Reparación de amplificador FM300w con dos MRF151

Ese amplificador ¿ De donde salió ?, ¿ Nuevo ?, ¿ Usado ?, ¿¿??
Nos instalaron ese amplificador nuevo pero hubo un problema en la linea de 110v ac y se quemó la tarjeta. no tenia ninguna clases de protección Yo le estoy montando todo desde cero. Compre esa tarjeta que según el fabricante, es de 300w le puse una fuente conmutada de 48v 12A ya que el que se quemó era una fuente lineal. Tengo puesto un protector contra roe y temperatura. Al la tarjeta de salida lo excita un oscilador de 5w
 

Daniel Lopes

Miembro Geconocido
Debes ao menos medir los dos transistores (chequear si estan bein ) , sin eses datos no es possible saper lo que se pasa.
Att,
Daniel Lopes.
 
Tienes que probar lo transistores en separado , si uno NO te anda lo amplificador tanbien NO te anda mismo con un transistor bueno porque esa topologia es "Push-Pull" y es inprescidible que los dos transistores si quedan bien.
Cuanto a la tenperatura que lavanta los transistores cuando en funcionamento normal , eso depende de muchos factores principalmente los relacionados con la montagen.
Un dicipador con area insuficiente para escoar para lo ambiente lo calientamento generado , flujo de aire insuficiente para refrigerar lo dicipador enpleyado , calidad de la montagen del transistor a lo dicipador tal como lo torque enpleyado en los dos tornillos de fijación , rugosidad de lo dicipador y de la base mectalica del transistor , uso de pasta termica ( OJO demasiada cantidad enpleyada de pasta termica mas obstaculiza que ayuda ).
Me gusta cuando lo amplificador logra entregar en su salida la potenzia original de proyecto y su tenperatura en los transistores (parte ceramica) tienen nomas que 45°C o lo que puedas tocar con la punta de tu dedos en els si que si queme .
Asi ustedes garantiza una buena vida longa a los transistores tan caros $$$.
Att,
Daniel Lopes.
Probé los MOSFET y están bien. Lo que hice fue bajar las vías al que calienta mas a 0.5v y el otro en 1.8v. Ahí se igualaron. El consumo de la pallet es de 4.5A pero la cerámica de los MOSFET calienta hasta no poder tocarlos con los dedos. Estas pruebas las hice en mi taller pero al llevar el transmisor al lugar donde se instalará la radio, me aumentó la roe y mas temperatura en los MOSFET. Tuve que bajar el voltaje de bias pero perdí potencia. Esto se debe a que la antena está a mas altura? O diferente voltaje? Lo raro es que con carga fantasma también calienta mas de lo que calentaba en mi taller
 
Es un diseño que debe trabajar simétricamente los dos transistores pero desfasados 180º(configuración push-pull) por lo que si no solucionas el problema de lo que esta mal en una rama de ellos todo el amplificador hará cualquier cosa menos funcionar bien y como debe.

El nivel del Bias debe ser igual para los dos transistores.

En este tipo de problemas, no hay soluciones mágicas indefectiblemente debes encontrar cual es el problema de la falta de simetría(generalmente uno de los transistores pero no siempre).

Si siempre anduvo así puede ser que el que lo armo se le mezclara algún componente de otro valor(capacitor) y en vez de estar con el valor correspondiente en una rama este con un valor cambiado o muchas otras alternativas para imaginarse/suponer.

Para probar esa teoría solo hay que cambiar de lugar lo transistores(enroque) a ver si se sigue comportando de igual modo o cambia.

La temperatura en equipos en funcionamiento de RF se debe medir tomando en cuenta el comportamiento de esta(no se puede medir solo al tacto) máxime cuando hay potencia involucrada y alta frecuencia.

Todas las pruebas la debes hacer con carga fantasma adecuada para la frecuencia y potencia y después que el equipo funcione correctamente ver si hay problemas en la instalación de la antena/cables con instrumental adecuado y de ser así solucionarlo antes de poner en funcionamiento efectivo el equipo.

Una instalación con desadaptación de impedancias equipo/instalación puede generar un comportamiento anómalo de este y provocar interferencias en distintos servicios en esa u otra banda o rotura del equipo en sí.
 
Última edición:
Es un diseño que debe trabajar simétricamente los dos transistores pero desfasados 180º(configuración push-pull) por lo que si no solucionas el problema de lo que esta mal en una rama de ellos todo el amplificador hará cualquier cosa menos funcionar bien y como debe.

El nivel del Bias debe ser igual para los dos transistores.

En este tipo de problemas, no hay soluciones mágicas indefectiblemente debes encontrar cual es el problema de la falta de simetría(generalmente uno de los transistores pero no siempre).

Si siempre anduvo así puede ser que el que lo armo se le mezclara algún componente de otro valor(capacitor) y en vez de estar con el valor correspondiente en una rama este con un valor cambiado o muchas otras alternativas para imaginarse/suponer.

Para probar esa teoría solo hay que cambiar de lugar lo transistores(enroque) a ver si se sigue comportando de igual modo o cambia.

La temperatura en equipos en funcionamiento de RF se debe medir tomando en cuenta el comportamiento de esta(no se puede medir solo al tacto) máxime cuando hay potencia involucrada y alta frecuencia.

Todas las pruebas la debes hacer con carga fantasma adecuada para la frecuencia y potencia y después que el equipo funcione correctamente ver si hay problemas en la instalación de la antena/cables con instrumental adecuado y de ser así solucionarlo antes de poner en funcionamiento efectivo el equipo.

Una instalación con desadaptación de impedancias equipo/instalación puede generar un comportamiento anómalo de este y provocar interferencias en distintos servicios en esa u otra banda o rotura del equipo en sí.
Gracias por responder. El pallet es nuevo y tenia ese comportamiento desde su primera prueba. En bias tenia 2.5v. Hice el intercambio de lugar del transistores y el comportamiento es igual. Ahora el que tomaba mas temperatura era el otro. Estoy pensando que tiene problemas de fábrica.
 
Si al cambiar de lugar los transistores la falla/temperatura migro con él, es el transistor, de caso contrario la falla esta en los otros componentes de alguna de las ramas del push-pull.

A los que le pondría una "ficha", seria a los capacitores y después a los cables de teflón de la salida/entrada en ese orden.
 

Daniel Lopes

Miembro Geconocido
Hola a todos , no debemos olvidar de la possibilidad del transistor en questón sener un trucho chino.
Muy desafortunadamente ese facto es mucho comun por los dias de hoy.
Puedes estimar lo rendimento % de tu Pallet , para eso debes multiplicar la tensión de alimentación de Dreno por la curriente consumida por tu pallet.
Esa es la potenzia de entrada DC , despues debes dibidir la potenzia de salida de RF por la potenzia de entrada DC y multiplicar lo resultado por 100% , asi sabes lo rendimento de tu Pallet.
Ese debe rondar por aproximadamente unos 70%.
Debes tanbien garantizar una buena dicipassión de calor con un generoso dicipador de calor y tanbien aire para refrigeración.
Si NO logras tocar con la punta de tu dedos en la pastilla ceramica del transistor debido al recalientamento algo te va muy malo y seguramente ese transistor NO subrevive por mucho tienpo.
Si la tensión de Gate de cada "meo" transistor es distinta para una misma curriente quiesciente de Dreno ese transistor NO mas es "pareado" entre si mismo y eso NO es una buena onda , haberias que canbiarlo por otro nuevo y IDONEO.
Sacar un transistor IDONEO NO es facil , la salida es conprar en tiendas Norte Americanas , eso porque conponentes trucho chino NO se crian por eses pagos.
!Suerte en los desahollos/mantenimientos!.
Att,
Daniel Lopes.
 
Hola a todos , no debemos olvidar de la possibilidad del transistor en questón sener un trucho chino.
Muy desafortunadamente ese facto es mucho comun por los dias de hoy.
Puedes estimar lo rendimento % de tu Pallet , para eso debes multiplicar la tensión de alimentación de Dreno por la curriente consumida por tu pallet.
Esa es la potenzia de entrada DC , despues debes dibidir la potenzia de salida de RF por la potenzia de entrada DC y multiplicar lo resultado por 100% , asi sabes lo rendimento de tu Pallet.
Ese debe rondar por aproximadamente unos 70%.
Debes tanbien garantizar una buena dicipassión de calor con un generoso dicipador de calor y tanbien aire para refrigeración.
Si NO logras tocar con la punta de tu dedos en la pastilla ceramica del transistor debido al recalientamento algo te va muy malo y seguramente ese transistor NO subrevive por mucho tienpo.
Si la tensión de Gate de cada "meo" transistor es distinta para una misma curriente quiesciente de Dreno ese transistor NO mas es "pareado" entre si mismo y eso NO es una buena onda , haberias que canbiarlo por otro nuevo y IDONEO.
Sacar un transistor IDONEO NO es facil , la salida es conprar en tiendas Norte Americanas , eso porque conponentes trucho chino NO se crian por eses pagos.
!Suerte en los desahollos/mantenimientos!.
Att,
Daniel Lopes.
Pero no es problema del transistor. Cambié de lugar los transistores y el problema es igual
 
Cuando uno arma diseños de ese tipo(push-pull) es indispensable para que funcionen de forma optima el "apareado" en cuanto a ganancia de los dos transistores involucrados debido a que si no es casi imposible lograr que funcionen bien.

Debido a esa causa el fabricante saco al mercado el MRF151G que es un transistor que dentro contienen dos unidades del MRF151 fabricadas en el mismo chip en el mismo momento lo que medianamente garantiza que estén con características muy similares para ser usadas específicamente cuando el esquema del circuito lo requiera.

El uso de dos unidades separadas como ese caso se justifica si uno tienen cantidad suficiente de transistores para "aparear" y por supuesto la de utilizar materiales existentes o razones experimentales.

Hoy en día hay transistores mas modernos y de mayor potencia y prestaciones que ese que en su momento fue todo lo que había a ese nivel.

No se como es el circuito eléctrico de esa placa pero se me ocurre que se podría medir fácilmente la corriente individual de cada transistor intercalando un amperímetro en la alimentación del +B de la placa y verificar el comportamiento ante una determinada tensión de bias, G_S. Esta corriente, deberías ser muy similar para cada uno de ello y para un determinado valor, de caso contrario ya no son compatibles para trabajar eficientemente en ese diseño aunque no estén "quemados".

Todo esto se hace sin excitación de RF a la entada.

Ej: Colocas el nivel de bias G_S en 2Vdc en cada uno de ellos, mides el consumo en "vació" del par de transistores, desconectas la tensión de bias de uno de ellos(o conectas el gate a GND si el esquema eléctrico lo permite hacer sin riesgo de quemar la fuente de bias) y mides a ver si bajo la corriente a la mitad aproximadamente, si es así están aparentemente "igualados"(al menos estaticamente) y puedes repetir el procedimiento para el otro transistor restituyendo las conexiones, viendo si no hay ningún comportamiento anómalo o dispar.
 
Última edición:
Cuando uno arma diseños de ese tipo(push-pull) es indispensable para que funcionen de forma optima el "apareado" en cuanto a ganancia de los dos transistores involucrados debido a que si no es casi imposible lograr que funcionen bien.

Debido a esa causa el fabricante saco al mercado el MRF151G que es un transistor que dentro contienen dos unidades del MRF151 fabricadas en el mismo chip en el mismo momento lo que medianamente garantiza que estén con características muy similares para ser usadas específicamente cuando el esquema del circuito lo requiera.

El uso de dos unidades separadas como ese caso se justifica si uno tienen cantidad suficiente de transistores para "aparear" y por supuesto la de utilizar materiales existentes o razones experimentales.

Hoy en día hay transistores mas modernos y de mayor potencia y prestaciones que ese que en su momento fue todo lo que había a ese nivel.

No se como es el circuito eléctrico de esa placa pero se me ocurre que se podría medir fácilmente la corriente individual de cada transistor intercalando un amperímetro en la alimentación del +B de la placa y verificar el comportamiento ante una determinada tensión de bias, G_S. Esta corriente, deberías ser muy similar para cada uno de ello y para un determinado valor, de caso contrario ya no son compatibles para trabajar eficientemente en ese diseño aunque no estén "quemados".

Todo esto se hace sin excitación de RF a la entada.

Ej: Colocas el nivel de bias G_S en 2Vdc en cada uno de ellos, mides el consumo en "vació" del par de transistores, desconectas la tensión de bias de uno de ellos(o conectas el gate a GND si el esquema eléctrico lo permite hacer sin riesgo de quemar la fuente de bias) y mides a ver si bajo la corriente a la mitad aproximadamente, si es así están aparentemente "igualados"(al menos estaticamente) y puedes repetir el procedimiento para el otro transistor restituyendo las conexiones, viendo si no hay ningún comportamiento anómalo o dispar.
Si no hay excitación de RF el consumo de la pallet es 0A. O debería marcar algunos miliamperios?
 
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