Mosfet con la carga en Source ?

He estado pensando, si aumentamos el voltaje de Gate, se podria usar un mosfet N...creo.

Como no creo posible aumentar a unos 16v el voltaje de gate, quizá si implementara una especie de batería...dos baterías de 9 v en serie...

Grrr, tiene que haber una forma. Asi me toque cambiar el cableado de la moto.

Yo hace tiempo que hice un intermitente electrónico para mi coche antiguo, usando un MOSFET tipo N sacado de una vieja placa base, y un pic muy básico. En mi caso el pic siempre estaba alimentado pero sólo hacía intermitencia al conectar una carga a masa a la entrada del comparador interno del pic (y es cuando hacía un pitidito de "ding-dong"). El tema del voltaje de puerta lo solucioné fácilmente usando una configuración en bootstrap, (añadir un diodo y un condensador a lo que ya tienes) solo que con un condensador más grande de lo que se suele usar para estos menesteres. Yo usé uno de 220uF/16V pero seguramente con uno de 100 hubiera sido suficiente.

Conseguía encender todas las luces de emergencia (unos 100W en total) y no se calentaba casi nada. Pero muy ocasionalmente el PIC se colgaba y las luces se quedaban fijas, al bajar la ventanilla mientras las intermitencias estaban en marcha (lo descubrí una vez que paré en un control de la policía de tráfico y bajé la ventanilla tras poner las emergencia), en fin, cosas de los pics.

Cuando mandé el coche al desguace, desmonté el intermitente que hice y me lo quedé de recuerdo.

Esquema de un Bootstrap para MOSFET:

bootstrapped-mosfet-png.12333
 

Adjuntos

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Hola muchachos, pido disculpas como siempre que me meto en un post que no es mío. Pero quería preguntarles si saben cómo calcular un MOSFET y cual seleccionar mirando el datasheet. Sé cómo funciona, los electrones, etc, etc, pero no comprendo cómo calcular los voltajes para accionar adecuadamente el MOSFET. Es para usarlo como llave. Sé que es distinto a un transistor bipolar ya que el mismo se acciona con corriente en la base y que el MOSFET es por medio de voltaje en el Gate. Vi un montón de videos, pero no entiendo cómo calcular y elegir el más apropiado. Alguna ayuda, algún libro o alguna explicación?. Desde ya muchas gracias!!
 
Hola muchachos, pido disculpas como siempre que me meto en un post que no es mío. Pero quería preguntarles si saben cómo calcular un MOSFET y cual seleccionar mirando el datasheet. Sé cómo funciona, los electrones, etc, etc, pero no comprendo cómo calcular los voltajes para accionar adecuadamente el MOSFET. Es para usarlo como llave. Sé que es distinto a un transistor bipolar ya que el mismo se acciona con corriente en la base y que el MOSFET es por medio de voltaje en el Gate. Vi un montón de videos, pero no entiendo cómo calcular y elegir el más apropiado. Alguna ayuda, algún libro o alguna explicación?. Desde ya muchas gracias!!
Hola a todos , caro Don mmartins con 10 Volts de VGS seguramente ustedes cierra por conpleto lo canal Dreno y Sourse de cualquer transistor MosFet , basta garantizar la polaridad correcta dependendo si el es canal N o P .
No tengo idea do que quieres controlar pero tienes que elegir un Mosfet con curriente de Dreno conpatible con a la absorvida por la carga a sener controlada , debes tanbien tener en cuenta la tensión suportable entre Dreno y Sourse cuando ese si queda en abierto.
Debes estudiar la resistencia de RDS ON que mas si quadra cuando cerriado para saper la potenzia dicipada cuando este si queda "cerriado".
!Suerte en los desahollos!.
Att,
Daniel Lopes.
 
Hola a todos , caro Don mmartins con 10 Volts de VGS seguramente ustedes cierra por conpleto lo canal Dreno y Sourse de cualquer transistor MosFet , basta garantizar la polaridad correcta dependendo si el es canal N o P .
No tengo idea do que quieres controlar pero tienes que elegir un Mosfet con curriente de Dreno conpatible con a la absorvida por la carga a sener controlada , debes tanbien tener en cuenta la tensión suportable entre Dreno y Sourse cuando ese si queda en abierto.
Debes estudiar la resistencia de RDS ON que mas si quadra cuando cerriado para saper la potenzia dicipada cuando este si queda "cerriado".
!Suerte en los desahollos!.
Att,
Daniel Lopes.

A este valor es al que te refieres?

IRFZ44N.JPG
Pero lo que no entendí es como se usa.
 
A este valor es al que te refieres?

Ver el archivo adjunto 179161
Pero lo que no entendí es como se usa.
OK , cuando hay 10Voltios entre Gate y Sourse la resistencia del canal Dreno y Sourse es de 22miliOhmios (0,022 Ohmios) maximos , o sea ese transistor MosFet si queda practicamente cerriado.
Cuando no hay la tensión de VGS o canal Dreno y Sourse si queda abierto y su resistencia es muy alta , quizaz Megaohmios.
Att,
Daniel Lopes.
 
En realidad no es que ya le quiera dar un uso a este componente, sino, es el estudio para saber como funciona, como seleccionarlo
y como calcular según mis necesidades.

Por lo que yo entiendo hasta ahora, después de mirar varios vídeos , leer documentos y tratar de interpretar un Datasheet, es lo siguiente.
Que si pongo un voltaje VGS en Gate y Sourse controlo el ancho del canal. Siempre y cuando VGS >Vth. El canal lo que hace es que cuanta mas tensión (dentro de los valores que marca el Datasheet) se le aplique al Gate, mas ancho el canal y mas corriente (Id) deja pasar entre Drain y Sourse, obviamente dentro de los parámetros que soporta el componente.
También se que el Mosfet, tiene una zona Ohmica la cual se encuentra entre Corte y Saturación. Osea desde que VGS = 0 hasta que
VGS >= Vth.
Otra cosa es que el mosfet se comporta como un capacitor. Pregunta, ¿este comportamiento es después de que sale de la zona OHMICA
cuando se Satura o es en el momento desde que VGS >0? Por que se explica que la pequeña curva que se genera provoca que se caliente el
MOSFET.
 
Última edición:
En realidad no es que ya le quiera dar un uso a este componente, sino, es el estudio para saber como funciona, como seleccionarlo
y como calcular según mis necesidades.

Por lo que yo entiendo hasta ahora, después de mirar varios vídeos , leer documentos y tratar de interpretar un Datasheet, es lo siguiente.
Que si pongo un voltaje VGS en Gate y Sourse controlo el ancho del canal. Siempre y cuando VGS >Vth. El canal lo que hace es que cuanta mas tensión (dentro de los valores que marca el Datasheet) se le aplique al Gate, mas ancho el canal y mas corriente (Id) deja pasar entre Drain y Sourse, obviamente dentro de los parámetros que soporta el componente.
También se que el Mosfet, tiene una zona Ohmica la cual se encuentra entre Corte y Saturación. Osea desde que VGS = 0 hasta que
VGS >= Vth.
Otra cosa es que el mosfet se comporta como un capacitor. Pregunta, ¿este comportamiento es después de que sale de la zona OHMICA
cuando se Satura o es en el momento desde que VGS >0? Por que se explica que la pequeña curva que se genera provoca que se caliente el
MOSFET.

Pero en que afecta esa resistencia?, cuando el MOSFET esta en corte o saturacion.
Bueno quien si conporta como si fuese un capacitor en realidad es lo Gate con lo Sourse , eso porque la resistencia Ohmica en esa región es muuuucho alta y el realmente si conporta como un capacitor porque si queda cargada tal cual un capacitor si ustedes NO la desgargar o sea no conectar nada a el despues de aplicada la tensión.
Att,
Daniel Lopes.
 
OK , cuando hay 10Voltios entre Gate y Sourse la resistencia del canal Dreno y Sourse es de 22miliOhmios (0,022 Ohmios) maximos , o sea ese transistor MosFet si queda practicamente cerriado.
Cuando no hay la tensión de VGS o canal Dreno y Sourse si queda abierto y su resistencia es muy alta , quizaz Megaohmios.
Att,
Daniel Lopes.
Pero en que afecta esa resistencia?, cuando el MOSFET esta en corte o saturacion.
Puede ser que si yo tengo una tensión constante entre VDS y vario la tension VGS, controlo ID?
 
Pero en que afecta esa resistencia?, cuando el MOSFET esta en corte o saturacion.
Puede ser que si yo tengo una tensión constante entre VDS y vario la tension VGS, controlo ID?
Lo transistor MosFet tiene una región de resistencia entre Dreno y Sourse dependente de la tensión de VGS , esa región es pequeña , mejor serias usar un transistor JFET para cuando quieres variar una resistencia dependente de tensión.
Att,
Daniel Lopes.
Pero en que afecta esa resistencia?, cuando el MOSFET esta en corte o saturacion.
Esa resistencia (RDSON) cuando cerriada es desejable que sea la menor possible , asi evitamos perdidas en calientamento del transistor cuando manejamos altas currientes.
Att,
Daniel Lopes.
 
Lo transistor MosFet tiene una región de resistencia entre Dreno y Sourse dependente de la tensión de VGS , esa región es pequeña , mejor serias usar un transistor JFET para cuando quieres variar una resistencia dependente de tensión.
Att,
Daniel Lopes.
A ya entiendo, osea que si quiero usar el transistor en Corte y Saturacion, uso un MOSFET, pero para uso como amplificador, es mejor un JFET.
 
Lo transistor MosFet tiene una región de resistencia entre Dreno y Sourse dependente de la tensión de VGS , esa región es pequeña , mejor serias usar un transistor JFET para cuando quieres variar una resistencia dependente de tensión.
Att,
Daniel Lopes.

Esa resistencia (RDSON) cuando cerriada es desejable que sea la menor possible , asi evitamos perdidas en calientamento del transistor cuando manejamos altas currientes.
Att,
Daniel Lopes.
Ahhh, ahora si entendí. jaja muchas gracias!!
Amplificador NO , y si un "potenciometro" ayustable por tensión
Ahh ok, si si, ya voy entendiendo. Gracias
 
Hola a todos , caro Don JOSE MIGUEL SIRGO PASCUAL te recomendo enpleyar un transistor MosFet canal "P".
La bateria alimenta lo Sourse , lo Dreno alimenta la carga y ustedes cierra lo MosFet cuando conectas lo Gate a la masa o tierra , listo !.
Es recomendable poner un resistor de 10K entre Gate y Sourse para descargar esa junción cuando lo Gate si queda "volando" y asi desligar lo transistor.
!Suerte en los desahollos!.
Att,
Daniel Lopes.
 
Se puede poner un mosfet de canal n pero para disparar la puerta necesitas "mas tensión" que la de Vcc una vez disparado.
Si el uso es en continuo entonces tienes un problema serio. Si el uso es pwm o bien con frecuentes cortes y encendidos puedes cargar un condensador cuando esté desconectado el mosfet para tener una reserva de tensión para cuando lo dispares.
 
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