Seguidor de voltaje (colector común) Problema de análisis

[ruben90]

Llevo 2 años sin realizar circuitos, por cuestiones de trabajo (nada que ver con la electrónica) y se me genero el siguiente problema. Estoy realizando el siguiente circuito, pero al calcular RB, me sale un numero negativo, obviamente esta mal, por eso quisiera que me corrigieran en mi análisis.

El transistor es un BD135, necesito una IE = 500 mA. Según el datasheet a esa corriente hFE = 25 (tomando IC casi igual que IE).

Anexo el diagrama, muchas gracias. ...

 

[palurdo]

A ver, es más fácil que todo esto. BE, es un diodo polarizado en directa. por Ie quieres que pasen 500mA, luego por Re pasa 500mA. Ve lo debes elegir tu ya que es la salida de tu seguidor de emisor, y puede ser entre 0 y (V1-Vf). Por lo tanto Re=Ve/500mA, y Vb=Ve+Vf por lo que RB=(V1-Ve-Vf)/(500/(HFE+1)), y Vce por si lo quieres calcular para sacar la potencia disipada del transistor y eso, es V2-Ve, que como mínimo tiene que ser Vf en esta configuración.

 

[ruben90]

RE = Ve * 500 mA? Pero así no se cumple la ley de ohm? Ya que R = V/ I.

 

[palurdo]

No es un * es un /, el teclado del móvil y mis dedos gordos. Ahora edito.

 

[ruben90]

Entonces, si quiero una salida de 11.3V y una corriente de 500mA, la RE debe ser 23 ohms. Utilizando la fórmula que me proporcionaste RB = 0. Pero para que el transistor deje pasar los 500mA debe haber una IB mínima de 20mA.

Estoy en lo correcto? Lo simule, pero colocando una RB > 0 < RE, y pues si da el resultado.

La verdad estudie ing. en electrónica, pero llevo 2 años trabajando en ventas y pues al no practicar se olvidan las cosas. Muchas gracias por tu ayuda palurdo.

 

[palurdo]

Claro, pero esa Ib es la que le va a pedir a la fuente V1 el propio transistor al hacer pasar por el emisor 500mA. Es como si en V1 tuvieses un diodo pero por el cual en el ánodo pasan 20mA y en el cátodo pasan 500mA, por eso se le llama seguidor de tensión, porque el transistor copia la tensión de la base en el emisor (restando Vf) pero amplificando en corriente HFE veces

 

[ruben90]

Bueno, para quitarme las dudas seguí leyendo y encontré esta solución a mi duda, y probando físicamente el circuito, si cumple con los requisitos (IE = 500mA, Vout =11.3V). Solamente hay que omitir la resistencia RB para que se cumpla la fórmula,

Vout = Vin - Vf

Determinar la salida del circuito con el BJT en corte.

Cuando Vin se encuentra por debajo de Vf, el BJT está en corte, por lo que IB como IC son cero. En consecuencia, la salida se convierte en

Vout = (IB+IC)RE = 0,   para Vin < Vf

Determinar la salida del circuito con el BJT en saturación.

La región de saturación del transistor se alcanzará cuando,

Vout = VCC - Vce(sat)

Con Vout igual a Vin - Vf, la saturación ocurrirá cuando el voltaje de entrada llegue al valor,

Vin = Vout + Vf

En algunos casos, se podrá notar que Vin excede VCC cuando el transistor entre saturación.
Si Vin se incrementa más allá del valor dado en la ecuación 3, ya no será cierto que
IC = Bf*IB. Conforme Vin exceda más y más a VCC, la corriente fluirá de Vin a VCC por la unión base-colector en polarización directa.