Deberisa asegurarte que cada mosfet conduzca con los 5V, habria que ver como se comporta con el dtuy cycle para tu proposoito una R de 330 ohm entre el puerto es suficiente, al practicamene no circular corriente no hay prácticamente caida de tensión, para asegurarte que no sea un problema en los mosfet coectalos bremente con una fuente de 5V mediante una llave inversora de un lado los 5V y del otro masa y puedes medir en el Drain si cuando conmutas la tensión cae a 0V si no lo hace prueba hacerlo a 12V
Ya que para que conzca solo es necesraria la tensión del gate este comprendida entre un mínio de 4V y un máximo de 15V(nunca utilzar al máximo) y debe conducir, yo los utilzo en control de motroes por PWM y solo llevan una R de bajao valor en el gate includo tan baja como 27ohms, los he probado con 100ohms y 330 ohms y funcionan correctamente. Para ayudarte con el tema de la constante K, pasame las formulas que estas utilizando
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los 4v de gate es la tension de threshold de la compuerta, es decir donde COMIENZA la zona de trasconductancia, y dentro de esta zona, la parte mas lineal se comprende entre la tension de threshold (Vt) y los 7-8V (en los mosfet standard, hexfet de 4 y 5 generacion) pero por mas que la curva de transconductancia deja de ser lineal a partir de los 8v, la resistencia de cierre (RDSon) no aparece hasta los 11-13V de gate, por eso recomiendo que los mosfet (siempre y cuando no sea necesario implementar drivers que se adapten a un mosfet en especial) que la tension de gate debe ir de 0 a 15V, donde los 4V (con el mosfet frio puede ser cercano a los 3V) son la tension en la cual el transistor comienza a conducir, peeero entre los 4 y los 8V el transistor actua como fuente de corriente controlada por tension. nunca conmutar transistores mosfet o igbt con puerta de 20V con 5v, se te van a freir, puesto que vas a tener corriente de conduccion, y una caida muy importante de tension entre drain y source. por otro lado lucia, si no me equivoco, la formula que posteaste era la funcion que se usaba para calcular la relacion entre tension de gate, y corriente de drain, y no se utiliza para circuitos de conmutacion.
la resistencia de gate sirve para que no oscile la compuerta del fet, ya que esta es de componente capacitiva, y el driver presenta cierta inductancia de acoplamiento hacia este, si no colocas una R en serie, obtendras oscilaciones en la compuerta a la frec de resonancia de la inductancia serie del circuito en conjunto con la C de la puerta del transistor, por eso esa R, ahora bien, el valor de esa R depende tambien de cuan veloz queres que se encienda el transistor, ya que esta impone un freno a la velocidad de crecimiento de la tension de compuerta, esto depende de la capacidad gate source y de la capacidad miller del transistor, en conjunto con el valor ohmico de dicha R, yo por ej, para frec de conmutacion del orden de los 50-100Khz y con capacidades Cgs del orden de 2.2nF coloco entre 18 y 10 ohm, es un valor que no es muy critico, a menos que quieras hilar muy fino en el tiempo de conmutacion, tambien depende esta R de la carga de compuerta que necesita el mosfet para conmutar, por ej, para cargas electricas menores o hasta 100nC uso 18-22ohm sin problemas, pero para transistores de 120-140nC como por ej el IRF3205, a 50Khz meto entre 10 y 6.8 ohm no inductivos (metal film)
