Busco info sobre Transistor de RF SRF7016(Motorola)

Hola amigos del Foro,recurro a Uds. en procura de alguna información técnica acerca del Transistor de RF SRF7016 de Motorola,info como: G dB,Voltaje CE,corriente Ic,está en una tarjeta amplificadora de potencia RF de celda celular en 900MHz, según se observa en el Circulador de salida,como driver encontré al MRF859S,derrepente alguien pueda brindarme alguna información acerca de esta tarjeta,la quiero utilizar como amplificador de un Tx de video en 910MHz,el excitador que tengo es de 200mW. ¿Será necesario obviar el circulador(859-904MHz) para 910MHz?. Adjunto fotos de la tarjeta que contiene a este transistor.
Saludos
 

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Hola amigo:

Veo que no encuentras informacion del modulo que pones en las fotos, yo poseo un modulo parecido, pero bastante mas grande, su potencia de salida esta entre los 45 y 50W trabajando a 25V.
El modulo que cito esta basado en los transistores 79To1, 79T02 y como final el 33P55, lo puedes ver en mi albun de fotos, tambien hay una foto de un excitador para esas frecuencias que me han pedido por encargo.
La serie de transistores SRF de Motorola estan definidos como custom (hechos a medida) y no hay informacion de ellos, por mas que me faje en buscar algo sobre el SRF7016 que citas no encontre nada, solo vendedores y demas informacion basura que no sirve de nada.

Pero si tienes intrumental para hacer alguna prueba quizas puedas dar un poco de luz al asunto.

Del MRF859S (la "S" es formato SMD) si hay informacion, que puede arrojar luz sobre el transistor de salida.

MRF859S: 6,5W@900Mhz------G.T. 11,5dB@900Mhz------M.P.I. 0,46W@900Mhz

Con esto sabemos que a 900Mhz nos da 6,5W de salida escitado con 0,46W en su entrada, valor maximo para este transistor.
Los numeros salen asi redondeando.

+27dBm = 0.501W 5.006VRMS 7.078Vp 14.157VPP que sumados los 11,5dB de ganancia salen......

+38dBm = 6,31W 17.762VRMS 25.115Vp 50.230Vpp esto es aproximado.

Como bien sabes los transistores de salida como es el caso del SRF7016 tienen una ganacia mas pequeña que los transistores de menos potencia como el caso del MRF859S, que puede rondar desde los 7dB hasta los 10dB mas o menos, pero seria necesario hacer las pruebas pertinentes.
He visto y revisto el modulo que presentas, aunque no tienen bastante resolucion las fotos para hacer elucubraciones he podido ver que tiene un atenuador en "pi" a la entrada del MRF859S de 2dB, ademas de polarizacion de las bases de los 2 transistores a cargo de 2 transistores SMD que aun no he mirado la referencia.

Abreviaciones para los mas neofitos:

G.T.= Ganancia tipica

M.P.I.= (Max power imput) Maxima potencia de entrada

VP= Voltaje de pico

VP= Voltaje de pico a pico

RMS= todos sabemos lo que es.



Un saludo Americo8888

COSMOS
 
Hola amigo Cosmos,gracias por tu ayuda,he visto tu albúm y me parece muy interesante el proyecto de 900MHz,dime que híbrido estas usando en el excitador?,entonces haciendo los cálculos y considerando una ganacia mínima de 7dB del Transistor final,tendriamos 38dBm+7dB=45dBm ó 31,6 Watts como potencia de salida para una entrada de 794mW (29dBm) por la atenuación de 2dB en pi.Es una muy buena potencia!!!!.Te muestro detalle de mi vatimetro RF "hecho en casa".
Saludos
Americo8888
 

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Hola Americo:

Esta b ien tu vatimetro, aun no se en que sistema esta basdo, estaria bien una descripcion.

Yo estoy confeccionando uno hasta 1Ghz basado en el AD8307, que como sabes solo llega con cierta precision hasta los 500Mhz, pero con algunos cambios en el atenuador de entrada se consigue cierta linealidad hasta el Ghz, pronto lo pondre en el foro para los que lo hayan montado, lo hare con instrumento de aguja para que sea facil y adsequible para casi todos.

Saludos

COSMOS
 
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