLS + (ILK _GE + IQBS + ILK + ILK _DIODE+ ILK _CAP + IDS− ) ×THON

es este el mismo calculo que hacias tu?
 
Saludos.

En el datasheet que te puse en uno de los post anteriores viene como calcularlo, pero básicamente con colocarle un diodo de recuperación rápida 1N4148 y un capacitor de 0.4uF soluciona tu problema.

Yo le puse un capacitor electrolitico de 1uF en paralelo con un cerámico de 0.4uF. Esto es porque el IGBT que ocupo me solicita más carga que un MOSFET.
 
Estoy intentando hacer un inversor de medio puente con un ir2110 pero estoy teniendo problemas con la salida Ho, esta siempre esta en alto yel transistor no conmuta, he intentado con varios valores del capacitor pero sigue igual, adjunto es circuito y la simulacion del voltaje en la carga, gracias de antemano.



Acabo de revisar de nuevo y el transistor del lado de arriba si conmuta, habia intentado probarlos independientemente pero vi que el lado de arriba depende del lado de abajo pero no al reves, de todas maneras sigue saliendo el error en la simulacion no se si sea un problema del sofware o del circuito
 

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Ahi empeze a leer el archivo qUE subiste a ver si puedo afinar numeros,
una pregunta qUE tengo para hacerte POR qUE aunque me anda todo barbaro aun no entendi bien...

Para que son las resistencias qUE van entre el com y LO y el com y HO? POR qUE me han dicho qUE puede disipar demaciada energia, y que deberia poner una resistencia entre el source del mosfet de arriba y el Sd...

Tenes idea la explicacion de porque de estas resistencias qUE me dijiste poner?
 
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Ya encontre la solucion, era un problema del simulador se debe ir a "Simulate -> Control Panel -> Select the SPICE tab then set the Solver to alternate" voy a seguir trabajando en este proyecto si alguien esta interesado que lo informe por aca para ir subiendo los avances
 
Para que son las resistencias que van entre el com y LO y el com y HO?
me han dicho que puede disipar demaciada energia, y que deberia poner una resistencia entre el source del mosfet de arriba y el Sd...

Tenes idea la explicacion de porque de estas resistencias que me dijiste poner?

Las resistencias que te dije son solo de prueba para que el driver tenga un consumo de corriente a la salida para simular la carga requerida por los mosfets.

Una vez que trabaje tu circuito puedes quitarlas

Lo que mencionas de las resistencias entre el source lo ignoro, pero yo no las utilicé
 
yo hice el mismo esquema que sale en el manual del ir2110 la unica modificacion que he hecho es que en lugar de colocar el condensador cboot coloque unas fuentes flotantes de 15 volt entre vs y vb para encender un igbt , uso una fuente común de 15 volt para la parte de abajo de ambos ir2110 y una fuente de 5 volt para VDD y VSS en total , uso 4 fuentes en total 2 flotantes una para cada parte de alta , y mando la senal de entrada 2 pwm que lo enciendo y apago a una frecuencia de 60 hz , i problema es lo siguiente mi tensión a invertir es de 120 VDC es para mover un motor monofasico de inducción , usando la ley de tensión frecuencia , cuando coloco un foco el foco prende hasta cierto valor de tension cuando llego a 100 volt el ir 2110 empieza a apagarse al punto de que se queman los igbt , y cuando probe con el motor se me quemaron sin moverme el motor solo se escucho el ruido que hace la inductacia y revento el fusible de 3 amps que tengo, ya he quemado 12 igbt y ps varios 2110 estoy atorado en eso gracias por su ayuda no se si estoy haciendo bien ya he realizado varios ensayos y no logro encender un foco bien a 120 volt ni un motor Ac de 120 v con condensador de marcha permanente, que es el que tiene un torque de 90 grados desde que arranca hasta que llega a su velocidad nominal gracias al condensador de marcha permanente , este motor no de problemas con los desacoples del condensador de arranque
 
Hola estoy trabajando con el IR2110 mi duda surge por lo que quiero hacer es poder conmutar el Lado alto con 170 VDC, ahora las entradas Hin, Lin la pongo a tierra o masa, Hin le pongo solo voltaje por ejemplo 12 volts y la carga que tengo es un led, pero resulta que no enciende el led lo tengo conectado a tierra y a la salida de sorce y drain de los mosfets, lo único que hace es cuando conecto los 12v prende un pequeño instante y se apaga ¿ La señal tiene que ser un pulso cuadrado, un pwm siempre o puede ser nada mas voltaje ?
 
Lo que veo mal en tu conexión es que colocas vs entre surtidor y drenador de Ambos mosfet del resto esta bien si quieres sólo encender la parte alta del ir2110 eso es para un ensayo por lo que veo ? Elimina esa conexión y pruebas debes tener diodos de alta velocidad o diodos señal como el 4148 y calcular bien el Condensador cboot yo use una fuente flotante entre vs y vb de 15 volt pero yo no puedo trabajar n elevada corriente ese mi problema , ya que yo no use el condensador ni el diodo de recuperación como lo tienes . Espero que te sirva lo que te dije
 
Gracias por responder, ahora en el caso de que el ciclo de trabajo cambie por ejemplo menor del 50% que sea no se 17% ó 12 % supongo que ya la bomba de carga (bootstrap) cambia, bueno mi pregunta es ¿Cambiando ya no funciona bien ? ó ¿ Simplemente es para un ciclo de trabajo fijo ?
Gracias desde ya
 
Gracias zaratustrax entonces nada mas calculando bien el capacitor de la fuente flotante funciona para un cliclo de trabajo variable, tendras algun ejemplo de como calcular esta bomba de carga, te lo agradecería mucho
Gracias
 
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Saludos.

Debido a que hay muchas personas que preguntan sobre cómo calcular el capacitor de la fuente flotante para el IR2110, me di a la tarea de abrir este tema.

Comencemos.

Primero, debemos entender cómo funciona el IR2110, para eso es indispensable descargar la nota de aplicación AN-978

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf

Tomamos por ejemplo el cálculo para un medio puente como se muestra a continuación.

Ver el archivo adjunto 47844

Vamos a calcular el valor del capacitor C3 en base a las características del MOSFET elegido y del driver IR2110 (ignoren el valor del capacitor que tiene en la imagen, solo es con fines de ejemplificar).

En la página 6, el articulo muestra la ecuación para el cálculo del capacitor de la fuente flotante del mosfet de la parte alta.

thump_8165019ecuacion.jpg


Los datos de esta ecucion son los siguientes:

a) Qg: Valor de la carga del MOSFET del lado alto
b) f: Frecuencia de operacion
c) Icbs(leak): corriente de fuga del capacitor bootstrap (en este caso el capacitor que vamos a calcular)
d) Iqbs(max): Máxima corriente inactiva
e) Vcc: Voltaje de alimentacion del IR2110
f) Vf: Caida de voltaje en el diodo D3
g) VLS: Caida de voltaje a través del MOSFET del lado bajo
h) Vmin: Voltaje mínimo entre los pines Vb y Vs
i) Qls: Nivel de carga requerida por ciclo


Dichos parámetros, si trabajamos con el medio puente de la imagen anterior, tienen los siguientes valores:

a) El valor de carga lo encontramos en la hoja de datos de MOSFET que utilicemos. Aqui es importante entender cómo se enciende un MOSFET, para entender mejor este proceso es recomendable leer el siguiente documento: http://www.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf
El proceso es posicionarse en la grafica de carga vs voltaje de gate. Como el voltaje en la base de los MOSFETS es de 12V, vemos qué valor de carga correponde el valor de este voltaje. La foto es algo pequeña, espero se logre apreciar.

thump_8165231gate.jpg


Por lo tanto el valor de esta variable para este ejemplo es de 60nC


b) La frecuencia de operación la podemos elegir a 20Khz

c) Esta corriente se toma como cero si el capacitor a seleccionar es cerámico. Por lo tanto podemos ignorar esta variable

d), i) Los valores de estas variables vienen dadas en la hoja de datos del IR2110, los cuales son Iqbs = 230uA y Qls = 5nC. Es necesario aclarar que los 5nC se deben a que el driver va a tener menos de 600V flotantes.

e)El voltaje de alimentacion es de 12 V

f) Se toma el valor de 0.7V de caída de tension del 1n4148

g) Este voltaje es el valor de la caida de tension en el MOSFET del lado bajo. Idealmente se toma como la corriente multimplicada por su resistencia interna, la cual es muy baja, sin embargo personalmente tomo el valor de 0.7V, como si fuera un diodo, para darle un margen de error un poco mas grande.

h) Este valor es el voltaje mínimo para excitar la base del MOSFET. Como en la figura de voltaje vs carga el valor mínimo para que el MOSFET conduzca plenamente es de 8V, podemos dejarle un valor de 10 para garantizar que el MOSFET va a conducir de forma apropiada.

Sustituyendo los valores de las variables tenemos que el valor del capacitor es:

C > (2 * [ 2*(60nC) + (230uA / 20Khz) + 5nC]) / (12v - 0.7 - 0.7 - 10V)

C > (273nC / 0.6V)

C > 455nF

Por tanto el capacitor bootstrap DEBE ser mayor a 0.4uF.

En el primer documento se recomienda un valor mayor de 0.4uF, el cual es el valor que se obtuvo, en este caso, para que la fuente flotante de nuestro sistema funcione.

Como última recomendación, si el valor del capacitor obtenido excede el de un cerámico convencional (p.e. 1uF), se puede colocar un electrolítico en paralelo con un cerámico par minimizar las corrientes de fugas del electrolítico. El valor del cerámico puede ser de 0.1u. Recordemos que capacitores en paralelo se suman en serie, por lo tanto se estaría incrementando el valor del capacitor bootstrap.

Espero haber sido claro en la redacción y explicación de este pequeño tutorial de ayuda
 
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Gracias
Solo una duda en mi caso tengo una alimentación de 170vcd y para el punto g) El voltaje en la carga es el resultado del voltaje con que esta alimentado el MOSFET del lado alto menos la caida de tensión en el mismo. Como el MOSFET esta alimentado a 12V, idealmente se esperaría tener este mismo nivel en la carga, como en la práctica esto no es posible se puede tomar una atenuación de 1V por MOSFET, es decir 2 V. Por lo cual el valor de esta variable sería 10V. ahí fue donde ya no entendí
 
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Ummmm , no es una decisión unilateral mia , lo consulté con otros moderadores y coincidimos en ésto.

Estamos tratando de que no queden cosas desparramadas por todos lados , el que de verdad necesite resolver un tema con el IR2110 deberá hojear 5 páginas ;)

Saludos !
 
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