Suponga que la tensión salida de reposo es VCQ = 0 V con una tensión de reposo de
base VBQ (que es la tensión de salida de la etapa anterior y la de la base en Fig 3.a),
En la Fig3.b la tensión de salida de la etapa anterior varía, por lo que VB se aleja de
VBQ y el transistor pnp llega a saturarse. Calcule, para esa situación las tensiones de
colector, base y emisor cuando el transistor se sature (VCBSat = 0V) en función de la
tensión inicial de su base (VBQ), así como el margen dinámico de salida resultante
( MD= 2 (VBSat - VCQ), en Vpp en este caso )
tengo problemas para calcular VCSat, VBSat, VESat, MD.
las relaciones que estoy usando son
VBEsat=0.7V
VECsat=0.3
ec.mallas:
15 - VEsat = Ic*Re
Vcsat + 15 = Ic*Rc
Ayuda!
no se que estoy haciendo mal, esque todavia soy nueva en esto y me lio bastante. Muchas gracias!
base VBQ (que es la tensión de salida de la etapa anterior y la de la base en Fig 3.a),
En la Fig3.b la tensión de salida de la etapa anterior varía, por lo que VB se aleja de
VBQ y el transistor pnp llega a saturarse. Calcule, para esa situación las tensiones de
colector, base y emisor cuando el transistor se sature (VCBSat = 0V) en función de la
tensión inicial de su base (VBQ), así como el margen dinámico de salida resultante
( MD= 2 (VBSat - VCQ), en Vpp en este caso )
tengo problemas para calcular VCSat, VBSat, VESat, MD.
las relaciones que estoy usando son
VBEsat=0.7V
VECsat=0.3
ec.mallas:
15 - VEsat = Ic*Re
Vcsat + 15 = Ic*Rc
Ayuda!
no se que estoy haciendo mal, esque todavia soy nueva en esto y me lio bastante. Muchas gracias!